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Fターム[4K022DB28]の内容

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Fターム[4K022DB28]に分類される特許

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有機金属化合物を溶液から基板上に塗布するコーティングステップと、還元剤を含有する酸性溶液を用いて実施することを特徴とする還元ステップとを含む、導電性トラックの製造方法を開示する。
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【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、pHプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 (もっと読む)


【課題】リン酸塩等のような環境負荷物質を含まず、(リン酸塩+石鹸)皮膜と同等或いはそれ以上の潤滑性および耐焼付き性を発揮する皮膜を備えた塑性加工用金属材料を製造するために有用な方法を提供すること。
【解決手段】母材金属の表面にめっき層である第1層を形成し、次いでめっき層が形成された母材金属を液状の脂肪酸に浸漬することにより、めっき層の上に第2層を形成することを特徴とする塑性加工用金属材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂被膜を有する無電解メッキ被処理物及びその無電解メッキ方法、並びにそのために使用される無電解メッキ液を提供することである。
【解決手段】本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤とを含有し、更に50〜100ppmのチオ尿素を含有する第1の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第1メッキ層を形成する工程と、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、還元剤、及び界面活性剤を含有する第2の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第1メッキ層上に第2メッキ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする無電解メッキ方法である。 (もっと読む)


【課題】パターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体16上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部20を形成する。その後、金属イオンを含む溶液中で金属銀部20をカソードとして被めっき材料24を通電する。その後、通電後の被めっき材料24に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部20のみにめっき層34を担持させる。金属イオンを含む溶液中の金属イオンは銅、ニッケル、コバルト、スズのいずれかであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】無電解ニッケルめっき皮膜上に直接かつ、置換パラジウムめっき処理等の処理をすることなく密着性良好で、めっき厚バラツキの少ない純パラジウムめっき皮膜が形成可能な無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】第1錯化剤と、第2錯化剤と、リン酸又はリン酸塩と、硫酸又は硫酸塩と、ギ酸又はギ酸塩からなり、前記第1錯化剤は、エチレンジアミンを配位子とした有機パラジウム錯体であり、第2錯化剤は、カルボキシル基を有するキレート剤又はその塩及び/又は水溶性脂肪族有機酸又はその塩であることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】 弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を向上する。
【解決手段】 (A)可溶性第一スズ塩と、(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、(C)チオ尿素類と、(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンとを含有し、上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7である無電解スズメッキ浴である。鉄、マンガン、クロムなどの特定の金属イオンを所定濃度でオキシカルボン酸に共存させるため、無電解スズ浴は弱酸性ないし中性域を呈すると共に、経時安定性にも優れる。 (もっと読む)


【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層1の被覆、活性化処理、保護多孔体層1の除去、基材表層への保護多孔体層2の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅130nm以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が1.5cSt以上200cSt以下、好ましくは5cSt以上100cSt以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅130nm以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 (もっと読む)


【課題】 無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき液を貯留する無電解めっき槽と、前記無電解めっき槽に接続し、その無電解めっき槽との間で前記無電解めっき液を循環する循環流路を有する外部循環手段と、を備え、前記外部循環手段が、その循環流路内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液に混入すると共に前記無電解めっき液を加圧して前記気体を前記循環流路内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段と、を更に有する無電解めっき装置。 (もっと読む)


【課題】ニッケル以外の重金属を含まず優れた安定性を有し、且つ良好なめっき皮膜外観、優れた耐食性を与えることのできる無電解ニッケルめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケルイオンと、錯化剤と、還元剤とを含む無電解ニッケルめっき液に、一般式:R−NC又はCN−R−NC(式中、Rは、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環式基であって、これらはエーテル結合を有していてもよい)で表されるイソシアニド系物質を少なくとも1種添加する。 (もっと読む)


【課題】Pb、Bi、Tl、Cdなどの重金属イオンを含まないため人体や環境に優しく、しかも、無電解ニッケルめっき浴として実用に耐えるめっき浴を提供する。
【解決手段】水溶性ニッケル塩、有機酸又はその塩、次亜リン酸塩又はホウ素化合物、及びアセチレン化合物を含有する無電解ニッケルめっき浴において、Pb、Bi、Tl、及びCdのいずれの金属イオンも含まず、かつ以下の(2),(3)のいずれかの特徴を有するめっき浴、及びそれを用いためっき方法。(2)前記有機酸又はその塩が(A)アミノ酸又はその塩とヒドロキシカルボン酸又はその塩、又は(B)ヒドロキシモノカルボン酸又はその塩とヒドロキシポリカルボン酸又はその塩を含有するめっき浴。(3)亜リン酸又はその塩を含有するめっき浴。 (もっと読む)


【課題】Ni基合金の表面に、製品の形状や寸法に拘らず、比較的簡単な方法により、均一な膜厚のRe基合金からなる拡散バリア層を形成する。
【解決手段】この無電解めっき浴は、基材上に50at%以上のReを含むNi−Re−B合金を無電解めっき処理により形成するためのものであって、Ni2+とReOをそれぞれ0.01〜0.5mol/Lの範囲で等当量ずつを含む金属供給源成分と、クエン酸と少なくとも一種の他の有機酸を含む錯化剤成分であって、Ni2+とReOの合計に対するクエン酸のモル濃度比が1/20〜1/5であり、Ni2+とReOの合計に対する前記クエン酸と前記少なくとも一種の他の有機酸の総有機酸量のモル濃度比が1/2〜10である錯化剤成分と、ジメチルアミンボランをNi2+とReOの合計に対してモル濃度比で1/4〜2含む還元剤成分とを含み、pHを6〜8に調整したものである。 (もっと読む)


【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Zn、Fe、Co及びMnからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層5を形成する工程を経てセラミック電子部品100を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、pHが6〜12であるセラミックス電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ソルダーレジストや下地ニッケルに腐食を生じさせることなく、配線基板に半田接合性やワイヤーボンディング特性が良好な金めっき皮膜を形成できる安全性の高い置換金めっき液を提供する。
【解決手段】金イオンとして0.5−5g/Lの水溶性亜硫酸金化合物と、5−200g/Lの亜硫酸及び/又はその塩と、5−50g/Lの水溶性ポリアミノポリカルボン酸及び/又はその塩とを含有し、エチレンジアミン及びタリウムを含まない無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】従来用いられている無電解銅めっき液と比較して安全性の高い無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂に対して、良好な密着性と優れたエッチング性を兼ね備えた導電性皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】還元剤として次亜リン酸又はその塩を含む自己触媒型無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂上にニッケル含有率20〜70重量%の銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂上への導電性皮膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】ニッケル、銅、コバルト、パラジウムなどの下地金属皮膜を腐食せず、優れた密着性を有する金めっき皮膜を形成する無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】無電解金めっき液の成分として、(i)水溶性シアン化金化合物、
(ii)錯化剤、および(iii)1位にフェニル基またはアラルキル基を有するピリジニウムカルボン酸化合物を含有するめっき液。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い柱状セラミックスを短時間で効率よく作製することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面に複数のセラミックスの結晶核を形成する初期核形成工程と該基板表面にめっき法を用いて柱状セラミックス結晶を成長させる工程とを有することを特徴とするセラミックス膜の製造方法である。また前記初期核形成工程を大気開放型CVD法で行うことが好ましい。さらに前記セラミックス膜が、多孔質膜であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】安価な装置において、基板のパターン内部において異方性高くエッチング処理や成膜処理を行うこと。
【解決手段】パターンが形成された基板が吸着保持された処理容器内に、微少な気泡であり、負電荷を持つナノバブルを窒素ガスやCF系のガスなどからなる処理ガスにより形成し、このナノバブルを純水やフッ化水素水溶液などの処理液中に分散させて、更にこの処理液に電界を加えて、ナノバブルと共に処理液をパターン内に引き込むことで、安価な装置で異方性を持つ処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】コバルト合金の無電解堆積を行なう。
【解決手段】 銅表面の上にコバルト合金層を無電解堆積させるためのシステム及び方法は、低pHによって特徴付けられる溶液を含む。この溶液は、例えば、コバルト(II)塩と、少なくとも2つのアミン基を含む錯化剤と、pHを7.0未満に調整するように構成されるpH調整剤と、還元剤とを含んでよい。幾つかの実施形態では、コバルト合金は、集積回路において、銅表面と誘電体との間の接合特性及び銅拡散特性を助長するように構成される。 (もっと読む)


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