【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ２の形成方法は、電極１２上に形成された導電性のコア２１の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ０．１μｍ以上０．５μｍ以下の金膜２２をコア２１の表面に形成する。これにより、バンプ２を形成するに十分な膜厚の金膜２２を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】有害な金属を含有しない無電解ニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき浴は、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する。このように、少なくとも鉄イオン源及びヨウ素イオン源を含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることで、有害な金属を使用することなくめっき浴の分解を抑制して、めっき浴の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で示される単位構造を分子内に２つ以上有することを特徴とする化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
【化１】
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無電解パラジウムめっき液は、極性溶媒、少なくとも１つのパラジウム塩、少なくとも１つの非窒素化錯化剤、めっき液を少なくとも８．０のｐＨに調整するアルカリ性調整剤、及び還元剤を含む。めっき液は、基板の表面にパラジウムの層を形成するのに使用され、基板上にほぼ純粋なパラジウム皮膜をもたらす。還元されたパラジウムのめっき液中での析出は実質的に防止される。
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【課題】錫めっき層を正常に形成することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース絶縁層４１上に複数の配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を形成し、その後、配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の表面に無電解錫めっき処理を施す。これにより、配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の表面を覆うように錫めっき層Ｓ１，Ｓ２が形成される。無電解錫めっき処理には、ホウフッ酸、硫酸、アルカノールスルフォン酸、有機カルボン酸およびフェノールスルフォン酸のうち少なくとも１つ、ならびに銀イオンを含む無電解錫めっき液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う（ステップＳ３）。ついで、電極の表面に第１ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ４）、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する（ステップＳ５）。ついで、電極の表面に第２ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ６）、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】高原子価金属化合物から金属膜を直接製造することができる組成物、金属膜の製造方法、及び金属粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】銅、銀またはインジウムの高原子価化合物、直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類およびＶＩＩＩ族の金属触媒から成ることを特徴とする、銅、銀またはインジウムの金属膜製造用組成物を用いて被膜を形成し、次いで加熱還元することにより、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。また、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物かの代わりに、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物からなる表層を有する銅、銀またはインジウムの金属粒子を用い、同様にして、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】独立した微小配線パット部分に安定して無電解金めっきを施すことのできる方法と、それに使用される還元型無電解金めっき用前処理液を提供する。
【解決手段】亜硫酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種類の成分と、チオ硫酸及びその塩からなる群より選ばれた少なくとも１種類の成分とを単独もしくは両方を含んだ水溶液に、フェニル化合物、アスコルビン酸化合物、ヒドラジン化合物、チオ尿素化合物から選ばれた１種類以上の成分を配合して成る、還元型無電解金めっき用前処理液。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、無電解ニッケルメッキ廃液を浄化するための従来の酸化方法の問題点を排除して、簡便な装置を用い低コストで効果的な方法により、無電解ニッケルメッキ廃液の浄化と、ニッケルおよびリン酸塩を回収して再資源化する方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルメッキ廃液からニッケルイオンを分離する第一工程と、第一工程で得られた分離液中の次亜リン酸イオンを酸化触媒により亜リン酸イオンに酸化する第二工程と、第二工程で得られた亜リン酸イオンを酸化触媒により正リン酸イオンに酸化する第三工程および、第三工程で得られた正リン酸イオンをリン酸塩に転換してろ過分離することにより、リン濃度が１６ｍｇ／ｌ以下の廃液に浄化し、リン酸をリン酸塩として回収する第四工程とからなることを特徴とする無電解ニッケルメッキ廃液の浄化方法である。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌまたはＣｕ表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する：（ａ）Ｎｉ−Ｐ層、（ｂ）Ｐｄ層、および任意的に、（ｃ）Ａｕ層、ここで、Ｎｉ−Ｐ層（ａ）の厚さは０．２〜１０ｍであり、Ｐｄ層（ｂ）の厚さは０．０５〜１．０ｍであり、そして任意的なＡｕ層（ｃ）の厚さは０．０１〜０．５ｍであり、そしてＮｉ−Ｐ層（ａ）のＰ含量は１０．５〜１４重量％である。得られるＮｉ−Ｐ／Ｐｄ積層の堆積内部応力は、３４．４８ＭＰａ（５，０００ｐｓｉ）以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 （もっと読む）

金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び／又は３−オクタノイルチオ−１−プロピルトリエトキシシランを含む。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【目的】密着性を向上させることができるカーボン素材のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】カーボン素材のめっき方法は、（１）カーボン素材をカチオン系界面活性剤溶液に浸漬することにより、当該カーボン繊維の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（２）カチオン処理工程を経たカーボン素材ＡをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬することにより、ＰｄとＳｎをカーボン素材Ａの表面に吸着させるＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（３）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経たカーボン素材Ｂを酸溶液に浸漬することにより、Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程で吸着させたＰｄ及びＳｎのうちＳｎを溶かし、カーボン素材ＢにＰｄのみを吸着させるアクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】数μｍ〜百数十μｍの大きなトレンチ又はビアホールに対しても、ボイドやシーム等の欠陥を生じさせず、良好なめっき埋め込み性を有し、さらに長時間に亘って安定した性能を維持することができる無電解めっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも、水溶性金属塩と、その水溶性金属塩に由来する金属イオンの還元剤と、錯化剤とを有する無電解めっき液であって、炭素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、窒素原子をそれぞれ任意の数含む脂肪族環状基または芳香族環状基、または該環状基に任意の１種類以上の置換基が１つ以上結合した環状基、を少なくとも１つ有する硫黄系有機化合物をレベラーとして含有している。 （もっと読む）

【課題】耐食性およびろう付性に優れたＭｇ含有アルミニウム合金製の熱交換器用部材を製造する。
【解決手段】熱交換器用部材(2)の製造に際し、Ｍｇ：０．０５〜０．５５質量％およびＳｉ：０．２〜０．９質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金製の基体(2a)を、強アルカリ水溶液に亜鉛、酸化亜鉛、亜鉛化合物のうちの１種以上を溶解させた亜鉛処理液で表面処理することにより、前記基体(2a)の表面に厚さが１μｍ以下の亜鉛層(2b)を形成する。 （もっと読む）

【課題】還元剤の使用量が少なく、実用析出速度を維持し、かつ液安定性に優れた無電解金めっき液と無電解金めっき方法を提供する。
【解決手段】金塩と、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンまたはｐ−フェニレンジアミン等のフェニル化合物系還元剤と、エチレンジアミン等の水溶性アミンと、不純物金属隠蔽剤と、ｐＨ緩衝剤とを、含有する無電解金めっき液、およびその無電解金めっき液を用いた析出速度が向上し安定性に優れた無電解金めっき方法。 （もっと読む）

【課題】粒子が２個以上結合した連結粒子が少なく信頼性の高い導電接続ができる導電性微粒子、及び、連結粒子が少ない導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された下地金属層と、前記下地金属層の表面に形成された導電層とを有する導電性微粒子であって、シースフロー電気抵抗方式粒度分布計を用いて粒子径分布を測定した場合、平均粒子径の１．２６倍以上の粒子径を有する導電性微粒子の比率が８％以下である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】水素分離用薄膜として供する緻密なパラジウムと銀合金膜を作製するに当たり、非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させて成膜し、６００℃以下の加熱で迅速に合金化させた水素分離用薄膜を提供する。
【解決手段】パラジウムと銀とを含むメッキ浴に、種核を付着させた多孔質基材を浸し、メッキを施す過程において、一定の流速で連続的に銀含有水溶液を添加することで、両元素の析出速度を制御して、一定の組成比のパラジウムと銀を深さ方向に均一に成膜する方法、及び該方法で作製した水素分離用薄膜。
【効果】非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させた水素分離膜として供するためのパラジウムと銀の合金膜を作製する方法及びその水素分離用薄膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 （もっと読む）