【課題】無電解めっき液の再生処理を、効率的かつ自動的に行う。
【解決手段】本発明の無電解めっき液の再生装置は、めっき処理に伴ってめっき槽２０内で生成される亜リン酸の生成速度を測定するセンサ２０ｂと、めっき槽内のめっき液１００を分取し第一処理槽１１に移送する分取装置２１と、分取されためっき液に含まれる亜リン酸の濃度を測定するセンサ３１と、このめっき液に含まれる亜リン酸から、亜リン酸カルシウム１０５を生成させるために必要な炭酸カルシウム又は水酸化カルシウム１０４を第一処理槽に供給する添加装置１３と、第一処理槽内で生成した亜リン酸カルシウムをめっき液から分離除去する分離装置１４と、亜リン酸カルシウムが分離除去されためっき液をめっき槽に移送する戻しポンプ２２と、分取装置２１及び戻しポンプ２２の移送速度を制御するコントローラ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】外力の印加した場合にも、意匠性が維持される水栓を提供する。
【解決手段】本発明では、少なくとも外表面に被覆部が形成された水栓であって、該被覆部は、（Ａ）Ｍ−Ｏ結合（ＭはＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎのいずれか）を有する三次元網目構造体、（Ｂ）可塑性ポリマー粒子を含有してなることを特徴とし、前記可塑性ポリマー粒子は被覆部中において、略接することなく分散していることを特徴とする水栓を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体や液晶ディスプレイの製造工程などで使用されるアルミ表面に発生する静電気によるトラブルを解消するため、帯電を抑制するアルミ表面形成方法を提供するものである。
【解決手段】アルミ表面の静電気の発生原因となる接触・剥離帯電を抑えるため、アルミ表面に平均表面粗さ（Ｒａ）が５ミクロン以上である粗い凹凸を有する粗面を形成し、接触面積を小さくして帯電量を抑える。また、不導体であるアルマイト皮膜に、電気伝導性を向上させた導電性アルマイトを形成して皮膜の電気抵抗値を半導体領域とし、皮膜の適度な導電性により電荷が緩やかに除電され、その結果スパークによる静電破壊が抑制される。 （もっと読む）

【課題】従来の技術では含有させることのできなかった量のナノダイヤモンド粒子を、金属マトリックス中に分散させためっき膜を基材表面に有する材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が１〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を懸濁しためっき浴を酸素を含有する気体で攪拌しながら基材を浸漬し、基材表面に金属マトリックス中に８〜２５容量％の平均粒径が１〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を分散させためっき膜を形成する。金属マトリックスとしてはニッケル、銅、錫、クロム、亜鉛、鉛、コバルト、鉄、金、銀、白金からなる群から選択された金属を使用し、基材としては金属、プラスチック、セラミックスから選択されたものを使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に適用した場合に、垂直方向の記録磁界を優先的に強め、かつ急峻化することができる軟磁性薄膜、その生産性の高い製造方法、トラック走行方向の磁化応答性に優れた高品質の垂直磁気記録媒体およびこの垂直磁気記録媒体を備えた垂直磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本軟磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有し、錯化剤およびホウ素系還元剤を含有し、金属イオンの濃度比率が、モル単位で、０．１５≦（Ｎｉイオン／全金属イオン）≦０．４０、０．５０≦（Ｃｏイオン量／全金属イオン量）≦０．８０および、０．０５≦（Ｆｅイオン量／全金属イオン量）≦０．１５である無電解めっき浴中に基板を浸漬し、基板面に平行な５〜２０００Ｏｅの範囲の磁場中で無電解めっきを行って得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、絶縁性基体上への金属付着のための粘度調整可能な感光性分散液に関し、該感光性分散液は、光照射下に酸化−還元特性を与える顔料、金属塩、該金属塩の封鎖剤、液状膜形成性高分子配合物、塩基性化合物、有機溶媒および水を組み合せて含む。本発明はまた前記分散液の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成した合金膜で配線を保護する。
【解決手段】 基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド電極及びこれを用いた無電解ニッケルめっき浴の管理方法並び測定装置の提供。
【解決手段】ホウ素のドーズ量が1×10¹⁹〜2×10¹⁹ atoms/cm³であるホウ素ドープダイアモンド電極からなる作用電極、並びに対向電極及び参照電極を、ポテンショスタットに接続してなる測定装置を用い、まず（１）試料溶液中で作用電極電位を、試料溶液中のＮｉイオンが電極上にＮｉとして析出される還元側条件に所定時間保持し、（２）次いで、試料溶液中で、作用電極電位を、析出したＮｉ表面がオキシ水酸化ニッケル（ＮｉＯＯＨ）となる酸化側条件に所定時間保持し、（３）さらに、試料溶液中で、作用電極電位を微分パルスボルタンメトリー法に基づき、前記（２）段階における作用電極電位を開始電位として所定電位まで電位走査することにより、めっき浴中に含まれるニッケル濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】 無電解金めっき液の経時安定性を確保するために、その金めっき液中のシアンイオンの存在量を簡便に、かつ迅速に把握して、必要なシアンイオンの補給時期、補給量を決定する方法を提供し、また、その方法を利用して無電解金めっき液を安定化する方法を提供する。
【解決手段】 めっき液中の遊離シアンイオンの濃度低下により分解性の無電解金めっき液の安定化方法であって、無電解金めっき液の安定度を該めっき液の酸化還元電位をＯＲＰ計により検出することにより評価し、その安定度に基づきシアンイオンの補給時期、および補給量を決定し、無電解金めっき液にシアンイオンを補給することを特徴とする無電解金めっき液の安定化方法。
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【課題】優れた導電性を有し、更に、芯材粒子との密着性が高くかつ凝集性が少ない導電性微粒子、メッキ浴の安定性が高い該導電性微粒子の製造方法、及び該導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電解メッキ法によりニッケル、銅、及びリンを含有する合金メッキ被膜が形成されている導電性微粒子、好ましくは合金メッキ被膜中の厚さ方向のリン含有量が、芯材粒子側よりも合金メッキ被膜表面側で少ない導電性微粒子、金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、ニッケル塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して初期無電解メッキ反応を行い、その後、ニッケル塩、銅塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して後期無電解メッキ反応を行う該導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

第一の金属をめっきするための無電解浴中の還元剤の濃度を、第二の金属の電着速度に対する還元剤の影響から測定する。無電解ニッケル及びコバルト浴の場合、無電解めっき浴の試料を酸性銅めっき溶液に添加し、銅電着速度をサイクリックボルタンメトリー溶出（ＣＶＳ）分析によって計測する。次亜リン酸塩及びジメチルアミンボランの別個の分析は、両方の還元剤を使用する浴中、酸性溶液中のジメチルアミンボランの選択的分解によって達成される。
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洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約５分から３０分間かけて約１００℃から１４０℃の間の温度にされる。 （もっと読む）

無電解コバルト又はニッケルめっき浴中のクエン酸塩錯化剤の濃度を、遊離フッ化物イオンの微量濃度を含有する無電解めっき浴のサンプルを、硝酸ランタン標準液で滴定することにより判定する。滴定の間、Ｌａ^＋イオンは最初に優先的にクエン酸塩錯化剤と、その後フッ化物イオンと反応し、遊離フッ化物イオン濃度を低減させる。滴定の終点は、遊離フッ化物イオンにおける実質的減少により示唆され、フッ化物イオン特異電極（ＩＳＥ）を介して検出される。本方法は、他の錯化剤の分析に用いることができる。
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無電解ニッケルメッキ浴で使用するためのポリテトラフルオロエチレン分散液に、低粘性シリコーングリコール界面活性剤をグリセリンと一緒に添加する。この改良されたメッキ浴は、メッキ浴が古くなるにつれても機能し続け且つ付着物中にＰＴＦＥを２０容量％以上を有する無電解ニッケル付着物を生成する安定なＰＴＦＥ分散液を生成する。 （もっと読む）