【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が１１〜１６質量％であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれＸ及びσとしたときに、（３×σ×１００）／Ｘの値が１０以下であるめっき膜５０、並びに当該めっき膜５０を備えるモジュール基板１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】CNT（カーボンナノチューブ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液を提供する。
【解決手段】無電解Cuめっき液は、CNTと、該CNTを分散させる、ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースとからなる分散剤とを含む。ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースの添加量は、それぞれ1.0×10−３Ｍ〜2.0×10−３Ｍ程度が好適である。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

【課題】複数の被めっき物をめっきしつつ、被めっき物に対するめっき液の温度及び所定成分の濃度のばらつきを低減でき、且つ廃液量の削減を図ることが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】制御装置３１は、第１〜第５のめっき槽２，３，４，５，６のうち補給対象となる１つのめっき槽に対応する分析用バルブを開状態に設定するとともに分析用ポンプを駆動し、１つのめっき槽内のニッケルめっき液３３を分析部４１に供給し、分析部４１の分析結果に基づいて１つのめっき槽内のニッケルめっき液３３中の所定成分の濃度を所定の濃度にするために加える補給液の供給量を算出し、算出した供給量の補給液を１つのめっき槽に供給する分析補給処理を実行する。制御装置３１は、予め定められた補給順序に従って補給対象となるめっき槽を順次変更して分析補給処理を繰り返して実行する。 （もっと読む）

【課題】表面清浄化処理（脱脂）と塗装下地処理とを同一工程で行う金属表面処理技術において、塗装工程において優れた塗膜密着性及び耐食性を達成可能な手段を提供する。
【解決手段】Ｂｉイオン１０〜１０００ｐｐｍおよび３価Ｆｅイオン１００〜２０００ｐｐｍを含有し、［２×Ｂｉイオン濃度＋３価Ｆｅイオン濃度］が５００〜３０００ｐｐｍであり、更にＢｉおよびＦｅを可溶化するに充分なキレート剤および界面活性剤を含有するｐＨ３〜１４の水溶液を用いて金属表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】めっき下地の表面であって非回路となる部分について、レーザー光の照射による除去が困難な部分と、マスク材の被覆が困難な部分との双方が存在する場合にも、電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体１に施した無電解銅めっき２の表面において、レーザー光３の照射による除去が容易な非回路となる部分２２ａ〜２２ｄについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材４で被覆する。レーザー光３の照射によって除去されず、かつマスク材４で被覆されていない回路となる部分２１に電解銅めっき５を積層した後でマスク材４を溶解除去する。電解銅めっき５によってカバーされた回路となる部分２１以外の無電解銅めっき２をエッチング液で除去する。 （もっと読む）

【課題】処理液に含まれる成分の濃度を適切に制御し、当該処理液を用いた被処理物の均一な表面処理を提供する。
【解決手段】メッキ液を用いてウエハ１３を表面処理する無電解メッキ装置１００は、処理槽１及び循環ライン３内を循環するメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第１濃度計４と、第１の濃度計とは異なる位置におけるメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第２濃度計５と、第１濃度計４及び第２濃度計５が検出した成分濃度又はこれらの成分濃度差が、所定の目標値になるように、処理槽１内及び循環ライン３内のメッキ液の流量を調整する制御部１４とを備えている。 （もっと読む）

基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び／又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに／あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに／あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水１Ｌに、次亜リン酸を１１０〜１３０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを９８〜１２０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを４５〜６０ｇ／Ｌ、硝酸鉛を０．００５〜０．０２５ｇ／Ｌ、チオ尿素を０．００３〜０．０２３ｇ／Ｌ、リンゴ酸を７０〜９５ｇ／Ｌ、さらに、ｐH緩衝剤として苛性ソーダを３０〜５０ｇ／Ｌ溶解させて、ｐＨ４．８〜５．３に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金をエッチングし、またすずめっきをする際の密着性を良好にする。
【解決手段】エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物０．００１〜０．１モル／ｌ、前記アミン化合物は０．０５〜５モル／ｌ、前記無機硫黄化合物０．０１〜０．１モル／ｌ、前記次亜リン酸化合物は０．０５〜１．０モル／ｌ、前記ギ酸またはギ酸化合物は０．００１〜０．１モル／ｌであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子（単一粒子）で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】 基板上に被覆されたレジストに形成された単数または複数のマイクロメートルオーダー、特に１００μｍ以下の素地露出部の幅を有する高さ３μｍ以上の開口部を短時間で埋設することができる無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、１００μｍ以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れたアルミニウム酸化物膜を有する積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム源を含有し、かつ、分極率の値の差が５以下である状態の溶媒を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上にアルミニウム酸化物膜を形成することを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】パラジウムを０．１〜ｇ／０．４Ｌ含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比（錯化剤／パラジウム）が２５〜２５０となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。
【解決手段】非シアンの亜硫酸金塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸、ベンゾトリアゾール化合物、硫黄を含有するアミノ酸化合物、ヒドロキノンを所定の濃度で含有しためっき液を使用する。 （もっと読む）