【課題】プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】ステージ１６の側面からグランド電位の防着板１９の側面までの最短距離をΔＤとし、ステージ１６の上面の延長面から防着板１９の底面までの最短距離をΔＨとし、ターゲット１５の直径とステージ１６の直径との差の１／２をΔｄとする場合、Δｄ＜ΔＤ及びΔＤ＜ΔＨの関係を満足するように、防着板１９及びステージ１６を配置、構成すること。この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから金属元素を金属の状態で放出させて成膜するメタルモード成膜を安定化させる。
【解決手段】プラズマ生成室から基板に向かいプラズマの流路において、プラズマ中の酸素活性種の流れを制御することによって、ターゲット表面での急激な酸化を抑制するともに、基板表面での酸化反応を促進し、メタルモード成膜を安定化させる。反応室内に、プラズマが基板に向けて流れる流路に沿って配置するターゲット電極と、プラズマに流れを制御するシールドとを備え、シールドによりプラズマ中の酸素活性種の流れを制御する。基板方向に向かうプラズマとターゲット方向に向かうプラズマの流動比率を変更することによって、ターゲット表面に向かう酸素活性種の量を抑制すると共に、基板に向かう酸素活性種の量を相対的に増大させ、ターゲット表面での急激な酸化を抑制し、基板に向かう酸素活性種の量を増すことで基板表面での酸化反応を促進する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せを含む蒸着装置を本明細書において説明する。ここでは、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せは表面を有し、表面の少なくとも一部分は規則的な深さパターンを有する。また、コイル、コイルセットまたはコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置の製造方法も本明細書で開示され、この製造方法は、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せを用意するステップであって、少なくとも１つのコイル、少なくとも１つのコイルセット、少なくとも１つのコイル関連装置、少なくとも１つのターゲット関連装置、またはそれらの組合せが表面を有する、ステップと、パターン成形工具を用意するステップと、表面の少なくとも一部分に規則的な深さパターンを形成するためにパターン成形工具を使用するステップとを含む。
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【課題】同軸型真空アーク蒸着源を用いた真空処理装置における蒸着量のバッチ毎の再現性を改善し、その安定化を提供する。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源５は、環状のトリガ電極１３と、カソード電極１２と、カソード電極１２に接続される一端部と、一端部と反対側の他端部とを有し、一端部と他端部の少なくとも一方が面取りされた円柱状の蒸着材料１１と、トリガ電極１３と蒸着材料１１の間、及びトリガ電極１３とカソード電極１２の間に配置された絶縁碍子１４と、トリガ電極の周囲に配置され、一端に開口を有する筒状のアノード電極２３とを具備する。これにより、蒸着材料１１が消耗しても、その端部周縁の曲面が維持された状態となるので、蒸発粒子の出射角が安定し、蒸着の再現性が改善する。 （もっと読む）

【課題】蒸着法による成膜を行う場合において、所望の蒸着材料のみが蒸着されることを可能にし、蒸着材料の利用効率を高めることによって製造コストを低減させると共に、均一性の高い膜を成膜することが可能な蒸着用基板を提供する。
【解決手段】基板上に開口部を有する反射層を形成し、基板および反射層上に透光性を有する断熱層をそれぞれ分離形成し、断熱層上に光吸収層をそれぞれ形成し、光吸収層上に材料層をそれぞれ形成することによって得られる蒸着用基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において、正確な蒸着レートを安定的に計測して、この蒸着レートに基づいて高精度な蒸着膜を形成する。
【課題手段】真空蒸着装置は真空チャンバ１内に蒸着材料２を収容する蒸発源３と被蒸着体４とが、蒸発源３と被蒸着体４との間には蒸着材料２が気化される温度に加熱された筒状体５が配置される。また、真空蒸着装置は蒸着膜厚を計測する膜厚計測部６と、筒状体５と膜厚計測部６との間を接続する誘導路７とを備え、誘導路７は屈曲部７１を備えると共に蒸着材料２が気化される温度に加熱される。この構成によれば、蒸着材料２が誘導路７内に堆積せず、膜厚計測部６は筒状体５からの輻射熱を受け難くなり、突沸が生じても塊状の蒸着材料２が膜厚計測部６に付着しない。そのため、真空蒸着装置は正確な蒸着レートを安定的に計測でき、これに基づいて高精度な蒸着膜を形成することができる。 （もっと読む）

第１の銀含有金属窒化物被覆を有する、ヒト体内組織と接触した状態で使用するための金属製生物医学的物品、好ましくは、整形外科用インプラント、器具または道具、およびそれらを作製するための方法を提供する。
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【課題】磁場フィルタ付カソーディックアーク放電を用いた磁気ディスク炭素保護膜の形成方法において、粒径が１ミクロンメートル未満の荷電性異物の発生を抑制する。
【解決手段】炭素を主成分とするカソード１３のアーク放電によりプラズマを発生し、発生したプラズマを第１の磁場ダクト１７により保持し、第２の磁場ダクト１８により処理室２７に輸送し、処理室に配置された磁気ディスク基板２３に炭素保護膜を形成する。このとき、第１の磁場ダクト１７により発生する磁束密度の方向１６に対して第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度の方向１７を反対方向とし、第１の磁場ダクトと第２の磁場ダクトの間に生成される零磁束平面１２が、カソードの最表面１１と空間的に一致するように、第１磁場ダクト１７及び第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の材料を用いて形成された、太陽電池の上部電極をなす透明導電膜の表面抵抗を低下させるとともに、可視光線の透過性を良好に保ち、光電変換効率を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することにより中間電極やバッファ層を形成する工程を備え、この中間電極やバッファ層の形成工程では、水素ガス、酸素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む雰囲気中にてスパッタを行う。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴを基板上に直接合成する触媒ＣＶＤ法で、そのカイラリティを制御すること、特に金属的性質を示すアームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することは極めて困難である。そこで、本発明の目的は、金属的性質を有するアームチェア型ＣＮＴを選択的に基板上に直接合成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、ＣＮＴ合成時に触媒として作用する金属として準結晶組成から成るアルミニウム３元合金を用いて、それを熱処理することにより準結晶相を有する微粒子を形成して、その合金微粒子を触媒として用いる触媒ＣＶＤ法により、アームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ガラス基板のマスク部及び成膜部との温度差を低減し、基板割れの
生じにくい基板トレイおよび基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置の内部に、基板を保持して搬送され、薄膜材料源と対向して配置さ
れる基板トレイであって、薄膜材料粒子が通過する開口を有するトレイと基板との間に、
所定の形状に薄膜を形成するためのマスクを配置する構成とし、前記マスク両表面に表面粗さＲaが３〜１０μｍの凹凸を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】塩素ガスを使用することなく、金属微粒子を安全にかつ安価に生成する方法等を提供する。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバー６内に銅ターゲット２を設置し、チャンバー６内の圧力を１３Ｐａ以上とした状態でチャンバー６内にプラズマ１００を生成して銅ターゲット２をスパッタすることにより、銅微粒子１０１ａ，１０１ｂを生成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】インライン方式のマグネトロンスパッタリング装置において、長大化することなく、被成膜基板の全面に形成される膜の膜厚分布を簡単に精度良く調整できるマグネトロンユニットを備えたマグネトロンスパッタリングを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置のマグネトロンユニットは、磁性体からなるヨーク板の両端部に設けられた同じ極性の第１の磁石と、ヨーク板の中央部に設けられ第１の磁石とは極性が異なる第２の磁石と、からなる複数の第１のマグネットエレメントと、複数の第１のマグネットエレメントの各々が一方向に移動できるように移動部が配置されたベースプレートと、ベースプレートの両端部にそれぞれ固定された磁性体からなるヨーク板と、ヨーク板上に配置され第２の磁石と同じ極性の磁石と、磁石の上に配置され第１の磁石と同じ極性の磁石と、からなる第２のマグネットエレメントと、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の比較的大面積の基板に成膜が可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板４ａ，４ｂの表面に、同時に成膜が可能なスパッタリング装置Ｘ_０であって、基板４ａ，４ｂの表面に成膜される薄膜の材料から構成されたターゲット２と、ターゲット２と対向して配置される基板４ａ，４ｂを保持可能に構成された基板ホルダ３ａ，３ｂと、基板４ａ，４ｂをそれぞれ保持する複数個の基板ホルダ３ａ，３ｂを取り付けた成膜トレー１と、を有し、基板４ａ，４ｂは、基板４ａ，４ｂが成膜トレー１に対し所定の角度（α）を有するように傾斜させて基板ホルダ３ａ，３ｂに取り付けられたスパッタリング装置Ｘ_０。 （もっと読む）