【課題】ターゲット交換に伴う非稼動時間を短縮する。
【解決手段】スパッタリングターゲットと成膜のための基板とが配置される成膜室を有したスパッタリング装置において、退避位置から作用位置へ移動することにより成膜室を互いの間が気密な２つの空間に区画し、かつ作用位置から退避位置へ移動することにより成膜室の区画を解除する可動の仕切りを設け、作用位置を成膜室における基板の配置される領域とスパッタリングターゲットの配置される領域との間の位置とし、区画された２つの空間のうちの基板が配置される領域を含む一方の空間を真空に保った状態でのターゲット交換が可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングプロセスに用いられてガラス基板上などに各種導電膜を形成する際に、その膜厚不均一などの製造不良を発生させるという問題を解消することを可能とした、複数のターゲット材ピースを接合してなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の接合部の突合せ断面形状２を、互いに隙間なく嵌め合されるような凹凸を有する組み合わせ構造に形成しておき、その組み合わせ構造を隙間なく嵌め合わせた状態で、このスパッタリングターゲット材自体が用いられる際にスパッタリング面となる表面側（おもて面側）３には前記摩擦攪拌接合を施さず、表面側３とは反対の裏面側４から摩擦攪拌接合を施して、ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士を接合する。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なＣｕ系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するＣｕ系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第１の成膜工程を経た後、前記Ｃｕターゲットに印加する電力量を第１の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第２の成膜工程を行なうＣｕ系配線膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂製成形体表面へ金属メッキを施すに当っての、その下地基盤を効率良く形成させる。
【解決手段】合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程１と、除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入し、処理槽内を１〜１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程２と、処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素等のガスを導入するガス導入工程３と、ガスの導入された処理槽内へ高周波電圧を印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程４と、プラズマ処理の施された後に処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程５と、真空圧状態に保持された合成樹脂製成形体の表面に金属製の皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程６と、からなる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板１５は、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間にターゲット１８を遮蔽するための遮蔽面１５Ｕを有し、また、回動経路Ｒに設けられてターゲット１８とシャッタ板１５との間に基板Ｓ側に向かって凹設された凹部１５Ｂとを有する。そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】
優れた耐衝撃性、耐薬品性、ハイサイクル性、寸法安定性、流動性、金属調の高級感のある光沢・深み・色調の意匠性を兼備した直接金属蒸着層とハードコート層を有する成形品用ポリエステル樹脂組成物、及び該樹脂組成物からなる成形品を提供すること。
【解決手段】
表面に金属蒸着層とハードコート層をこの順に設ける樹脂製基体用ポリエステル樹脂組成物であって、該ポリエステル樹脂組成物が、ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対してポリカーボネート樹脂（Ｂ）５〜１００重量部と、熱可塑性エラストマー（Ｃ）０．５〜４０重量部を含有してなるポリエステル樹脂組成物、及びこれを成形してなる樹脂製基体。 （もっと読む）

【課題】ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ内に設置された蒸発源１３と、蒸発源に対向して配置されたステージ１５と、ステージを面内で回転させる回転手段１８と、蒸発源に対するステージの設置角度を変化させる角度調整手段１９とを備える。そして、基板Ｗを面内で回転させるとともに、基板の表面に対する蒸発粒子の入射角が連続的に変化するように基板の傾斜角を蒸発源に対して変化させながら、基板の表面に蒸発粒子を堆積させる。これにより、基板の半径位置に関係なく、ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を高めることができる。また、これに伴って、基板面内において蒸着膜のカバレッジ特性の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。基板１５表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、１．３３×１０^-4Ｐａ以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中でイオン液体から基板上に物質を電着または無電解沈着するための方法並びに生成される物質。本発明に従うと、イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中で、望ましくない成分を含まない緻密な層を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】 レトルト殺菌、レトルト調理等の加熱処理が施された場合でも、密着性、ガスバリア性の低下を抑えることができるガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルム表面の少なくとも片面に、平均膜厚が０．００１〜１．０ｎｍの金属蒸着層が積層され、さらにその上に、平均膜厚が５〜１００ｎｍの無機酸化物からなる蒸着層が積層され、さらにその上に、厚さが０．０１〜５μｍの水溶性シリコン系樹脂が積層されたガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】成膜フィルムの熱負けを防止できる巻取式成膜装置を提供する。
【解決手段】基体フィルム２２を主ローラ１２と密着させながら、成膜源１６₁〜１６₃から導電性粒子を到達させ、基体フィルム２２上に導電性薄膜を形成する巻取式成膜装置において、導電性薄膜と接触するガイドローラ１３ｃを浮遊電位に置く。また、導電性薄膜が巻取軸１８と接触しないようにするか、巻取軸１８を絶縁性材料で形成する。導電性薄膜に電流が流れないので、ジュール熱の発生が無く、成膜フィルム２３に熱負けが発生しない。 （もっと読む）

クラスターチャンバーとリニアソースとを組み合わせたシステムおよび方法が説明されている。複数のウェハがパレット上に搭載される。クラスターチャンバー内の中央ロボットは、クラスターチャンバーに接続されたチャンバーの間でパレットを移動する。クラスターチャンバーに接続された少なくとも１つのチャンバーは、リニアデポジションソースを有し、パレットはリニアデポジションソースに対して移動可能である。
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【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）