基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
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【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＯ等のファインピッチ化に好適なエッチング性に優れ、特にエッチング残渣が残らない金属被覆ポリイミドフィルム基板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面に、スパッタリング法又は蒸着法により形成したＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１金属層と、スパッタリング法又は蒸着法により形成した銅からなる第２金属層と、電気めっき法及び／又は無電解めっき法により形成した銅めっき被膜とを、この順に積層した構造を有する金属被覆ポリイミドフィルム基板であって、銅からなる第２金属層の結晶子径が４２０〜５５０Åに制御してある。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する。 （もっと読む）

【課題】両面フレキシブル配線基板の狭ピッチ配線が可能な、真空成膜による工程を経て製造される長尺樹脂フィルムの両面に金属膜を積層した基板の製造方法と製造装置を提供することにある。
【解決手段】長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を真空成膜して長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を積層させた基板の製造方法において、長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を真空成膜した後に、該金属薄膜のうち少なくとも一方の金属薄膜の表面に有機物液体膜を形成し、金属薄膜積層基板を巻き取ることを特徴とする基板の成膜方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板３４Ｂおよびターゲット３５Ｂを格納する真空成膜室３０と、カソードユニット４１を有して、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電により、真空成膜室３０内にプラズマ２７を形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、ターゲット３５Ｂにバイアス電圧を印加するバイアス電源５２と、を備え、プラズマ２７中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット３５Ｂの材料が基板３４Ｂにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流ＩＤがプラズマガン電源５０を用いて調整され、かつ、バイアス電圧ＶＢがバイアス電源５２を用いて調整されている。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁石を必要とせず、磁石の表面の磁束密度を容易に均一化する磁石ホルダを備えるスパッタリング装置を安価に提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置が、プラズマガンと、プラズマ形成室と、一対の磁石１１Ａ，１１Ｂと、一対の磁石ホルダ２５Ａ，２５Ｂと、真空成膜室と、電磁コイルと、電源と、を備え、前記一対の磁石ホルダは、それぞれ、その有効主面に対向する第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂと、前記有効主面以外の部分に対向する第２の構成部材２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂと、を有し、第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂが磁性材料からなる。 （もっと読む）

【課題】
永久磁石による反発磁界の幅を狭めることなく、シートプラズマの傾きを調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置１は、円柱状のプラズマＰを出射するプラズマガン２と、円柱状のプラズマＰを挟んでＮ極の磁極面が対向するように配置された一対の永久磁石７Ａ、７Ｂで構成され、円柱状のプラズマＰをシート状に変形させる永久磁石対７と、少なくとも一方の永久磁石７Ａ、７ＢのプラズマPに対向する面に配置され、かつ、一対の永久磁石７Ａ、７Ｂの対向方向（Ｙ方向）からみて円柱状のプラズマＰの中心軸Ｔに対し非対称に配置された磁性部材８と、シート状のプラズマＰを利用して成膜が行われる成膜室９と、を備えている。 （もっと読む）

複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってＴａＮ層（４）を被着し、ターゲットから基板（２）へ反応的にＴａをスパッタしてＴａNシード層（４）を形成する方法から成る。Ｔａ層（５）は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板（２）を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記ＴａＮシード層（４）の上に被着され、前記基板（２）に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体（１）を被着する方法。
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【課題】均一な蒸着層を容易に形成することができる真空金属蒸着方法およびその真空金属蒸着方法を実施するための真空金属蒸着装置を提供する。
【解決手段】高耐熱性金属支持体および高耐熱性金網が重ね合わされ蒸着金属材料がそれらの間に保持されている蒸着用ボートを用いて、該蒸着用ボートの高耐熱性金網側を下方に向けて該蒸着用ボートを蒸着用真空容器の上部に配設すると共に、該蒸着用ボートの下面側である高耐熱性金網側と被蒸着体の上面側である被蒸着面側とを対面させて該蒸着用真空容器の下部に被蒸着体を配置し、次いで、電気抵抗により該蒸着用ボートにおける高耐熱性金属支持体を発熱させることにより該蒸着用ボートに保持されている蒸着用金属材料をその沸点以上まで加熱して溶融状態となして真空状態で高耐熱性金網の目から被蒸着体に向かって蒸発・拡散させ、前記の被蒸着体の被蒸着面側に蒸着用金属材料を短時間で蒸着させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材ピース同士を摩擦攪拌接合する際に生じる虞のあった接合不良の発生を低減または解消して、確実に接合されることを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 このスパッタリングターゲット材は、複数枚のターゲット材ピース１（１ａ、１ｂ）同士を突き合わせて当該突き合わせ部を摩擦攪拌接合２により接合して１枚板状に形成してなるスパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の突き合わせ部がそれぞれ、当該ターゲット材ピース１ａ、１ｂの厚さ方向に凹凸した形状で互いに噛み合うように嵌合する噛み合わせ構造３ａ、３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、移動する長尺のＰＩフィルム上に、グロー放電又はコロナ放電等のプラズマ放電処理を行った後、スパッタリング及びメッキ処理を用いて連続的に銅層を形成するメタライジング２層銅張積層板の製造に際し、ＰＩフィルム上の異物を減少させることにより、ＣＣＬのピンホール及びＣＣＬの凹凸欠陥を低減することができる２層銅張積層板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】移動する長尺のポリイミドフィルム上に、グロー放電又はコロナ放電等のプラズマ放電処理を行った後、スパッタリング及びメッキ処理を用いて連続的に銅層を形成する２層銅張積層板の製造に際し、プラズマ処理の前及び／又は後に、空気吹付けによる乾式洗浄を行うことを特徴とする２層銅張積層板の製造方法及び前記ポリイミドフィルム上に形成した銅層のサイズ２０ミクロン以上のピンホール個数を＜１個／ｍ^２、深さまたは高さ１ミクロン以上の凹凸欠陥個数を＜５個／１００ｃｍ^２とした２層銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを効果的に防止でき、特に、半導体チップ等を搭載させた場合にも、位置合わせや抵抗増加の問題が生じないプリント配線板用基材、銅張積層板およびフレキシブル銅張積層板ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性１２、１３を有する表面に、複数の金属めっき層１６、１７、１８を積層し、かつこれら複数の金属めっき層を、少なくとも表層１８のエッチングレートが基材表面に接触している底層１６よりも小さいプリント配線板用基材１とした。また、プラスチックフィルム１１の導電性を有する表面に、プラスチックフィルムから露出表面に向けて銅よりもエッチングレートの小さい金属を漸次または段階的に多く含有する金属めっき層１６、１７、１８を形成したフレキシブル銅張積層板１とした。 （もっと読む）

ワークピース上への材料のプラズマ支援物理的気相堆積において、金属ターゲットは、ワークピースの直径未満の、ターゲットからワークピースまでの間隔を横断してワークピースに面する。キャリアガスは、チャンバー内に導入され、チャンバー内のガス圧力は、平均自由行程が前記間隔の５％未満である閾値圧力以上に維持される。ＶＨＦ発生器からのＲＦプラズマ源電力は、ターゲットに容量結合プラズマを発生させるためにターゲットに印加され、そのＶＨＦ発生器は、３０ＭＨｚを越える周波数を有する。プラズマは、ワークピースを通ってＶＨＦ発生器の周波数での第１のＶＨＦ大地帰還経路を提供することによってワークピースまで前記間隔を横断して広げられる。
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