【課題】アンダーバンプメタルのＣｕの膜質のバラツキを抑制してサイドエッチ量のバラツキを低減する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハに形成された半導体チップにアンダーバンプメタルを蒸着するスパッタ装置内の温度を判定する判定ステップと、前記スパッタ装置内の温度がアンダーバンプメタルの蒸着に適した所定温度以上でないと判定したときに、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入するダミーウエハ投入ステップと、前記スパッタ装置にダミーウエハを投入して前記スパッタ装置内の温度が前記所定温度以上となったと判定したときに、前記半導体ウエハを前記スパッタ装置に投入する半導体ウエハ投入ステップと、を有する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、反応室と、前記反応室の内部に配置され、所定の金属材料からなるターゲットと、前記反応室の内部に前記ターゲットと離間して配置され、貫通孔が形成された基板を保持する基板保持部材と、前記基板の成膜面の背面側に位置する前記反応室の壁面に設けられ、前記反応室の内部に気体を供給する気体供給口と、を備え、前記気体供給口から前記基板の貫通孔を通して前記反応室の内部に前記気体を供給する。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】 ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内にターゲット５を配置した後、真空チャンバを真空引きし、不活性ガスを導入して低真空領域に保持し、真空チャンバを加熱してベーキングする工程と、低真空領域から高真空領域まで更に真空引きする工程と、高真空領域に達すると、真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共にターゲットに電力投入し、ターゲットの積算電力が所定値に達するまでターゲットをプレスパッタする工程とを備える。そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用の基板等の運動を適切に制御できるパラレルリンク機構およびパラレルリンク機構を備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】リンク部１２０は、アクチュエータ４５Ａが配された伸縮装置４５と、支柱４６と、を含み、伸縮装置４５が、一対の板部材４９、４８間において並列に配されて、伸縮装置４５のそれぞれが、アクチュエータ４５Ａの駆動力により軸方向に伸縮可能に構成され、支柱４６は、両板部材４９、４８間において伸縮装置４５と並列に配されて、アクチュエータ４５Ａの駆動力を一対の板部材４９、４８を介して伝達することにより軸方向に伸縮可能に構成される。板部材４９は、伸縮装置４５の一方の軸端に継手４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを介して連結され、支柱の一方の軸端に継手４３を介して連結される。板部材４８は、伸縮装置４５の他方の軸端に継手４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを介して連結され、支柱４６の他方の軸端に固定される。 （もっと読む）

【課題】 両面積層基板の生産効率を低下させることなく、第１の金属膜の表面と第２の金属膜の表面とがくっつく不具合や、しわが生じる不具合等を防ぐことができる成膜方法を提案する。
【解決手段】 減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムＦの両面に金属膜を成膜する両面積層基板の成膜方法であって、有機樹脂フィルムＦの一方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第１の金属膜を成膜し、この第１の金属膜の表面に乾式表面処理手段１１により酸化膜を形成した後、有機樹脂フィルムＦの他方の面に乾式めっき法である成膜手段１３ａ、１３ｂにより第２の金属膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの銅合金配線膜および銅合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて成膜したＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】接合部と非接合部との間でターゲットエロージョンの進行の相違が低減された無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る無酸素銅スパッタリングターゲット材１は、純度が３Ｎ以上の無酸素銅からなる銅材から形成され、平均結晶粒径が０．０４ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である第１の板材２０及び第２の板材２２と、第１の板材２０と第２の板材２２との間に、第１の板材２０及び第２の板材２２から形成され、平均結晶粒径が０．０４ｍｍ以上０．０６ｍｍ以下である接合部１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型基板へ成膜でき、電極配線の電気抵抗の低減に対応できると共に、均一なスパッタリングができる大型サイズの無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る無酸素銅スパッタリングターゲット材１は、純度が３Ｎ以上の無酸素銅からなる第１の板材２０及び第１の板材２０と同一材料から構成される第２の板材２２と、第１の板材２０と第２の板材２２との間に第１の板材２０及び第２の板材２２から形成される接合部１０とを備え、第１の板材２０及び第２の板材２２並びに接合部１０はそれぞれ、平均結晶粒径が０．０２ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下の平均結晶粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた耐摩耗金属体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化タングステン粒子２１を結合相２２によって結合してなる超硬合金２の表面を酸によってエッチングして結合相２２の一部を除去したエッチング表面を形成するエッチング工程と、その後、チャンバー内に超硬合金２と共に配置した銅ターゲットに電子ビームを照射することによって銅をガス化し、ガス化した銅をエッチング表面において液化させて炭化タングステン粒子２１の粒界に含浸させる銅含浸工程とを行う。これにより、超硬合金２の表面に、炭化タングステン粒子２１が銅２３によって結合された改質表層１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】
ほぼ無限に存在する架線等の淡水と、海等の塩水との塩分濃度差を利用した発電システムにおいて、コンパクトなシステムで、大容量の電気エネルギーを取り出したり、任意の高電圧を容易に得られるようにする。
【解決手段】
淡水と塩水をそれぞれ水滴として落下させて空気の絶縁性を利用したり、絶縁体製弁体、弁座、弁箱を用いた弁を会在させたりして、給水路や排水路を介しての電気的短絡を防止し、単位起電力を発生する多数のセル間の電気的短絡を防止する構成を用いる等で解決する。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、清浄化処理を施した前記銅箔の張り合わせ面に、乾式成膜法で融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて形成した表面処理層を備えることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できる銅スパッタリングターゲット材及びスパッタリング方法提供する。
【解決手段】本発明に係る銅スパッタリングターゲット材１０は、一の結晶方位面と他の結晶方位面とを有し、銅材からなるスパッタ面１２を備え、一の結晶方位面は、加速された所定の不活性ガスイオンの照射により他の結晶方位面から弾き出されるスパッタ粒子のエネルギーより大きいエネルギーのスパッタ粒子を放出し、一の結晶方位面と他の結晶方位面との総和に対する一の結晶方位面の占有割合は、１５％以上である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、従来より高精度の組成比変化にて、多元化合物を一
度の蒸着にて生成できる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の多元化合物作製装置は、一つの蒸着室内に、蒸着材料を蒸発させる材料蒸発機構と、前記材料蒸発機構からの蒸気により蒸着される基材を保持する基材保持部と、この基材保持部と前記材料蒸発機構との間に配置した蒸気通過用開口部を持つマスクと、このマスクを前記基材の蒸着面に沿って移動させるマスク移動機構とを有する多元化合物作製装置であって、前記マスクと基材に蒸着面との間隔を調整する間隔調整手段が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高融点の金属材料または非昇華性材料からなる蒸着性材料からなる薄膜を被成膜体に対して安定して形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１０は、被成膜体１３が配置された真空チャンバー１２と、蒸着性材料２０を収納するるつぼ１９と、プラズマビーム２２をるつぼ１９内の蒸着性材料２０に向けて照射する圧力勾配型プラズマガン１１とを備えている。るつぼ１９に、蒸着性材料２０を１０００℃乃至２５００℃の範囲内で加熱できる加熱機構４０が設けられている。プラズマビーム２２を蒸着性材料２０の表面に導き、真空チャンバー１２内の被成膜体１３上に薄膜２０ａを形成する。 （もっと読む）