【課題】膜の結晶配向性及び結晶粒度を適宜に調節可能とする。
【解決手段】非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、処理室１１が形成された真空容器１０と、処理室１１内に配設され、基板Ｓを保持する基板保持部２と、処理室１１内に配設され、ターゲットＴを保持すると共にターゲットＴの表面側に磁界を形成するマグネトロン電極３と、基板Ｓに電圧を印加するバイポーラパルス電源１５と、マグネトロン電極３を介してターゲットＴに電圧を印加する可変直流電源１７とを備えている。バイポーラパルス電源１５は、基板Ｓに対して、負の電圧と正の電圧とを交互に印加する。 （もっと読む）

【課題】 何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、前記基板に対向配置されるターゲット２と、前記ターゲットに負の直流電位を印加するスパッタ電源Ｅ１と、前記ターゲットの前方空間を囲うように配置され、正の電位が印加されるアノードシールド４と、前記真空チャンバ内に所定のスパッタガスを導入するガス導入手段６、６ａとを備える。更に、直流電源からターゲットへの出力回路に並列にＬＣ共振回路８を有する。 （もっと読む）

【課題】電極を備えた透明基材を提供する。
【解決手段】特にはガラス製であり、特には太陽電池用の電極を備え、厚さが多くとも５００ｎｍ、特には多くとも４００ｎｍ、多くとも３００ｎｍ、又は、多くとも２００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成る透明基材が提供される。好ましくは、モリブデンに基づいた層が、少なくとも２０ｎｍ、特には少なくとも５０ｎｍ、又は、少なくとも８０ｎｍの厚さで、更に好ましくは、特にアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が前記基材と前記電極の間に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】水分等による腐食を防ぐことにより、耐久性を向上させて銀系光反射鏡の高反射率という利点を長期間維持できる光反射鏡及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水分に対する耐腐食性が銀より優れる、所定の銀合金を使用し、さらに、形成される各構成膜の密着性および緻密性を高めることによって、高反射率と高耐久性を両立させ得る多層膜構造の銀合金光反射鏡及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板において、配線層の酸化を防止し、接続不良を防止する。
【解決手段】 ガラス基板１１の温度を２００℃に設定し、インラインスパッタ成膜法にて、１０^−７Torrで、スパッタガスとして、水素ガスを５ｖｏｌ％添加されたＡｒガスを用いて、Ｃｒ膜を７００Å、Ｃｕ膜を６μｍ、およびＮｉ膜を７００Åの膜厚で順次成膜して、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ多層配線層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】 ロール・ツー・ロール真空成膜装置内のロールに付着している異物を除去する簡単且つ有効な清掃方法、並びに、これにより金属層の微小な凹凸欠陥の発生を削減することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも長尺樹脂フィルムＦの幅と同じ幅を有し且つ貼り剥がし可能な長尺粘着シートを、真空成膜室１の内部に設けたキャンロール６などの各ロールに沿って搬送させ、各ロールに付着している異物を除去する。その後、長尺樹脂フィルムＦを清掃済の各ロールに沿って搬送させ、長尺樹脂フィルムＦの表面に金属薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 （もっと読む）

【課題】超塑性材料からなる芯材の表面に金属被膜を積層形成し、その後、芯材を除去することによる穴つまりのない極細パイプを容易にかつ安価に製造する方法の提供。
【解決手段】芯材２の表面に金属被膜３を積層形成し、積層形成した金属被膜を残して芯材を除去することにより極細パイプ１を製造するに際し、芯材は超塑性材料からなり、芯材の表面に金属被膜を積層形成した後、芯材及び金属被膜を超塑性を示す温度域に加熱し、超塑性現象を発現する超塑性領域で芯材を塑性変形によって除去してなる。 （もっと読む）

【課題】金属層の引張り応力の増大による不具合を防止することが可能な銅蒸着基材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅蒸着基材１００は、絶縁層１上に、密着強化層３を介して銅からなる金属層２が形成された構成を有する。金属層２は、真空蒸着によって形成され、複数の銅粒子により構成される。金属層２を構成する全ての銅粒子の表面積の合計に対して、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒径を有する銅粒子の表面積の合計の比率は、７％以上である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの電気伝導性があるフィルム20を基板30上に蒸着するための方法に関する。当該方法は − フィルム材料の層10であって、当該層10はマスク部40を前面11に有し、当該層10と当該マスク部40とは一つの部分である、フィルム材料の層10を選択するステップと、 − 前記層10の前面11を基板30上に位置決めするステップと、 − 溶解液滴110が前記基板30の方へと推進され、当該基板30上に蒸着されて前記フィルム20を形成し、前記マスク部40にある少なくとも一つの溝45が前記溶解液滴110の飛散を制限するよう前記層10の少なくとも一部を溶解し蒸発させるために、少なくとも1回のレーザパルス120を前記層10の背面12上へ印加するステップと、を含んでいる。
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【課題】 薄型化が図られた誘電積層体を提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電積層体５２は、基板１２上に形成された第１の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び第２の電極膜５０Ｃで構成されるものである。つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であった誘電積層体の薄型化は、例えば、スパッタリング等の成膜技術を利用することによって実現される。ここで、第１の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び第２の電極膜５０Ｃは、一方向にずれた状態で順次積層されているため、この誘電積層体５２は、第１の電極膜５０Ａの表面の一部が十分に露出しており、第１の電極膜５０Ａと外部電極との接続を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅（Ｃｕ）からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン（Ｍｎ）に対する酸素（Ｏ）の組成比率（比率ｙ／ｘ）を２未満とするマンガン酸化物（組成式：Ｍｎ_xＯ_y（比率ｙ／ｘ＜２））を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ビフェニルテトラカルボン酸系のポリイミドフィルム表面に金属薄膜を形成した金属薄膜積層ポリイミドフィルムを加熱条件下あるいは加湿条件下に置いた後でも剥離強度の低下が少ないポリイミドフィルムの表面処理方法、および金属薄膜を有するポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 ビフェニルテトラカルボン酸成分を有するポリイミドフィルムの表面を過マンガン酸カリウムおよび／または過マンガン酸ナトリウムと水酸化カリウムおよび／または水酸化ナトリウムとを含む溶液で処理した後、酸処理することによって金属との接着力を改善する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内に浮遊する粒子の観察窓への付着を防止でき、真空チャンバ内の広範囲を連続観察が可能な観察窓を有する真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置の観察窓２は、真空チャンバ壁１ａに取り付けられ外壁接続部分２１と外壁接続部分２１に連通する筒状体１０と、筒状体１０の内部に軸方向を一致させて挿着したハニカム構造柱状体１１と、筒状体１０の外側端部に組み込まれた窓材１２で構成されている。外壁接続部分２１は可撓管なので、筒状体を真空チャンバ壁１ａの法線方向で前記法線を中心に０°として−４５°以上から４５°以下の範囲に傾けることができる。ハニカム構造柱状体長さに対するハニカム断面最長対角線長さの比は０.０８５以下が好ましい。ハニカム構造柱状体のハニカム断面最長対角線長さは１０ｍｍ以上、ハニカム構造柱状体長さは１０００ｍｍ以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、チタン（Ｔｉ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング堆積膜のカバレッジ性を適切かつ充分に改善できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板７０およびターゲット３５Ｂが配された真空成膜室３０と、基板７０とターゲット３５Ｂとの間の真空成膜室３０の成膜空間３０Ａにプラズマ２７を誘導するプラズマガン４０と、成膜空間３０Ａに配された偏向電極６０と、偏向電極６０に正電圧を印加する第１電源５０と、ターゲット３５Ｂに負電圧を印加する第２電源５２と、を備える。そして、このような正負電圧に基づいて、プラズマ２７からターゲット３５ＢにドリフトするＡｒ⁺のターゲット３５Ｂへの入射方向が制御されている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング法などの真空成膜法により樹脂フィルムに金属膜を成膜する際に、樹脂フィルムのシワの発生を抑制することができ、実質的にシワのない金属積層樹脂フィルム基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム上に真空成膜法により金属膜を形成する際に、内部に温度１２０〜３００℃の温媒を循環させたキャンロール４に樹脂フィルムＦの裏面を接触させながら、樹脂フィルムＦの表面に金属膜を成膜する。樹脂フィルムＦは１５０℃以上のガラス転移点を有するものが好ましく、特にポリイミドフィルムが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ヒータなどの特別な加熱機構を必要とせず、通常の構造のスパッタリングカソード本体を使用して、液相状態に溶融したスパッタリングターゲットでスパッタリングすることが可能なスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】内部にマグネトロン磁気回路部２と冷媒流路４を設けたスパッタリングカソード本体１を有するスパッタリングカソードであって、スパッタリングカソード本体１のスパッタリングターゲット載置面上にスパッタリングターゲット６を収容する容器部材８を備えている。容器部材８の熱伝導率は１００ｗ／ｍ・Ｋ以下であって、スパッタリングカソード本体１に印加される電位によりスパッタリングターゲット６を溶融させ、液相状態のスパッタリングターゲット６で成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板９に印加されるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内にガス導入系２によってアルゴン等のガスを導入し、基板ホルダー５で基板９を保持しながら、導電材料より成るターゲット３にスパッタ電源４が電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。基板９にはバイアス電源５２によってバイアス電圧が与えられる。基板ホルダー５は、接地電位の部材として基板保持面の斜め後方にホルダーシールド５３を有し、ホルダーシールド５３の表面の堆積膜５０１と基板保持面の堆積膜５０４とが連続しないようにする膜連続防止用凹部５４を有しており、基板保持面の周縁は面取りされている。 （もっと読む）