【課題】有機ＥＬなどの成膜をおこなう成膜室に設置された防着板の取付け、取外し作業の時間を短縮し、かつ交換時の安全性を確保した成膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に材料を成膜するための成膜室と、成膜する材料を前記基板に供給する成膜材料供給源と、少なくともその一部が、前記成膜室の筐体と前記成膜材料供給源の間に設けられ、該成膜材料供給源から供給される成膜材料が該筐体に付着するのを防止する防着板１と、を備えた成膜装置において、前記防着板は、少なくとも上下方向で複数部材に分割されており、かつ、上方の防着板を下方に移動させる防着板搬送機構を備える。また、前記防着板搬送機構は、前記筐体に係合する枠と、該枠に沿って移動する第一の搬送ブロックと、前記成膜室の開口部と直交する方向に敷説されたレールと、前記レールに沿って移動する第二の搬送ブロックとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高輝度金属調外観と光透過性を両立し、尚且つ加飾工程時の環境負荷低減を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。さらには、安価で簡易的に種種の色相を持った金属調外観の付与を可能とする成型用積層体の提供を目的とする。
【解決手段】熱可塑性基材（Ａ）と、厚さ２００〜８００Åの光透過性金属層（Ｂ）と、粘着剤層（Ｃ）とを含む成型用積層体であって、３８０〜７８０ｎｍの波長領域（可視光域）における該積層体の最大反射率が４０％以上、最大透過率が２〜３０％であることを特徴とする成型用積層体。 （もっと読む）

【課題】測定時のＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第１の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第２の連結路と、が設けられ、前記第１の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第２の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】生産性向上のために高い出力での電子ビーム加熱蒸着法を利用した場合でもスプラッシュ現象を抑制でき、高いガスバリア性の蒸着フィルムを得る。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、金属マンガンもしくは酸化マンガン粉末とを含有し、珪素とマンガンの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｎ））が１．０〜１．８であり、マンガンと珪素の原子数の比（Ｍｎ／Ｓｉ）が０．０５〜０．４５である蒸着用材料を、電子ビーム加熱方式により蒸発させ、高分子フィルム基材１上に無機酸化物膜２を成膜し、ガスバリア性蒸着フィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】改良された有機材料の気化方法を提供する。
【解決手段】有機材料を気化させて表面に膜を形成する方法であって、所定量の流動化した粉末形態の有機材料を供給し；その粉末化した有機材料を計量し、流動化した粉末流として第1の部材の上に誘導し；その第1の部材を加熱して流動化した上記粉末流を気化させ；気化した有機材料をマニホールド６０内に回収し；そのマニホールドに通じている少なくとも1つの開口部９０が形成された第2の部材５０を用意し、気化した有機材料をその第2の部材によって上記表面に誘導して膜を形成する操作を含む方法。 （もっと読む）

【課題】優れた成膜精度でカルシウム層を形成することができる成膜方法、優れた成膜精度で形成されたカルシウム層を備える試験片を製造することができる試験片の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、電子ビームを照射して、基材上にカルシウム層を成膜する方法であり、カルシウムを収納するための容器５３として、凹部を有する本体部５２と、凹部に蓋をする蓋部５１とを有し、蓋部５１の厚さ方向に貫通する貫通孔５１１を備えるものを用い、本体部５２の凹部にカルシウムを収納し、凹部を蓋部５１で蓋をした状態で、電子ビームを蓋部５１に照射することで、加熱されたカルシウムが昇華することにより、貫通孔５１１を通過し、その後、基板上に、飛来することでカルシウム層が成膜されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】８００ｎｍ〜２００００ｎｍの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板１と、当該半導体基板１の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部２と、当該半導体基板２の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部３とを備えている。広帯域遮断フィルタ部２は、屈折率が異なる複数種類の薄膜２ａ，２ｂが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜２ａ，２ｂのうち１種類の薄膜２ａが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料（Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２の群から選択される酸化物もしくはＳｉ_３Ｎ_４からなる窒化物）により形成され、残りの１種類の薄膜２ｂが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるＳｉにより形成されている。半導体基板１は、Ｓｉ基板である。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に小さなマスクで蒸着すると時間がかかる。
【解決手段】 基板上に行列をなして配置された複数の区画の各々に形成されるＥＬ発光装置の製造方法であって、
列方向の全ての区画の蒸着パタンを開口として有するマスクを前記基板に対向して保持し、前記マスクを通して前記基板に蒸着物質を蒸着する工程を有し、
前記基板を前記区画の行方向に１列ずつ移動し、前記工程を繰り返すことを特徴とするＥＬ発光装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第１蒸着源と、第１蒸着源から離隔され、第１蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第２蒸着源と、第１蒸着源及び第２蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第１蒸着源及び第２蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第１蒸着源に対応する位置に備えられた第１補正板及び第２蒸着源に対応する位置に備えられた第２補正板を備える蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 蒸着マスクの弛みをより確実に防止することが可能なマスクフレームと、該マスクフレームを用いた蒸着マスク組立体を提供する。
【解決手段】 相対する高熱膨張合金の桟と、相対する低熱膨張合金の桟とで構成される矩形状の枠体であって、前記高熱膨張合金の桟は、３０〜１００℃の線膨張率（α_Ｆｈ（３０〜１００℃））が（４〜２０）×１０^−６／℃であり、前記低熱膨張合金の桟は、蒸着マスクを接合支持する支持部材となるものであって、３０〜１００℃の線膨張率（α_Ｆｌ（３０〜１００℃））が５×１０^−６／℃以下であり、且つ、α_Ｆｈ＞α_Ｆｌを満足するマスクフレーム。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】コア・シェル構造のクラスターを生成する。
【解決手段】同一パルス周期の第１レーザ51および第２レーザ52を用いる。第１レーザ51を第１ターゲット材料21に照射して第１プルームP1を発生させる。第１レーザ51の照射時から遅延時間Tdの経過後に、第２レーザ52を第２ターゲット材料22に照射して第２プルームP2を発生させる。遅延時間Tdの経過中に、第１プルームP1中にクラスターCを生成して、これに第２プルームP2を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）

【課題】防湿性、および耐ピンホール性に優れたバルーン用包材を提供する。
【解決手段】外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を３０重量％以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂薄膜を用い電子材料などを形成する際に厚みむらや欠陥があると薄膜化の効果が半減、性能不良に繋がる。薄膜の実用化には、膜質と生産性の両立が求められるが、従来の樹脂材料塗布方法は、重力による自然流動方式のため塗布したい加熱板面の範囲に対して流動させる時間を要し、また、流動する間に厚みむらや欠陥を生じ易いなど課題がある。
【解決手段】 樹脂材料の塗布方法としてニードルバルブによる吐出方法を採用することで、加熱板面上に均一な樹脂量が吐出可能となる。また。付着させる幅に応じ樹脂材料の供給点を複数個所設けることで、効率良く均一な吐出が可能となる。また、吐出粒径および吐出量の制御が可能となる。重力による自然流動方式で無いため、樹脂粘度の変化に対しても影響を受け難く、均一に吐出させながら蒸発させることで支持体に高速で安定した成膜が可能となる。 （もっと読む）