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Fターム[4M118GC09]の内容

固体撮像素子 (108,909) | フィルタ (6,179) | カラーフィルタ (3,690) | 4色 (207)

Fターム[4M118GC09]に分類される特許

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【課題】広く普及したカラーフィルタを有するイメージセンサを用いることによって安価に可視光画像と赤外光画像を分離し、あるいは合成するとともに、赤外光画像の解像度の向上をはかる。
【解決手段】CMYG4色のカラーフィルタ付きの撮像素子で撮像された赤外光を含む色信号成分からRGBを変数とする連立方程式の解を求め、RGBの可視光の信号成分と赤外光の信号成分とを分離する演算を、全ての画素に対して行ない、RGBの信号成分からなる可視光画像と、赤外光の信号成分からなる赤外光画像とを出力する。また、出力された可視光画像を、赤外光を含む輝度信号と色差信号に変換して合成出力してもよい。 (もっと読む)


【課題】二次元画素アレイを備えるイメージ・センサーを利用した電子式キャプチャ・デバイスのために光感度を向上させる。
【解決手段】カラー画像を捕獲するため、第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く、第1の画素群の個々の画素は、少なくとも2つの色のセットに対応する分光光応答を持つイメージ・センサーが開示されている。さらに、第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも12個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定している。この最小繰り返し単位は複数のセルを含んでおり、各セルは、第1の画素群の中から選択した特定の1つの色を表わす少なくとも2つの画素と、第2の画素群の中から選択した複数の画素とを持ち、それらの画素が、捕獲したカラー画像を異なる照明条件下で再現できるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板110の画素アレイ120内に設けられた単位セル形成領域UAと、単位セル形成領域UA内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素1Aと、単位セル形成領域UA内に設けられ、画素1Aからフローティングディフュージョン6に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ5と、を含む。アンプトランジスタ5のゲート電極50は、半導体基板110の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第1の埋め込み部151を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長400nm〜550nmの光に対する透過率が5%以下、分光透過率特性における50%透過率の波長範囲が620nm〜690nm、波長700nmの光に対する透過率が70%以上。補正フィルタが、C.I.ピグメントバイオレット23、C.I.ピグメントイエロー139の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 (もっと読む)


【課題】偽色の発生の抑圧及び高解像度化が可能な単板式のカラー撮像素子を提供する。
【解決手段】水平及び垂直方向に配列された光電変換素子からなる複数の画素上に、所定のカラーフィルタ配列のカラーフィルタが配設されてなる単板式のカラー撮像素子である。このカラー撮像素子のカラーフィルタ配列は、R、G、Bの全ての色のフィルタが、水平及び垂直方向の全ラインに配列された所定の基本配列パターンPを含み、この基本配列パターンPが水平方向及び垂直方向に繰り返して配置されている。特にGフィルタは、基本配列パターン内において、水平、垂直、及び斜め(NE,NW)方向の各方向(4方向)にそれぞれ2以上隣接する部分が含まれるように配置されており、これらの隣接するGフィルタに対応するG画素の画素値により、4方向の輝度の相関度を最小画素間隔で判断することができる。 (もっと読む)


【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード111と、フォトダイオード111の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第1のカラーフィルタ112−UL及び第2のカラーフィルタ112−URと、第1のカラーフィルタ112−ULの上方に配置される第1のオンチップレンズ113−ULと、第2のカラーフィルタ112−URの上方に配置される第2のオンチップレンズ113−URとを含む画素単位を備える。 (もっと読む)


【課題】 光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ1000の活性領域110を画定する分離領域120を形成する工程(S1)と、分離領域120によって画定された活性領域120に光電変換素子130を形成する工程(S4)と、光電変換素子130の上にマイクロレンズ600を形成する工程(S16)と、を有し、光電変換素子130を形成する工程(S4)におけるアライメント(A4)およびマイクロレンズ600を形成する工程(S16)におけるアライメント(A16)を、分離領域110を形成する工程(S1)で形成されたアライメントマーク(AM1)を基準にして行う。 (もっと読む)


【課題】カラー画素とパンクロ画素からなる二次元アレイを備えていて高感度でフル・カラー画像を生成させるのに有効なイメージ・センサーを提供する。
【解決手段】カラー画像を捕獲するため、複数の最小繰り返し単位を有する二次元画素アレイを含むイメージ・センサーであって、それぞれの最小繰り返し単位が、5つのパンクロ画素と、色応答が異なる3つの画素を有する8つの画素からなるイメージ・センサーで構成される。以下の最小繰り返し単位:P B P D A P C Pを持つ(ただし、Pはパンクロ画素を表わし、A、B、C、Dは、色応答が異なる画素を表わす)。 (もっと読む)


【課題】接続部に不具合が生じた場合に同時に欠陥画素となる画素数を低減する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが複数の接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第2の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第1の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含み形状が十字形である複数の部分領域を含み、前記部分領域に対応して前記接続部が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】撮像面に凹凸が存在する場合であっても、カラーフィルタ及びマイクロレンズの損傷を避けるとともに、画素間のクロストークを低減することが可能なカラー裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】p型半導体層21、22にn型半導体層23が積層されてなる光電変換部29を含み、p型半導体層21、22側に撮像面20aを有する裏面照射型撮像素子20と、裏面照射型撮像素子20の各画素に対応して配置される複数のカラーフィルタ42、及び、複数のカラーフィルタ42を透過した被写体光を各画素に集光する複数のマイクロレンズ43が形成された透光性基板41と、を備え、マイクロレンズ43は凸曲面状の出射面を備えており、凸曲面状の出射面の頂点と撮像面20aとの間に、撮像面20aにおける凹凸の影響を受けずに画素間のクロストークを低減するための間隔が設けられている。 (もっと読む)


【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板2上に複数の光電変換素子3を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面4に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ6を設けた固体撮像素子1において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の1色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン7により隔てられる。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子の画素形成に用いられ、解像性に優れた画素が形成でき、且つ、画素形成の際に行われるポストベーク後において画素の剥がれ欠陥の発生が抑制された感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】樹脂と、紫外線吸収剤と、顔料とを含有し、該顔料として、400nm以上500nm未満に極大吸収波長を持つ顔料(A)と、500nm以上600nm未満に極大吸収波長を持つ顔料(B)と、600nm以上700nm以下に極大吸収波長を持つ顔料(C)とをそれぞれ1種以上含有し、全顔料の合計含有量が全固形分に対し0.1質量%以上20質量%以下である固体撮像素子の画素形成に用いられる感放射線性組成物 (もっと読む)


【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部12と、半導体基板11の上側に配置され、受光部12それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部12の上方を受光部12毎に区画する区画層20と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層24と、を備え、区画層20は、区画本体層21と、区画本体層21上に積層された密着層22および金属層23とで構成され、最上位に配された金属層23は、金属から成る。 (もっと読む)


【課題】 モジュールのサイズを縮小する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、第1の面と前記第1の面に対向する第2の面を有する半導体基板10と、半導体基板10内に設けられ、第2の面側のレンズを介して照射された光を光電変換する画素3と、第1の面上の素子7を覆う絶縁膜92,96上に設けられ、溝69を有する支持基板19と、絶縁膜92,96上に設けられ、支持基板19の溝69内に格納されるデバイス60と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極11,13と、一対の電極11,13の間に配置された光電変換層12aとを含む光電変換部を有し、一対の電極11,13間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Aの光電変換層12aを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する1種類の光電変換材料(例えばスズフタロシアニン)と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料(例えばTMM−1)とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 (もっと読む)


【課題】赤画素、緑画素、青画素と同時に赤外光を受光可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層11、12、13、14が設置され、N型不純物層11、12、13、14のそれぞれの表面側には、P型シリコン半導体基板10の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのP型不純物層15、16、17、18が設置され、P型シリコン半導体基板10の受光面より上部側(撮像対象側)には、画素の配列を実現するように、入射光から赤色光、緑色光、青色光、赤外光を分離する(透過させる)カラーフィルター26、27、28、29が配置されて、赤画素31、緑画素32、青画素33及び赤外画素34を具備する。 (もっと読む)


【課題】製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板1内に形成された光電変換部(PD)2と、PD2の上方に形成されたカラーフィルタ7と、カラーフィルタ7上方に形成されたマイクロレンズ8と、マイクロレンズ8とPD2との間に形成され、マイクロレンズ8で集光された光をPD2に導く光導波部9とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、光導波部9を形成する工程は、基板1上方に、PD2上方に凹部5Kを有する絶縁膜5を形成する第一の工程と、絶縁膜5上に、絶縁膜5よりも屈折率が高くかつPD2上方に凹部5K内にまで達する凹部6Kを有する高屈折率材料膜6を形成する第二の工程と、高屈折率材料膜6上に、高屈折率材料膜6よりも屈折率が低くかつ凹部6Kを埋めるカラーフィルタ7を形成する第三の工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】感度向上と混色低減とを実現した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、固体撮像装置1は、半導体基板10と、市松状の配置で半導体基板10に形成された各々複数の光電変換部11g、11b、11rと、光電変換部11b、11rに対応する各位置に設けられた複数のマイクロレンズMLb、MLrを含むマイクロレンズ配列MLA1と、光電変換部11gに対応する各位置に設けられたマイクロレンズMLgを含み、マイクロレンズ配列MLA1よりも受光面側に配されたマイクロレンズ配列MLA2とを有する。マイクロレンズMLgの周縁部とマイクロレンズMLb、MLrの周縁部とが重なっている。 (もっと読む)


【課題】回路ノイズ及び混色を低減しながら、高感度化を図る。
【解決手段】本発明の一形態に係る固体撮像装置10は、シリコン層101の第一主面側から入射した光を電荷に変換する第一導電型の複数のフォトダイオード111と、シリコン層101の第一主面側の表面に形成されている第二導電型の埋め込み層126と、フォトダイオード111間に形成されるとともに、シリコン層101の第二主面から埋め込み層126まで到達するように形成されている第二導電型の分離部120と、分離部120の第二主面側に形成されているトランジスタ112と、シリコン層101の第ニ主面側に形成されている周辺回路部130と、シリコン層101の、フォトダイオード111間の領域の第一主面側と、周辺回路部130が形成されている領域の第一主面側とに埋め込み形成されている導電性の遮光部119とを備える。 (もっと読む)


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