【課題】封着材料層および封着層の形成工程にレーザ加熱を適用するにあたって、気密封止性に優れる封着層を再現性よく形成することが可能な気密部材の製造方法を提供する。
【解決手段】封着材料ペーストの枠状塗布層の第１の照射開始位置ＬＳ１から第１の照射終了位置ＬＦ１まで、焼成用レーザ光を枠状塗布層に沿って走査しながら照射して封着材料層５を形成する。封着材料層５を介して第１のガラス基板と第２のガラス基板２とを積層した後、第１の照射開始位置ＬＳ１および第１の照射終了位置ＬＦ２とは異なる位置に設定された第２の照射開始位置ＬＳ２から第２の照射終了位置ＬＦ２まで、封着用レーザ光８を封着材料層５に沿って走査しながら照射して封着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
封着工程において焼成を必要とせず、かつ水分透過率の少ない表示パネル及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明の表示パネルは、対向する２枚の基板によって構成される基板間周縁部をシール部によって封着し、その内部空間が減圧または不活性ガス雰囲気に維持され、シール部を硬化性樹脂で形成し、シール部の外側に、低融点金属又は低融点合金から成るバリア層を設けたことを特徴としている。また本発明の表示パネルの製造法は、シール部を硬化性樹脂で形成し、該シール部によって基板間周縁部を封着した後に、該シール部の外側を低融点金属又は低融点合金から成るバリア層にて被覆することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ガラス板に穿設される貫通孔の内周面に不具合なクラックが発生するのを防止する。
【解決手段】ドリルの側周部の研削面が先端部に向って縮径する円錐周面を有する一対のドリルを使用し、ガラス板の一方の面からドリルを侵入させて内周面がガラス板の板面からガラス板の厚さ方法の中間部に向って縮径する円錐周面の穿孔をあけたあと後退させ、次いでガラス板の他方の面から他のドリルを前記穿孔の対向部に侵入させて、内周面がガラス板の板面からガラス板の厚さ方向の中間部に向って縮径する円錐周面の穿孔をガラス板の厚さのほぼ中間まであけたあと後退させてガラス板に貫通孔を穿設する。 （もっと読む）

【課題】表示用駆動回路の形状を大変更することなく、効率よく放熱を行い得る画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置は、シリコン基板を表面に有する集積回路チップ５をフィルム基材１に搭載した半導体装置１０を複数個有するソースドライバ２０を備えている。ソースドライバ２０には、集積回路チップ５のシリコン基板に直接触れる気体を流動させるべく、各半導体装置１０の集積回路チップ５に接触してソースドライバ２０を縦断する送風ダクト３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 気密容器の枠付近の基板表面上における機械的強度を向上し、気密容器の信頼性を高める。
【解決手段】 枠の気密容器の内部空間側の端の高さがＨ_２、枠の気密容器の内部空間側とは反対側の端の高さがＨ_３、枠の幅がＷ、スペーサの平均高さがＨ_１、スペーサの間隔がＬであるときに、Ｈ_１＜Ｈ_２＜Ｈ_３の関係を満たし、かつ、１．３（Ｈ_２−Ｈ_１）／Ｌ＜（Ｈ_３−Ｈ_２）／Ｗの関係を満たす、ことを特徴とする気密容器。 （もっと読む）

【課題】パネルと封着ガラスとの濡れ角を小さくして、パネルと排気管との封着強度を高める。
【解決手段】ガラス封着体１０は、平面表示装置の背面パネル４０の外表面４３と排気管６０の先端面６３とにより狭持された状態で軟化させて、背面パネル４０に形成された排気孔４２と排気管６０の管内部６１とが連通するように背面パネル４０の外表面４３に排気管６０を封着する。ガラス封着体１０は、本体部１１および突出部２１を有する。本体部１１は、中央に貫通孔１２が形成され、板厚方向に拡径して外周にテーパー面１５が形成された円板状体である。突出部２１は、本体部１１の拡径側の面１３から突出し、内径が貫通孔１２の径より大きい環状体である。 （もっと読む）

【課題】実質的にＰｂＯを含有せず、かつＰ_２Ｏ_５系ガラスの問題点である耐湿性を向上させ、さらに高温で処理した場合でも結晶化せず安定な無鉛低融点ガラスが求められている。
【解決手段】実質的にＰｂＯを含有せず、モル％で表して、Ｐ_２Ｏ_５が４０〜８０、Ｆｅ_２Ｏ_３が３〜５０、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５、ＴｉＯ_２が０〜２０、ＺｒＯ_２が０〜１０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏから選択される１種以上）が０〜４０、ＭｇＯが０〜６０、ＣａＯが０〜６０、ＳｒＯが０〜６０、ＢａＯが０〜６０、ＺｎＯが０〜６０であり、原子モル比で、（Ｆｅ＋Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｂａ＋Ｚｎ）／Ｐが１．０未満であることを特徴とする封着用無鉛着色ガラスである。３０から３００℃の線膨張係数が（５０〜２００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上７５０℃未満である特徴を有す。 （もっと読む）

【課題】電子加速層の劣化を抑制でき、真空中だけでなく大気圧中でも効率よく安定した電子放出を可能とし、さらに機械的強度を高めて形成される、電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、絶縁体微粒子５と導電微粒子６とが分散されたバインダー樹脂１５を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高寸法精度、高耐久性のシリカ容器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シリカ粒子である第一原料粉、非晶質シリカからなり平均粒径が小さい第二原料粉、主成分がシリカであり、Ａｌ元素及び／又はＯＨ基を含有するか、結晶核材を含有する第三原料粉、及び、高純度結晶質シリカである第四原料粉の準備、（２）第一及び第二原料粉を含有する基体形成用混合スラリーの作製、（３）基体形成用混合スラリーを鋳込み型枠の中に導入、（４）鋳込み型枠内の基体形成用混合スラリーを加熱脱水して基体を仮成形、（５）基体の焼成、（６）基体の内側から第三原料粉を散布して供給しながら溶融し、基体の内表面上に中間層を形成、（７）中間層が形成された基体の内側から第四原料粉を散布して供給しながら溶融し、中間層の内表面上に内側層を形成、の各工程を有し、（５）と、（６）（７）とのいずれかを先に行うシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広いガス吸収面積と低い熱慣性をもたらす、知られているゲッター材料構造を熱的に活性化するために必要な熱活性化出力よりも低い熱活性化出力で済むゲッター材料ベース構造を提供すること。
【解決手段】ゲッター構造（１００）は、基材（１０２）と、少なくとも１つの支持材（１１０、１１２）を使って基材（１０２）に機械的に接続された少なくとも１つのゲッター材料ベース層（１０８）とを備え、基材（１０２）と接触する支持材（１１０、１１２）の表面はゲッター材料層（１０８）の、支持材（１１０、１１２）と接触している第１の面（１０７）の表面よりも小さく、前記第１の面の反対側の、ゲッター材料層（１０８）の第２の面（１０９）は少なくとも部分的に露出されている。 （もっと読む）

【課題】基板寸法が１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ以上、特に２０００ｍｍ×２０００ｍｍ以上である場合に、ガラス基板全面に渡って、溶融欠陥検査を適正に行うことにより、溶融欠陥がない大型のガラス基板を得ること。
【解決手段】本発明のガラス基板は、基板寸法が１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ以上であり、且つ経路長５０ｍｍにおける波長５００〜８００ｎｍの透過率が８０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装デバイスに配置されたゲッターの能力を評価しうる手段を提供する。
【解決手段】
１つの密閉空間と、その密閉空間内に配置されたゲッターと、隔壁を備えた流路を介してその密閉空間と連結され、かつ、そのゲッターによって吸収可能なガスが封入されている他の１つ又は複数の密閉空間と、前述の其々の密閉空間内に形成された振動体とを備え、レーザーを用いて前記隔壁の少なくとも一部を除去して貫通させることにより、そのゲッターが配置された密閉空間内に前述のガスが流入可能となるようなゲッターの評価用装置を用いる。 （もっと読む）

アルカリまたはアルカリ土類金属の供給装置（１０；２０；３０；４０；５０；６０）に関し、ゲッター材料（１３；２３；３３；４３；５３；６３）およびアルカリまたはアルカリ土類金属源（１２；２２；３２；４２；５３；６３）の堆積物を含み、アルカリまたはアルカリ土類金属源はゲッター材料の堆積物により雰囲気ガスから保護される。
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【課題】化合物半導体を用いた光電陰極において、広いダイナミックレンジを実現すると共に、高速でのゲート動作が可能な光電陰極及び電子管を提供すること。
【解決手段】
電子管に適用可能な光電陰極１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、化合物半導体から構成されると共に、光の入射に応じて光電子放出面１４Ｅから光電子を放出する光吸収層１４と、基板１１から光吸収層１４に至る部位を同電位とするように、光電子放出面上１４Ｅに形成されると共に光電子放出面１４Ｅを露出する開口１５Ｈを有する電極層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に適した泡の少ない無アルカリガラス製造方法を提供する。
【解決手段】以下の組成を母組成とし、質量百分率表示で、該母組成の総量１００％に対し、ＳｎＯ_２を０．０１〜２．０％含むように原料を調製し、該原料を１５００〜１６５０℃で加熱溶解した後、該溶融ガラスが１３００〜１５００℃にある状態で、該溶融ガラスと該白金部材との界面に発生する酸素泡を、該ＳｎＯのＳｎＯ_２への酸化反応により吸収させる無アルカリガラスの製造方法。 質量百分率表示による組成： ＳｉＯ_２：５８．４〜６６．０％、Ａｌ_２Ｏ_３：１５．３〜２２．０％、Ｂ_２Ｏ_３ ：５．０〜１２．０％、ＭｇＯ：０〜６．５％、ＣａＯ：０〜７．０％、ＳｒＯ ：４〜１２．５％、ＢａＯ：０〜２．０％、 （ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）：９．０〜１８．０％ （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスを提供する。
【解決手段】重量％でＢ_２Ｏ_３を２２〜３８、Ｂi_２Ｏ_３を３５〜６５、ＢａＯを４〜２０、ＳiＯ_２を０〜１０、ＺｎＯを０〜５、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜７、ＣｕＯを０〜２、Ｌa_２Ｏ_３を０〜３、ＣｅＯ_２を０〜２、ＣｏＯを０〜１、ＭｎＯ_２を０〜１、かつＣｕＯ＋Ｌa_２Ｏ_３＋ＣｅＯ_２＋ＣｏＯ＋ＭｎＯ_２を０．１〜３含み、さらにＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯを１０以下、Ｒ_２Ｏ（Ｌi_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）を１０以下含むＢ_２Ｏ_３−Ｂi_２Ｏ_３−ＢａＯ系無鉛低融点ガラスで、３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜９５）×10^−７／℃、軟化点が５００℃以上６３０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】 内部に非蒸発ゲッターを配設した蛍光発光管等の電子デバイスにおいて、ゲッターに適した非蒸発ゲッター材料を提供すること。
【解決手段】 原料（試料Ａ）の非蒸発ゲッター材料（ＺｒＶ）を、ジェットミル法により粉砕して試料Ｂを製造し、その試料Ｂをビーズミル法により粉砕して試料Ｃ、試料Ｄを製造する。試料Ｄは、試料Ｃよりも長い時間粉砕して製造した試料である。試料Ｃと試料Ｄの粒子は、鱗片状であり、比表面積は、試料Ａや試料Ｂよりも非常に大きくなる。試料Ｃと試料Ｄは、試料Ａや試料Ｂよりも低い温度で盛んにガスを吸収する。 （もっと読む）

【課題】 検出効率やイメージ品質を低下させる原因となるダークエミッションを低減可能な半導体光電陰極を提供する。
【解決手段】 半導体層１４は、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの一方向［０−１−１］の幅が広くなる順メサ斜面領域ＭＪを有している。この半導体光電陰極Ｃは、電子放出層１３に向かうに従って半導体層１４のパターンの他方向［０１−１］の幅が狭くなる逆メサ斜面領域ＭＡを更に備えている。順メサ斜面領域ＭＪにおいて、ｎ型ＩｎＰの半導体層１４とｐ型ＩｎＰの電子放出層１３が接する部分においては、ダークエミッションが多くなる傾向がある。しかしながら、本例では、順メサ斜面領域ＭＪがＳｉＮの絶縁層１７で覆い隠されている為、電子はＳｉＮｘの絶縁層１７を突き抜けて真空中に飛び出すことが出来ず、電子放射源とはならない。したがってダークエミッションが少ない半導体光電陰極Ｃを形成することが出来る。 （もっと読む）

この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のバナジウム酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。バナジウム酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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平面表示管の通気孔（１２）の形成されたパネル（１１）面に、通気孔（１２）を囲むように、端面を気密に固着させて用いられるガラス管（１）であって、平面表示管のパネル（１１）面に固着される側の端面近傍外周には、それ自体の加熱加工により形成されたフランジ部（４）を有する。フランジ部（４）先方に突出した管端部（２）を残してフランジ部（４）を形成したことにより、フランジ部（４）の平面表示管のパネル（１１）面にガラス管の端面との間（管端部外周面）の高さのフリットガラス（６）を載せることができ、平面表示管のパネル（１１）面に安定してガラス管（１）を接着させることができる。
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