電気絶縁層間の密着性が高く、且つ層間電気抵抗の低い回路基板を提供するために、基体１上に形成された第１の導体層と、その上に形成された第１の電気絶縁層とを備えた回路基板において、第１の導体層は、０．１ｎｍ以上、１００ｎｍ未満の表面粗さＲａを有し、当該第１の導体層と第１の電気絶縁層との間には、チオール化合物を主材料とする第１のプライマー層が設けられている。これによって、第１の導体層と第１の電気絶縁層との間の密着性が良く、しかも、高周波信号にも対応できる回路基板が得られる。 （もっと読む）

この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、６〜６０ｇ／ｌの亜鉛及び１００〜５００ｇ／ｌのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図２、特にステップ６を参照することによって理解することができる。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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回路キャリアを製造する方法及び当該方法の使用を示す。この方法は、プリント基板を提供し（ａ）、プリント基板をその少なくとも一方の面を誘電体でコーティングし（ｂ）、レーザーアブレーションを用いてそこに溝及びビア（凹部）を作るために誘電体を構造化する（ｃ）。次いで、誘電体の表面全体に下塗り層を析出し又は作られた溝及びビアの壁にのみ下塗り層を析出する（ｄ）。下塗り層に金属層を析出し、溝及びビアはそこに導体構造を形成するために金属で完全に満たされる（ｅ）。最後に、下塗り層が表面全体に析出されて誘電体が露光されるまで過度金属と下塗り層を除去し、導体構造は無傷のままである（ｆ）。
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導体層（１３）を備えた回路基板エレメント（１１）およびその製造法（ここで、回路基板支持体（１２）に構築された導体層（１３）に貴金属（１６）を付与する）を開示する。導体層（１３）は、好ましくはその構築後、その表面が粗面化され、この構築および粗面化した導体層（１３）の本質的に全体に貴金属を層（１６）として付与する。その際、貴金属層の表面には対応の凹凸（８’）が与えられる。
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正確に位置合わせした隆起特徴部を有するパターン回路を提供する。フォトレジストオンフォトレジストパターニングを用いた回路製造方法についても提供する。

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【課題】 微細配線形成や電気特性、製造コストの上で有利であって、尚且つ信頼性が高く、高周波特性が良好な配線板を提供する。
【解決手段】 絶縁層と導体回路よりなるプリント配線板であって、導体回路の一部が金属箔より形成されており、導体回路の内層側の十点平均粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下であり、絶縁層が接着層とバルク層の少なくとも２層以上を含む構成であることを特徴とするプリント配線である。 （もっと読む）

本発明は、フレキシブルプリント回路カードを形成するために、薄膜基板の中に延在するか、又は薄膜基板を貫通し、向かい合っていない表面に沿って電気的に接続される複数のマイクロバイアを有し、電気回路を形成するようにする、処理された薄膜基板（１０）及びその方法を含む。ここでは第１のバイア（Ｖ１０、Ｖ３０、Ｖ５０）と呼ばれる第１の数のバイアを形成するために、第１の数の実在ナノトラックが、良好な電気的特性を有する第１の材料（Ｍ１）で満たされ、一方、ここでは第２のバイア（Ｖ２０、Ｖ４０、Ｖ６０）と呼ばれる第２の数のバイアを形成するために、第２の数の実在ナノトラックが、良好な電気的特性を有する第２の材料（Ｍ２）で満たされる。上記第１のバイア及び第２のバイア（Ｖ１０〜Ｖ６０）の第１の材料（Ｍ１）及び第２の材料（Ｍ２）が互いに異なる熱電気的特性を有するように選択される。薄膜基板の表面に被着され、薄膜基板（１０）の両側（１０ａ、１０ｂ）にコーティングされる材料が、第１の材料（Ｍ１）を割り当てられた第１のバイアと第２の材料（Ｍ２）を割り当てられた第２のバイアとを電気的に相互接続できるようにするために配設及び／又は構成され、電気的熱電対（１００）又は他の回路構成を形成するために、直列接続に含まれる最初のバイア（Ｖ１０）及びその直列接続に含まれる最後のバイア（Ｖ６０）が直列に適当に組み合わせられる。
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【課題】各種電子デバイスの小型化（特に、小面積化）に貢献し得る接続線の形成方法、電子デバイス用基板、および、この電子デバイス用基板を備える電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】接続線の形成方法は、基板７の少なくとも一方の面に、形成される接続線８１に接続される配線パターン７１を形成する工程と、基板７の縁部７２に、基板７の両面７２１、７２２および端面７２３に亘って、導電層８を形成する工程（第１の工程）と、導電層８の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線８１に分割する工程（第２の工程）とを有している。また、導電層８を形成する工程（第１の工程）において、導電層８の少なくとも一部は、基板７を切り出す前の原板に形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高密度回路の形成が可能で、優れた接着性、高温高湿環境下での接着信頼性にすぐれた，プリント配線板板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの両面に金属層を形成した構成で、少なくともその一方の表面に形成された金属層が、ニッケルまたはその合金からなる第１金属層と、銅またはその合金からなる第２金属層とからなるか、イオンプレーティング法で形成された銅または銅合金よりなる第一層と、その上の銅または銅合金よりなる第２金属層からなる、積層体を用いてプリント配線板の製造を行うことにより、上記課題を解決しうる。 （もっと読む）

【課題】 より高密度でパターン精度の高い配線においても被覆金属と接着剤層との密着強度に優れるプリント配線板やその他の産業部品のための各種金属被着体を安定して提供できる接着剤技術を確立すること。
【解決手段】 接着剤の耐熱性樹脂マトリックスとして、熱硬化性樹脂および／または感光性樹脂と熱可塑性樹脂との均質混合物を用い、さらにこれを硬化してなる擬似均一相溶構造，共連続構造もしくは球状ドメイン構造を形成した均質な樹脂複合体を接着剤層の耐熱性樹脂マトリックスとして用いる、接着剤および接着剤層である。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、低誘電率、低吸水率、低熱膨張率、導体や絶縁膜相互の高密着性、優れた膜強度や破断伸び率、半導体デバイス実装における応力にも耐え、信頼性を有し、高速、高密度実装に最適な高密度実装用配線基板を提供する。
【解決手段】高密度実装用配線基板用のベース基材の上に少なくとも１層の層間絶縁膜と導体配線パターンを形成し、前記絶縁膜の少なくとも１層がポリベンゾオキサゾール膜からなり、前記ポリベンゾオキサゾール膜と導体配線パターンの間にＴｉ、Ｔｉ系化合物およびＮｉの少なくとも１種類からなる接着層を設ける。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムがウェットブラストや液体ホーニング等のウェット処理による粗面化工程や、フォトレジストのパターン化工程、金属層のめっき工程等のウェット処理工程で、吸湿または吸液して導体パターン等に乱れを生じない配線基板を提供する。
【解決手段】 熱膨張係数が５〜２０×１０^-6／℃、水蒸気透過率が１ｇ・２０μ／ｍ²・ｄａｙ以下、吸水率が０．１％以下、融点が２６０℃以上である樹脂フィルム１を、ウェットブラスト処理または液体ホーニング処理により粗面化し、その粗面化された面に直接めっき法で導体層２を形成し、導体層２の表面に金めっき層３を形成するとともに、樹脂フィルム１にバイアホール５を形成して露出した導体層２に金めっき層６を形成した配線基板およびその製造方法。 （もっと読む）