エミッタ領域（５０）と、ベース領域（４０）と、コレクタ領域（２０）と、ベース領域（４０）から離間し、それを囲む、保護領域（２００）とを備える、バイポーラトランジスタ。保護領域（２００）は、ベース領域（４０）を形成するために使用される同一ドーピングマスクを使用して形成することができ、動作中には、空乏層を展開する役割を果たすことができる。また、本発明は、上記バイポーラトランジスタを製造する方法であって、エミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域とを形成することと、該ベース領域を囲む保護領域を形成することとを含む、方法も提供する。
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本発明は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）に関し、当該トランジスタ上のエミッタコンタクトとベースコンタクトと（１、２）の間の表面領域には、バルクＳｉＣ内の電位と比較して負の表面電位が与えられている。
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【課題】 エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、素子面積を縮小することを目的とする。
【解決手段】 エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、第二の導電型であるベース電極用高濃度不純物領域と、第一の導電型であるコレクタ電極用高濃度不純物領域とを直接に接触させ、不要な分離領域を形成しないことで素子面積を縮小する。 （もっと読む）

【課題】高特性の合併したバイポーラ回路とＣＭＯＳ回路とをＣＭＯＳ処理工程だけのコストで製造する方法および回路を提供する。
【解決手段】ＢｉＣＭＯＳ集積回路を製造する方法は、バイポーラ・トランジスタのベース領域２１１とＮチヤンネルＭＯＳトランジスタのＰ形ウエル２１２とを１つの注入段階で作成する段階と、バイポーラ・トランジスタのコレクタ接触体ウエル２１３とＰチヤンネルＭＯＳトランジスタのＮ形ウエル２０８とを１つの注入段階で作成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一のＳＯＩ基板上に、ＭＯＳトランジスタと、耐圧が十分に確保されたラテラルバイポーラトランジスタとが形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜１４上に形成され、ｐ型のチャネル領域６０を挟んで形成されるｎ型のソース領域６２ｓ及びｎ型のドレイン領域６２ｄと、チャネル領域６０上にゲート酸化膜５２を介して形成されたゲート電極５４と、を有するＭＯＳトランジスタ５１と、ｐ型のベース領域９０を挟んで形成されるｎ型のコレクタ領域９２ｃ及びｎ型のエミッタ領域９２ｅと、ベース領域９０とチャネル幅方向において隣接するｐ型のベースコンタクト領域８９と、ベース領域９０上に第２酸化膜８２を介して形成されたダミーパターン８４と、を有するバイポーラトランジスタ８１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電流増幅率ｈFEやコレクタ・エミッタ間の耐圧を、他の半導体素子に影響を与えずに、容易に調整することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、第1の導電型不純物を含む半導体基板と、半導体基板上に形成された第2の導電型不純物を含む第1の半導体領域と、第1の半導体領域上に、周囲を第１の導電型不純物を含む第2の半導体領域で囲むように形成された、第2の導電型不純物を含む第3の半導体領域と、第2の半導体領域直下の第1の半導体領域内に形成された、第1の半導体領域より高濃度の第2の導電型不純物を含む埋込半導体領域と、第2の半導体領域及び第1の半導体領域の接合部に形成された、第1の半導体領域より高濃度の第2の導電型不純物を含む介挿半導体層とを有し、第3の半導体領域をエミッタとし、第2の半導体領域をベースとし、埋込半導体領域をコレクタとするバーティカル型バイポーラトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴとダイオードが同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置であって、ダイオードのリカバリー特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１におけるＩＧＢＴの形成領域とダイオードの形成領域以外の領域（周辺部）において、主面側の表層部に、Ｐ導電型の第５半導体領域６が形成され、第１半導体領域２、第３半導体領域４および第５半導体領域６が、電気的に共通接続され、第５半導体領域６に対向して、裏面側の表層部に、Ｐ導電型の第６半導体領域７ａが形成され、第２半導体領域３、第４半導体領域５および第６半導体領域７ａが、電気的に共通接続されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】共通の半導体基板の上に複数の半導体素子を形成すると寄生トランジスタが形成される。
【解決手段】寄生トランジスタの動作を抑制することができる複合半導体装置は、ｐ型の第１の半導体領域７の上にｎ型の第２の半導体領域８と環状に形成された第３、第４及び第５の半導体領域９，１１，１２を有する。最も内側に配置されたｎ⁺型の第５の半導体領域１２の内側に抵抗膜３が配置されている。この抵抗膜３はドレイン電極１８と接続導体３０との間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、反転領域対策を、既存の製造工程の条件を変えないで実現することを課題とする。
【解決手段】 Ｎ型エピタキシャル層４上にＰ型拡散層よりなる抵抗素子５が形成してあり、Ｎ型エピタキシャル層４上にシリコン酸化膜４０が形成してあり、抵抗素子５の端から出ているアルミニウム配線８，９がシリコン酸化膜４０上を延在している。シリコン酸化膜４０は、Ｎ型エピタキシャル層４内に食い込んで厚みが増してある厚み付加部分４２を枠状に有する。厚み付加部分４２は、シリコン酸化膜４０の反転電圧を上げる。厚み付加部分４２は酸素イオンの注入及びアニール処理によって形成される。 （もっと読む）

【課題】性能を向上する新規なバイポーラデバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、バイポーラデバイス30を開示する。エミッタ33が半導体基板に形成される。コレクタ34が、エミッタ33から横方向に空間を置いて基板に設けられる。ゲート端子38は基板上に形成され、エミッタ33とコレクタ34間の空間を規定する。外部ベース35は、エミッタ33またはコレクタ34の何れか一方から所定の距離を隔てて、基板上に形成される。外部ベース35は、エミッタ33またはコレクタ34の何れか一方から所定の距離を有して基板上に形成され、基板に設けた分離構造31で周囲を囲まれた穴によって活性領域32を規定し、この活性領域32に、ベース35，エミッタ33，コレクタ34およびゲート端子38が配置される。 （もっと読む）