Fターム[5F003BH18]の内容
バイポーラトランジスタ (11,930) | 電極、配線 (1,046) | 断面形状 (205)
Fターム[5F003BH18]に分類される特許
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マルチフィンガバイポーラトランジスタ
【課題】 半絶縁性半導体基板上に形成される放熱効率の高い小型のマルチフィンガバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 半絶縁性半導体基板61上面に、階段状で凸形状の基本セル1〜4を配列形成している。各基本セル1〜4は、n型半導体層62、p型半導体層63、n型半導体層64を順に積層形成してなり、n型半導体層62の上面にコレクタフィンガ電極31a〜34a、31b〜34bを、p型半導体層63の上面にベースフィンガ電極21a〜24a、21b〜24bを、n型半導体層64の上面にエミッタフィンガ電極11〜14を形成している。エミッタフィンガ電極11〜14は、第1ビアホール101〜104、中間電極40、および第2ビアホール201〜208を介して半絶縁性半導体基板61の下面に形成された接地電極50に導通している。
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半導体部品および半導体部品の製造方法
半導体部品は、半導体基板(110)と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層(120)と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ(770、870)と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ(780、880)とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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半導体装置
【課題】低オン抵抗の縦型トランジスタが形成されてなる半導体装置を提供する。また、マルチチャネル化の自由度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板30の一方の表面である主面側に形成された第1電極と、もう一方の表面である裏面側に形成された第2電極とを有する縦型トランジスタ101が形成されてなる半導体装置100であって、第1電極が、主面上に形成された層間絶縁膜43を介して、主面側の半導体基板30表層部に形成された拡散領域41,42,48に接続する第1金属層44からなり、裏面側には、半導体基板30の内部に向かってトレンチ35が形成され、第2電極が、トレンチ内に形成され、トレンチ35によって露出された半導体基板30内の半導体層33に接続する第2金属層37からなる半導体装置100とする。
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HBTの製造方法
【課題】 オーバエッチングがべ一ス層まで及ぶことがなく、高速化を図ったHBTの製造方法を提供する。
【解決手段】 コレクタ層とベース層が同じエッチング液でエッチングされる材質で形成されている場合において、
を含んでいる。
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半導体素子の保護膜形成方法
【課題】 半導体素子の保護膜を鉛系ガラスで形成すると焼成温度が高くなった。
【解決手段】 n+形半導体領域7とn形半導体領域8とp形半導体領域9とから成る半導体基体1の傾斜側面10に、カルボキシル基を有する有機高分子物質の水溶液にアンモニア水を混合したものを塗布し、ベ−キング処理して負電荷を有する保護膜6を形成する。
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