【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】特にＧａＡｓＳｂ系ベース層を有するＨＢＴにおいて、ＨＢＴ素子の特性を劣化させることなく、素子表面を部分的に不活性化するＨＢＴを提供する。
【解決手段】所定の材質の基板１上に形成したコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含む層構造の少なくとも側壁をＡｌ酸化膜８で覆っている構造とする。基板１としてＩｎＰを、ベース層４に、少なくとも一層はＡｌ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ａｓ（ｙ）Ｓｂ（１−ｙ）を用いる（ｘ，ｙ：組成比、０．０≦ｘ≦０．２，０．２≦ｙ≦０．８）。すなわち、基板１上に、エミッタ層５、ベース層４、コレクタ層３を含むＨＢＴの層構造を結晶成長により作製した後、エッチングによりメサ状に加工し、さらに、表面に堆積させた前記Ａｌ化合物を酸化させることによりＡｌ酸化膜８を形成し、電極形成領域に堆積させたＡｌ酸化膜８をエッチングにより除去して電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の集積回路において、ＮＰＮトランジスタ型のＥＳＤ保護素子の維持電圧Ｖｈが集積回路の最大動作電圧より低くなると、保護素子自身に電流が過大供給され破壊してしまう。
【解決手段】バイポーラトランジスタ型ＥＳＤ保護素子において、Ｐ型基板１上に形成されたコレクタのＮ型エピタキシャル層２と、Ｎ型エピタキシャル層２に形成されたベースの低濃度および高濃度Ｐ型拡散層４，５と、高濃度Ｐ型拡散層５に形成されたエミッタのＮ型拡散層６と、Ｎ型エピタキシャル層２のコレクタコンタクト領域７にＮ型エピタキシャル層２より浅く、かつ低濃度Ｐ型拡散層４より深く形成された高濃度Ｎ型シンク層３と、低濃度Ｐ型拡散層４とコレクタコンタクト領域７の間でＮ型エピタキシャル層２の表面に形成されたフィールド酸化膜８とを備え、高濃度Ｎ型シンク層３はコレクタコンタクト領域７からフィールド酸化膜８下の領域に拡張している。 （もっと読む）

【課題】高い直流電流増幅率、特に小電流領域で高い直流電流増幅率を得ることができる縦型バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１の下層に高濃度ｎ型半導体層２を形成し、上層にｐ型半導体層３を形成し、ｐ型半導体層３に表面から層内へ延在する高濃度ｎ型半導体層４を形成し、ｐ型半導体層３および高濃度ｎ型半導体層４に二酸化珪素膜５を形成してなり、所定の水分を添加した酸素、または所定の水分を添加した酸素を含むガスからなる雰囲気下で熱処理することにより、二酸化珪素膜５の表面電荷密度を低くして、高い直流電流増幅率、特に小電流領域に於いて高い直流電流増幅率を得る。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴとダイオードが同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置であって、ダイオードのリカバリー特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１におけるＩＧＢＴの形成領域とダイオードの形成領域以外の領域（周辺部）において、主面側の表層部に、Ｐ導電型の第５半導体領域６が形成され、第１半導体領域２、第３半導体領域４および第５半導体領域６が、電気的に共通接続され、第５半導体領域６に対向して、裏面側の表層部に、Ｐ導電型の第６半導体領域７ａが形成され、第２半導体領域３、第４半導体領域５および第６半導体領域７ａが、電気的に共通接続されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】２つのトレンチ間の島領域に高濃度拡散層を短時間で深く形成することを可能にし、もって生産性の向上とエネルギー損失の低減に寄与する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１を、埋込み酸化膜３に達するトレンチ７，７により複数のデバイス領域８に分離した後、前記トレンチ８の壁面より不純物（ドーパント）をシリコン層４，５に拡散させて、相隣接する２つのトレンチ７間の島領域９に電位固定用高濃度拡散層１０を形成すると同時に、トレンチ７の外側のデバイス領域８に、ＮＰＮトランジスタ１４のコレクタ層として共用される高濃度拡散層１１を形成し、しかる後、前記トレンチ７にＣＶＤ法により絶縁物６を埋込む。 （もっと読む）

【課題】静電気保護用半導体装置のESD 耐量を向上させること。
【解決手段】素子領域は底面に形成された埋め込み絶縁膜１２、側面に形成されたレンチ絶縁膜１３で絶縁分離されている。素子領域は、埋め込みｎ⁺ 型領域１４、ｎ型半導体基板１１の表面部には、コレクタｎ⁺ 型領域１６、コレクタｎ⁺ 型領域１６と埋め込みｎ⁺ 型領域１４とを接続するコレクタシンクｎ⁺ 型領域１５、コレクタｎ⁺ 型領域１６から離れて、ｎ型半導体基板１１の表面部に、ベースｐ型領域１７、ベースｐ型領域１７に内包されて、エミッタｎ⁺ 型領域１８、ベースｐ⁺ 型領域１９が、間隙を隔てて形成されている。埋め込みｎ⁺ 型領域１４の上にこの領域より不純物濃度が低く、ｎ型半導体基板１１より不純物濃度の高い電界分散ｎ型領域が形成されている。この構造によりホットスポットの発生が防止されて、静電耐圧が向上する。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴやＨＢＴなど高速なトランジスタのＩＣ化やＭＭＩＣ化などにおいて、トランジスタの寄生容量を効果的に抑制し、かつ製造歩留良く、基板と素子表面との同電位化を図るビアを形成する事ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ素子領域の直下の領域のバッファ層を、選択的なエッチングによって除去して空洞領域を形成することで低誘電率化を図って高速動作を可能とし、またトランジスタ素子領域がある表面側からビアを形成して導電性基板と導通を図ることで、回路動作の安定化を製造歩留の低下を抑制して可能にする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。
【解決手段】各ＢＪＴのコレクタ領域は、半導体基板表面内に配置され、第１のシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域に隣接している。第２のＳＴＩ領域が形成され、この第２のＳＴＩ領域は、第１のＳＴＩ領域とコレクタ領域との間に延在し、約９０°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。例えば、第２のＳＴＩ領域は、約９０°未満のアンダーカット角度のほぼ三角形の断面を有していても、約９０°のアンダーカット角度のほぼ長方形の断面を有していてもよい。このような第２のＳＴＩ領域は、コレクタ領域の上側表面内に形成される多孔質表面部を使用して製作することができる。 （もっと読む）

【課題】熱暴走対策としてエミッタバラスト方式を採用するＲＦ信号増幅用のパワーバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を採用したＲＦ電力増幅器全体の電力利得と電力効率とを改善すること。
【解決手段】ひとつのパワー素子を構成する複数のユニット・トランジスタには、ぞれぞれエミッタバラスト抵抗が接続されている。その結果、複数のユニット・トランジスタの複数のベースには、１個の結合容量ＣによりＲＦ入力信号を共通に供給できる。ＲＦ入力信号が供給される１個の結合容量Ｃの一方の電極プレート１００の配線幅Ｗを、複数のベースへの信号注入配線領域２０４＿１、２０４＿２…２０４＿Ｎの配線幅ｗより大きくする。複数のコレクタ増幅出力信号の間での位相差が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】共通の半導体基板の上に複数の半導体素子を形成すると寄生トランジスタが形成される。
【解決手段】寄生トランジスタの動作を抑制することができる複合半導体装置は、ｐ型の第１の半導体領域７の上にｎ型の第２の半導体領域８と環状に形成された第３、第４及び第５の半導体領域９，１１，１２を有する。最も内側に配置されたｎ⁺型の第５の半導体領域１２の内側に抵抗膜３が配置されている。この抵抗膜３はドレイン電極１８と接続導体３０との間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 層厚の厚い電極部および信頼性の高い保護膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層２１の積層方向Ｚの一表面上に電極部３４を形成する。次に半導体層２１および電極部３４とを予め定める第１の温度Ｔ１のＮ_２雰囲気下でシンタ処理し、半導体層２１と電極部３４とのオーミック性を向上させる。次にＰＳＧ膜３５がアニーリングされかつ堆積される予め定める第２の温度Ｔ２において、酸化膜２２の表面と電極部３４の表面とにＰＳＧ膜３５を堆積して形成する。次にＰＳＧ膜３５の一部をエッチングすることによって、電極部３４の一部が露出するように第２貫通孔３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】フライホイールダイオードを内蔵したパワースイッチングデバイスにおける、高速スイッチング性向上と、安価に製造できるデバイス構造と製造方法。
【解決手段】下面にコレクタ電極を有するＮ+半導体層上面に形成したＮ-半導体層上面から厚み方向にＰ型領域を櫛状に形成し、該Ｐ型領域上面をエミッタ電極に接続したショトキー金属層に接合してなる、ＭＰＳ構造体のダイオードをコレクタ・エミッタ間に造り込み、ＭＰＳ構造のダイオードの逆回復時間が従来のＰＩＮダイオードの６分の１に短くすることが出来た。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にダイオードを搭載した構成において、基板への漏れ電流の低減を図る。
【解決手段】第１導電型不純物からなる第１の領域１０１と、この第１の領域１０１の内部に形成された第２導電型不純物からなる第２の領域１０４と、この第２の領域１０４の内部に形成された高濃度の第２導電型不純物からなる第３の領域１１２と、この第３の領域１１２を取り囲むように第２の領域１０４の内部に形成された高濃度の第１導電型不純物からなる第４の領域１０７とを備え、第１の領域１０１下に予め高濃度の第１導電型不純物のドープ層が形成され、及び第４の領域１０７は環状になるように形成され、第３の領域１１２と第４の領域１０７は電気的に同電位にした。 （もっと読む）

本発明は、シリコンからなる基板および半導体本体を備え、エミッタ領域(１)、ベース領域(２)およびコレクタ領域(３)を有するバイポーラトランジスタを具え、前記エミッタ領域(１)、前記ベース領域(２)および前記コレクタ領域(３)の伝導型が、適切なドーピング原子の提供により、それぞれｎ型、ｐ型、そしてｎ型である半導体デバイス(１０)であって、前記ベース領域(２)が、シリコンおよびゲルマニウムの混晶を有し、前記ベース領域(２)は、前記エミッタ領域(１)よりも低いドーピング濃度を有し、かつ前記エミッタ領域(１)よりも小さい厚さを有する、シリコンからなる中間領域(２２)によって、前記エミッタ領域(１)から分離され、前記エミッタ領域(１)が、シリコンおよびゲルマニウムの混晶を有し、前記中間領域(２２)から離れたエミッタ領域(１)のサイドに位置決めされるサブ領域を具える半導体デバイスに関する。本発明によれば、シリコンおよびゲルマニウムの混晶を有する前記サブ領域は、実質的に、前記エミッタ領域(１)の全体を通って、前記中間領域(２２)との界面まで延在し、かつ前記エミッタ領域(１)のドーピング原子が、ヒ素原子であることを特徴とする。そのようなデバイスは、中間領域で、または、その範囲内で、非常に急勾配のｎ型ドーピングプロファイル(５０)および非常に急勾配のｐ型ドーピングプロファイル(２０)を有し、したがって、高カットオフ周波数(fr)を備える、優れた高周波挙動を有する。好ましくは、前記エミッタ領域(１)は、その上半部において、ヒ素注入(Ｉ)によってドープされ、最後のドーピングプロファイルはＲＴＡの後に形成される。本発明は、本発明に従うデバイス(１０)の製造方法もまた具える。
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【課題】 電力増幅モジュールやそれに用いる集積受動部品または半導体チップの低コスト化および高性能化を図る。
【解決手段】 集積受動部品５において、シード膜５１、銅膜５３およびニッケル膜５４の積層膜からなる配線５５により、ＲＦパワーモジュールのローパスフィルタ回路を構成するインダクタ素子が形成される。ニッケル膜５４は、銅膜５３の全面上に形成され、表面保護膜としての絶縁膜６１の開口部６２から露出するニッケル膜５４上に、金膜６３およびバンプ電極６４が形成されている。ニッケル膜５４は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜であり、リンを１０重量％以上含有し、非磁性状態とされている。 （もっと読む）

【課題】 サブコレクタ層のドーピング濃度および厚みを殆ど変えることなく、サブコレクタ層のシート抵抗を下げ、コレクタ抵抗を低減し、オン抵抗が小さく且つ雑音の少ないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】 サブコレクタ層をヘテロ接合を利用した量子井戸構造とすることにより、サブコレクタ層中に移動度の高い２次元電子ガスを発生させ、コレクタ電流としてこの２次元電子ガスを用いることにより、サブコレクタ層のシート抵抗を低減させオン抵抗を低減することができる。また、コレクタ電流として、２次元電子ガスを用いることで熱雑音の発生が抑えられ、雑音特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 素子の抵抗が小さく、動作電圧の高い窒化物半導体を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物半導体は、導電性ＳｉＣ基板上に不純物濃度の高い窒化物半導体層と不純物濃度の低い窒化物半導体層を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成することを特徴としている。例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。これによって、クラックを生じることなく、１００ｎｍ以上の厚いＡｌＢＧａＮ層を形成することができ、素子の抵抗を抑えつつ、降伏電圧の高い窒化物半導体を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 逆電圧に対する保護回路を備えた発光素子の小型化、高出力・高効率化を可能とする発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子に、その逆方向電圧に対する保護回路として、バイポーラトランジスタを備えている半導体発光装置であり、その保護回路は、バイポーラトランジスタのベースコレクタ間を短絡し、半導体発光素子の極性に対して、エミッタ−ベース間の極性が逆向きになるように半導体素子回路と並列接続されている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、反転領域対策を、既存の製造工程の条件を変えないで実現することを課題とする。
【解決手段】 Ｎ型エピタキシャル層４上にＰ型拡散層よりなる抵抗素子５が形成してあり、Ｎ型エピタキシャル層４上にシリコン酸化膜４０が形成してあり、抵抗素子５の端から出ているアルミニウム配線８，９がシリコン酸化膜４０上を延在している。シリコン酸化膜４０は、Ｎ型エピタキシャル層４内に食い込んで厚みが増してある厚み付加部分４２を枠状に有する。厚み付加部分４２は、シリコン酸化膜４０の反転電圧を上げる。厚み付加部分４２は酸素イオンの注入及びアニール処理によって形成される。 （もっと読む）