【課題】 単結晶ベースを有するヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ及びこれに関連する方法を提供すること。
【解決手段】 ヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）及び関連する方法が開示される。一実施形態において、ＨＢＴは、基板と、基板の上のポリシリコン・エミッタと、基板内のコレクタと、コレクタに隣接した少なくとも１つの分離領域と、各分離領域の上に延びる単結晶シリコン・ゲルマニウムを含む真性ベースと、単結晶外部ベースとを含む。１つの方法は、分離領域の形成を、後で誘電体に変換される注入された多孔質シリコンの形成と置き換えるステップを含む。結果的に、分離領域の上に横方向の寸法が拡張された単結晶シリコン・ゲルマニウム・ベース・プロファイル層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 相補型バイポーラトランジスタで、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの両方のエミッタ領域を多結晶シリコン膜から添加された不純物を同時に拡散させながら、その拡散深さを同程度で目標の浅い拡散層を形成し、しかも他の拡散層に影響を与えることなく、高特性の相補型のバイポーラトランジスタを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＮＰトランジスタのエミッタ領域を形成する部分の多結晶シリコン膜９にボロンイオンを注入し、イオン注入されたボロンを低温の熱処理により、多結晶シリコン膜内に拡散し、ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を形成する部分の多結晶シリコン膜９にリンイオンを注入し、高温で短時間の熱処理を行うことにより、多結晶シリコン膜中のボロンイオンおよびリンイオンをそれぞれＰＮＰとＮＰＮのトランジスタのベース領域７、８中に同時に拡散して、それぞれのエミッタ領域１６、１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ層にまでシリサイド化反応が進入するのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置（バイポーラトランジスタ１００）は、拡散層７と、拡散層７の表面上に形成され、金属と半導体との金属半導体化合物からなるコバルトシリサイド膜９ａと、拡散層７とコバルトシリサイド膜９ａとの間に形成され、コバルトシリサイド膜９ａから拡散される金属の透過を抑制する反応抑制層８とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、アノードの拡散層とカソードの拡散層との間に蓄積されたマイノリティキャリアの再結合速度を高めることができない。
【解決手段】半導体基板１０上には、層間絶縁膜２０が形成されている。層間絶縁膜２０には、開口２２（第１の開口）、開口２４（第２の開口）および開口２６が形成されている。開口２２および開口２６は、それぞれＰ型拡散層１６およびＮ型拡散層１８の上部に形成されている。開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。これらの開口２２、開口２４および開口２６中には、それぞれ、コンタクトプラグ３２、コンタクトプラグ３４およびコンタクトプラグ３６が埋め込まれている。半導体基板１０のうち開口２２の下部に位置する領域および開口２４の下部に位置する領域の双方に、IV価の不純物が注入されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの形状及び電極構造に関して自由に設計を行なうことができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面には複数の凹部１０ａ，１０ａ，…が設けられ、各凹部１０ａには、表面からエミッタ領域ＲＥとベース領域ＲＢとがこの順序で配置されている。その他の領域がコレクタ領域ＲＣとなってトランジスタを構成する。基板全面に電極としての導電体を設ける場合、凹部１０ａによる段差のため、ベース領域ＲＢ上のベース電極１２Ｂとエミッタ領域ＲＥ上のエミッタ電極１２Ｅとは分離された状態で形成される。そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物としてのアンチモンが含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの略階段状の表面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、バイポーラ領域内でのサイドウォールの残存やサブトレンチの形成を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＧｅ−ＨＢＴ５０とＣＭＯＳとを同一基板１上に形成する半導体装置の製造方法であって、バイポーラ領域とＣＭＯＳ領域とを素子分離するＤＴＩ１３及びＬＯＣＯＳ層１５Ａを基板１に形成する工程と、ＣＭＯＳのゲート電極の材料膜であるポリシリコン膜２２を基板１上の全面に形成する工程と、このポリシリコン膜をパターニングして、ＣＭＯＳ領域の基板１上にゲート電極を形成する工程とを含み、ゲート電極を形成する工程では、バイポーラ領域上から当該領域周辺のＬＯＣＯＳ層１５Ａ上までを全て覆うようにポリシリコン膜２２を基板１上に残存させる。 （もっと読む）

【課題】最小限の小さなＥＳＤ保護素子で、ＥＳＤ破壊を防止すること。
【解決手段】入出力端子Ｉ／Ｏの保護回路において３種類のＰＮＰ型バイポーラトランジスタを備える。第１ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ１０Ａは、エミッタが入出力端子Ｉ／Ｏに接続され、ベースが高電位電源端子ＶＤＤに接続され、かつ、コレクタが低電位電源端子ＶＳＳに接続されている。第２ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ１０Ｂは、エミッタが入出力端子Ｉ／Ｏに接続され、かつ、ベース及びコレクタが高電位電源端子ＶＤＤに接続されている。第３ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ１０Ｃは、エミッタが低電位電源端子ＶＳＳに接続され、ベース及びコレクタが高電位電源端子ＶＤＤに接続されている。 （もっと読む）

【課題】メタルマイグレーションの信頼性を確保しつつ小型化を可能とした半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体層１０３と、この半導体層１０３の表面に設けられた表面絶縁膜１０８とを備える。表面絶縁膜１０８のうち一部の領域を、半導体層表面を露出させるように貫通してコンタクト穴１２０Ｅ，１２０Ｃが形成されている。第１のメタル層１０９Ｅ，１０９Ｃがコンタクト穴１２０Ｅ，１２０Ｃの底と側壁とに沿って設けられている。第１のメタル層１０９Ｅ，１０９Ｃ上に第２のメタル層１１１Ｅ，１１１Ｃが積層されている。 （もっと読む）

本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
（もっと読む）

【課題】ベース抵抗が小さく優れた高周波特性を有する窒化物半導体バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層に接する形で形成されたコンタクト層がｎ型ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶により形成され、前記エミッタ層と前記コンタクト層はその上に形成されたエミッタとの障壁高さが小さくＩｎＡｌＧａＮ４元混晶上ではオーミック電極コンタクト抵抗を小さくできる例えばＷＳｉエミッタ電極が庇となるように選択的に除去されており、このエミッタ電極をマスクとしてベース電極がセルフアライン工程にて形成される。このような構成にすることにより、エミッタ段差とベース電極端との間の距離を、十分に小さくし、ベース抵抗を低減できる。この結果、良好な高周波特性を有するバイポーラトランジスタを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの性能を改善するために、ベース・コレクタ容量（Ｃｃｂ）及びベース抵抗（Ｒｂ）の寄生成分が著しく低減されたバイポーラ・トランジスタを提供すること。
【解決手段】 ベース・コレクタ容量Ｃｃｂ及びベース抵抗Ｒｂの寄生成分を減少するための、デュアル・シャロー・トレンチ分離を有する改善されたバイポーラ・トランジスタが提供される。この構造体は、少なくとも１対の隣接する第１のシャロー・トレンチ分離（ＳＴＩ）領域が内部に配置された半導体基板を含む。隣接する第１のＳＴＩ領域の対は、基板内に活性領域を定める。この構造体は、半導体基板の活性領域内に配置されたコレクタ、活性領域内の半導体基板の表面の上に配置されたベース層、及びベース層上に配置された隆起型外因性ベースをも含む。本発明によると、隆起型外因性ベースは、ベース層の部分への開口部を有する。エミッタは、この開口部内に配置され、パターン形成された隆起型外因性ベースの部分上に延びており、かつ、隆起型外因性ベースから離間配置され、これから分離される。さらに、第１のＳＴＩ領域に加えて、第１のシャロー・トレンチ分離領域の各対からコレクタに向けて内方に延びる第２のシャロー・トレンチ分離（ＳＴＩ）領域が、半導体基板内に存在する。第２のＳＴＩ領域は、傾斜した内部側壁面を有する。幾つかの実施形態において、ベースは完全に単結晶である。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）および半導体本体（１）を有する半導体デバイス（１０）であって、この半導体本体（１）は、順にコレクタ領域（２）、ベース領域（３）、およびエミッタ領域（４）を有するバイポーラトランジスタを備える該半導体デバイス（１０）に関し、半導体本体は、コレクタ領域（２）およびベース領域（３）の少なくとも一部分を有する、突出するメサ（５）を備え、このメサを絶縁分離領域（６）によって包囲する。本発明によれば、半導体デバイス（１０）は、さらに、ソース領域、ドレイン領域、介在させたチャネル領域、積層させたゲート誘電体（７）、およびゲート領域（８）を有する電界効果型トランジスタを備え、ゲート領域（８）は電界効果型トランジスタの最も高い部分を形成し、メサ（５）の高さはゲート領域（８）の高さより大きくする。このデバイスは本発明による方法によって安価かつ容易に製造することができ、このバイポーラトランジスタは優れた高周波数特性を有することができる。
（もっと読む）

【課題】エッチピットを低減可能な構造を有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。エミッタ層１００のエッジは、エミッタコンタクト層１１０のエッジから離れて設けられている。また、エミッタ層１１０の表面は、平坦化されている。ＨＢＴ１は、サブコレクタ層４０上にコレクタ電極１７と、エミッタ層１００上にベース電極１６と、エミッタコンタクト層１１０上にエミッタ電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 横型バイポーラトランジスタを有する半導体装置において、大電流を流すことを可能にしながら、深さ方向に関するベース幅を均一に形成してｈＦＥを向上できるようにする。
【解決手段】 少なくとも２つのトレンチが、平行に相互に離間して位置するシリコン基板の表面から垂直に掘られて形成されると共に、少なくとも前記トレンチの底面が電気的な絶縁膜により埋設され、前記２つのトレンチの間に位置する前記シリコン基板の領域が、ベース領域に形成され、前記絶縁膜の上方に位置すると共に前記ベース領域に形成された各トレンチの側面に、それぞれエミッタ領域及びコレクタ領域が形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明はエミッタ−ベーススペーサ領域中に低Ｋ材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウエハ基板上に配置されたバイポーラトランジスタを供する。バイポーラトランジスタは半導体ウエハ基板中に配置されたコレクタ、コレクタ中に配置されたベース、ベース上に配置され、ベースの少くとも一部と接触するエミッタを含んでよく、エミッタはその中に低Ｋ層を有する。低Ｋ層はたとえば、エミッタの一方の側に近接して配置するか、エミッタの相対する側に近接して配置してよい。しかし、すべての実施例において、低Ｋ層はバイポーラトランジスタの適切な機能を妨げず、従来のバイポーラトランジスタに典型的に付随したエミッタ−ベース容量を、本質的に減す。 （もっと読む）

【課題】 低電圧動作に有利であると共に、ベース層のシート抵抗を低減してfmaxの増大及びGainの増大、更には高効率動作を可能とし、また特にエミッタ層を制御性良く高品質に形成でき、エミッタ注入効率を安定して得ることのできるＨＢＴ構造を具備する（並びにこれを主要な構成要素とする）半導体装置を提供すること。
【解決手段】 第１導電型のエミッタ層と、第２導電型のベース層と、第１導電型のコレクタ層とを半導体基体上に有するＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）を具備する半導体装置において、前記エミッタ層及び前記コレクタ層はＧａＡｓを主成分とし、前記ベース層はＧｅを主成分とすることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】２００℃以上の環境温度でも実用上十分な電流増幅率を確保できるバイポーラトランジスタ、わけても小型な電力用バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ベースのアクセプタ濃度勾配をコレクタ層端に比較してエミッタ層端で大きくした。また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。これらの手段により、電流増幅率を確保でき、小型化に適した高温対応電力用バイポーラトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】庇部を有する電極の庇部下の空洞を絶縁膜で埋め込むことで、層間絶縁膜や配線の段切れ、配線の短絡等を防止することを可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された導電層（エミッタキャップ層１５）に接続されるもので庇部２０ａ有するコンタクト電極（エミッタ電極）２０と、エミッタ電極２０の庇部２０ａ下の空洞２８部分に埋め込まれた絶縁膜３１と、エミッタ電極２０および絶縁膜３１側部を被覆する層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１に形成された接続孔２４を通じてエミッタ電極２０に接続されるとともに、層間絶縁膜２１上をエミッタ電極２０上より電極周辺部に配設されている配線２７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタにおける高利得化および低雑音化を同時に実現できる技術を提供する。
【解決手段】ベースパッド３１およびコレクタパッド３２の下部にエミッタ（基準（接地）電位）と電気的に接続された配線２４が設けられた基板シールド構造とすることにより、ベースパッド３１およびコレクタパッド３２と配線２４との間では容量が設けられた構造として電力消費をなくし、基板１からの熱雑音は、配線２４を介して基準（接地）電位へと逃がし、ベースパッド３１およびコレクタパッド３２へは届かないようにする。 （もっと読む）