【課題】ヘテロ構造のｐｎ接合において、電子が妨げられることなく注入されるようにする。
【解決手段】Ｇａを含む窒化物半導体からなるｎ型の窒化物半導体層１０１と、窒化物半導体層１０１に接合して形成されたｐ型のシリコンからなるｐ型シリコン層１０２とを少なくとも備える。窒化物半導体層１０１とｐ型シリコン層１０２とは、接合界面１０３により接合している。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 （もっと読む）

【課題】犠牲層を介してＩｎＰ系のデバイスを形成したときに、犠牲層としてＡｌＡｓ単層を用いたときのデバイス特性よりも良好なデバイス特性を得ることができ、かつ、犠牲層をエッチングする際に、デバイス層もエッチングされてしまう虞のない半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】保護膜３５の平坦面３５Ａに支持基板１０を接合もしくは接着したのち、ＩｎＰと疑似格子整合するＩｎＡｌＡｓからなる犠牲層４２を、フッ酸を用いて選択的に除去することにより、ＩｎＰ基板４１を、ＩｎＰ系のデバイス層２１を含む支持基板１０から剥離する。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合であっても、該電位変動の影響を受け難く、耐圧等の他の特性と両立できる、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜１２上のＳＯＩ層１３に、埋め込み酸化膜１２に達する絶縁トレンチ１７が形成され、該絶縁トレンチ１７により取り囲まれたＳＯＩ層１３からなる第１絶縁分離領域Ｚ１に、バイポーラトランジスタＴｒ１が形成されてなる半導体装置１００であって、第１絶縁分離領域Ｚ１を取り囲む絶縁トレンチ１７の外側のフィールド領域Ｆが、バイポーラトランジスタＴｒ１に印加される最高電位Ｖｍａｘと同じ電位に設定されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａと非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａとが形成された半導体装置２０の製造方法において、表面に酸化膜、ゲートパターン、不純物イオン注入部が形成された後に平坦化されており、所定の深さに所定の濃度の水素イオンが注入された水素イオン注入部１５を備えた単結晶Ｓｉ基板１０ａを熱処理によって絶縁基板２上に接合し、さらに水素イオン注入部１５において熱処理により劈開剥離した後、非晶質Ｓｉ薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯにおける配線の高密度化、デバイス特性の向上を図ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０に犠牲層を介して成長させたデバイス層に所定のデバイスおよび接続用パッドを形成する工程と、支持基板２０に所定のパターンおよび接続用パッドを形成する工程と、半導体基板１０の接続用パッドと支持基板２０の接続用パッドとが接続金属を介して導通するよう半導体基板１０と支持基板２０とを貼り合わせる工程と、半導体基板１０と支持基板２０とを貼り合わせた状態で犠牲層をエッチングにより除去して半導体基板１０とデバイス層とを分離する工程とを備える半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ELO（エピタキシャルリフトオフ）を用いた半導体装置の製造方法において、短時間で確実に半導体基板と支持基板（デバイス層側）との分離を行うこと。
【解決手段】本発明は、半導体基板１に犠牲層２を介して成長させたデバイス層４に所定のデバイスを形成し、そのデバイス層４側に支持基板１０を貼り合わせた状態で犠牲層２をエッチングにより除去して半導体基板１とデバイス層４とを分離する工程を備えた半導体装置の製造方法であり、犠牲層２を除去するにあたり、予めデバイス層４から犠牲層２まで溝ｄを形成しておき、この溝ｄを介してエッチング液を犠牲層２まで浸透させる方法である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パワー用半導体素子のコレクタ領域でのシート抵抗値を低減させることが難しいという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上に２層のＮ型のエピタキシャル層５、６が形成されている。基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。そして、基板の裏面５６側には、Ｎ型の埋込拡散層２１とコンタクトする金属層５７が形成されている。この構造により、金属層５７がコレクタ領域として用いられ、コレクタ領域でのシート抵抗値を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パワー用半導体素子のコレクタ領域でのシート抵抗値を低減させることが難しいという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上にＮ型のエピタキシャル層５が形成されている。基板４の裏面５４からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層１９が露出している。そして、基板の裏面５４側には、Ｎ型の埋込拡散層１９とコンタクトする金属層５５が形成されている。この構造により、金属層５５がコレクタ領域として用いられ、コレクタ領域でのシート抵抗値を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】活性層を劣化させることなく窒素を含むｐ型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。as-grownの状態では、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２中においてＭｇが水素原子と結合している。次に、窒素雰囲気下で、サファイア基板１の裏面からレーザを照射する。弱いレーザの照射により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２の水素離脱による低抵抗化を行なう。その際、積層部１０中のドーパントの拡散を抑制して、ドーパントプロファイルの急峻性を維持することができる。その後、強いレーザの照射によって、サファイア基板１を積層部１０から分離させることもできる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス、とくには複数のゲートをフィンガー状に備えるＨＥＭＴなどの高周波かつ大電力のデバイスであって、公知の空中ブリッジ構造より小型であり、かつ放熱が要求されるデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの大電力のデバイスの製造に適しており、ソース・コンタクト間の接続が、空中ブリッジ構造によって製造されるのではなく、半導体層を貫いてビアをエッチングし、デバイスの背面に設けられたコンタクト層に直接接続することにより達成する。 （もっと読む）

【課題】縦構造のバイポーラトランジスタを用い、コレクタの電極取り出しを基板の裏面側で行うことで、バイポーラトランジスタのデバイス面積を縮小化するとともに高速動作化を可能とする。
【解決手段】バイポーラトランジスタ１００とＭＯＳ型トランジスタ２００とを同一基板１０に搭載した半導体集積回路装置１であって、バイポーラトランジスタ１００は、エミッタ層１２０、ベース層１１０、コレクタ層１３０が基板１０主面に対して垂直方向に配列されたものからなり、ベース層１１０に接続されるベース取り出し電極１１１が基板１０の主面側に設けられ、エミッタ層１２０に接続されるエミッタ取り出し電極１２１が基板１０の主面側に設けられ、コレクタ層１３０に接続されるコレクタ取り出し電極１３１が基板１０の主面とは反対の裏面側に設けられたものである。 （もっと読む）

高出力半導体デバイスのための基材配置物は、ＳｉＣウエハの表面上に付着させたＳｉ層を有するＳｉＣウエハを包含する。Ｓｉ第１層、ＳｉＯ_２中間層およびＳｉ第３層を有するＳＯＩ構造体が、そのＳｉ第３層を、ＳｉＣウエハ上に付着させたＳｉに接着して、単一構造体を形成する。ＳＯＩのＳｉ第１層およびＳｉＯ_２中間層を除去して、純粋なＳｉ第３層を残し、この上にさまざまな半導体デバイスを製作することができる。Ｓｉ第３層および付着Ｓｉ層を、１種以上の半導体デバイスをＳｉＣウエハ上に製作することができるように基材配置物の一部にわたり除去してもよい一方、他の半導体デバイスを純粋なＳｉ第３層上に対応させてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法として、縦型バイポーラトランジスタの底部に、形状良く低抵抗層を設ける方法を提供する。
【解決手段】２重ＳＯＩ基板を用意する工程と、ディープトレンチを形成する工程と、ディープトレンチを埋め込む工程と、開口部54を設ける工程と、空孔部56を設ける工程と、多結晶シリコン層80を堆積する工程と、バイポーラトランジスタを形成する工程とを有している。開口部を設ける工程では、ドライエッチングを行って、バイポーラトランジスタ被形成領域55の、第２埋め込み酸化膜40を露出させる。空孔部を設ける工程では、ウェットエッチングにより、バイポーラトランジスタ被形成領域内の第２埋め込み酸化膜を除去する。多結晶シリコン層を堆積する工程では、上述の工程で形成された、互いに連通している開口部及び空孔部に多結晶シリコン層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】厚み方向の特定領域に重金属を拡散させた半導体素子及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｎ型半導体基板５１の一方の主面に、Ｐ型半導体領域１２を形成する。Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。次に、Ｎ型半導体基板５１の他方の主面と、第２Ｎ型半導体領域２２とを重ね、熱処理によって固着させる。 （もっと読む）