【課題】クランプ部材によって電極に固定された半導体装置に用いる基板表面を、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマガ照射面から発生したエッチング副生成物が基板表面に付着することを容易に防止するドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】装置内３０ａに気体を導入してプラズマを発生させ、装置内３０ａに配設された一対の電極６，７の内、一方の電極７にクランプ部材５によって固定された基板２の表面２ａに前記プラズマを照射させて該基板表面２ａをドライエッチングするドライエッチング装置１において、クランプ部材５の基板２に対向する面５ｂａがテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面５ｂａが基板２の周縁２ａｅに線接触することで基板２が一方の電極７に固定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面温度の均熱化が可能な基板加熱装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、セラミックス基体に埋設された抵抗発熱体とを有し、加熱面が中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状である、基板加熱装置である。抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス基体を形成する工程と、加熱面となる、セラミックス基体の一方の面を、中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状に研削加工する工程と、セラミックス基体の他方の面の中央領域に筒状部材を接合する工程とを有する基板加熱装置の製造方法である。 （もっと読む）

基材の温度を制御する装置が、基材テーブルと、基材テーブルに配置され、基材テーブルの熱表面と熱的に接続する熱組立体を有する。熱組立体は、熱輸送流体を輸送するチャネルを有する。装置は、熱輸送流体の温度を第１温度に制御するように構成される第１流体ユニットと、熱輸送流体の温度を第２温度に制御するように構成される第２流体ユニットと、熱組立体のチャネル、第１流体ユニットと第２流体ユニットと流路連通する出口流制御ユニットとを更に有する。出口流制御ユニットは、第１温度を有する熱輸送流体と第２温度を有する熱輸送流体の少なくとも１つまたはこれらの組み合わせを含む制御された熱輸送流体をチャネルに供給するように構成される。
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【解決課題】本発明は、最少スカラップ基板処理方法に関する。
【解決手段】基板を少スカラップで処理することによって耐久性と品質が改善される。ポリマー蒸着ステップと基板エッチングステップとをあらゆる順序で交互に実施することで、エッチングマスクを通して層に特徴部をエッチング加工する。さらに、プロセスステップ間のプロセスガス圧は実質的に等しくてもよい。また、基板処理全体を通じて継続プラズマ流が維持される。また、プロセスガスが２５０ミリ秒以下で切り替えて、１体の質量流制御バルブによってプロセスガスをコントロールできる。 （もっと読む）

【課題】 改良されたフォーカスリングに対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で基板ホルダに組み合わせるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングの寿命を決定する１つ以上の消耗インジケータを有するフォーカスリングを具備し、そこにおいて、このフォーカスリングを基板ホルダに組み合わさせることは、プラズマ処理システムのフォーカスリングの自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたリングをセンタリングすることは、フォーカスリング上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）