【課題】基板の外周側縁部上面を覆う保護部材を高精度に位置決めすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、基板Ｋが載置される基台２１と、処理ガスを供給するガス供給装置４５と、処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置５０と、基台２１に高周波電力を供給する高周波電源５５と、環状且つ板状に形成され、基台２１の外周部に載置可能に構成されるとともに、基台２１の外周部に載置されたときに、内周側縁部によって基板Ｋの外周側縁部上面を覆う環状且つ板状の保護部材３１と、保護部材３１を支持する支持部材３５と、基台２１を昇降させる昇降シリンダ３０とを備える。保護部材３１の下面には、基台２１上に載置される際に基台２１の外周部と係合する少なくとも３つの第１突起３３がピッチ円上に形成され、このピッチ円の中心は、保護部材３１の中心軸と同軸になっている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】加工用基板の表裏両面を同時に表面加工できようにし、生産効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を、より良く抑制することが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを用い、被処理体に対する処理エリアを制限しながら被処理体に対して処理を行う基板処理方法であって、加熱機構を有した載置台上に、被処理体を載置する工程（ｔ１）と、加熱機構を用いて、載置台に載置された被処理体を目標加熱温度まで加熱する工程（ｔ２）と、目標加熱温度に達した被処理体に、被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを接触させる工程（ｔ３、Ａ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。
【解決手段】ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。これにより、測定した電流の大きさ、変化に基づいて試料２の層毎の違いを検出できる。その結果、任意の深さでエッチングを止めて、エッチング深さを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エッチング中の基板表面のＶｐｐ（ＲＦバイアス電圧のピーク間電圧差）又はＶｄｃ（自己バイアス電圧）を正確に測定し、高精度加工を可能にするとともに、基板間の加工再現性を向上させる。
【解決手段】被エッチング材料の表面に保護膜により所定のマスクパターンが形成された基板(28)をチャンバ(12)内に配置し、チャンバ(12)内にプロセスガスを供給しながら、当該チャンバ内にプラズマを発生させ、マスクパターンの開口部分に対応する被エッチング材料をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程におけるエッチング処理中に、基板(28)のマスクパターンが形成されている面の被エッチング材料の表面に接触させた導電性部材(36)を介して当該基板表面の電圧を測定する電圧測定工程と、電圧測定工程の測定結果に基づいてエッチング条件を制御する制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハをエッチングするエッチング処理装置は、該ウエハを保持するチャックと、該ウエハの温度を知らせる温度センサとを含む。チャックは、温度制御システムによって制御されるヒータを含む。温度センサは、温度制御システムに作動的に結合されて、チャックの温度を選択可能な設定温度で維持する。第１の設定温度及び第２の設定温度を選択する。ウエハをチャック上に配置し、第１の設定温度に設定する。次に、ウエハを、第１の設定温度で第１の時間だけ処理し、第２の設定温度で第２の時間だけ処理する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に置かれるタイプの全体に平坦な加工品に細長い特徴部分をプラズマエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品１３をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分１６の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略０°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。更に、この方法は、加工品が決定された曲率で曲げられている一方で、同じタイプの加工品をさらに処理することを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。高周波誘導アンテナとプラズマ間の容量結合を遮断し誘導結合させるファラデーシールド９には、位相検出器４７−２による監視の基に、位相制御器４４から制御を受けたファラデーシールド用高周波電源４５からの出力が整合器４６を介して電源供給される。複数のフィルター４９が、ファラデーシールド９を異なる箇所で高周波電圧をグラウンドに短絡させており、発生するプラズマ生成用高周波と同一周波数を持つ不均一な電圧分布の発生を防止する。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易な構造で確実にワークと金属製マスクを固定できるワーク保持治具を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、プラズマ生成部と、ステージと、ワーク保持治具とで少なくとも構成され、プラズマ生成ガスを吸引しプラズマを処理基板上にダウンフローさせて基板を処理するプラズマ処理装置において、ワーク保持治具が、処理基板６０を所定の位置に保持すると共に磁気を生じさせるワーク保持台５０と、ワーク保持台に保持された処理基板上に載置固定される磁性体からなるメタルマスク８０とによって構成され、ワーク保持台が、ワーク保持台から延出する少なくとも一対の位置決めロッドを具備すると共に、処理基板及びメタルマスクには、所定の位置に位置決め用孔が形成され、処理基板及びメタルマスクを、位置決めロッドがそれぞれの位置決め用孔に貫通するようにワーク保持台に載置することにある。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを行う際のサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】半導体素子の形成のための溝に対応するマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備えるＳＯＩ基板などの半導体基板をドライエッチング装置の下部電極に置き、下部電極との間にコンタクトなどが配置されて下部電極と略同電位となる金属性のクランプにより絶縁部材を介して前記半導体基板を押さえて半導体基板を下部電極に固定し、前記絶縁膜をエッチングストッパ層としてドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、サイドエッチングの発生を抑制する。
【解決手段】半導体素子を形成する領域に溝を形成するためのマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備える半導体基板をドライエッチング装置の下部電極上にマスクを備える面が被加工面になるように置き、前記半導体基板の外周部を前記下部電極と略同電位となる金属性のクランプにて押さえ、前記絶縁膜をエッチングストッパ層とするドライエッチングを開始し、すくなくとも、前記領域の周囲に形成される溝の底面が前記絶縁膜に達した後は、前記領域と前記クランプとを電気的に絶縁状態にする。 （もっと読む）