【課題】エッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びそのエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓを固定するためのクランプリング３３と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材３４とを有してなり、基板トレイが、第１の表面凹部３２ａと第２の表面凹部３２ｃとの２段の表面凹部、及び裏面凹部３２ｄと裏面凹部を囲んで基板電極３１に接触する周囲接触面部３２ｅとを有し、冷却ガス流路３２ｆが形成されたものであり、リング部材が１．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料から構成されていること。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】エッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓの周縁部Ｓａを押圧して基板トレイ３２上に固定するように構成されたクランプリング３３と、クランプリングと基板の周縁部との間に設けられたリング部材３４とを有し、基板トレイが、表面に表面凹部３２ａが、かつ裏面に裏面凹部３２ｂと裏面凹部を囲んで基板電極３１に接触する周囲接触面部３２ｃとが形成され、そして冷却ガス流路３２ｄが形成されたものであり、リング部材が、１．５Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有する材料から構成されている。このエッチング装置を用い、基板の載置された基板トレイを基板電極上に装着し、基板の周縁部をリング部材を介してクランプリングで押圧して固定し、冷却ガス流路にガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板温度を所定の温度まで冷却可能な形状を有する基板トレイ、並びにエッチング中に基板割れを生じることなく加工できるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓの周縁部を押圧して基板トレイ２２上に固定するように構成されたクランプリング２３を有してなり、基板トレイが、第１の表面凹部２２ａと第２の表面凹部２２ｃとの２段の凹部が形成された表面、及び裏面凹部２２ｄと裏面凹部を囲んで基板電極２１に接触する周囲接触面部２２ｅとが形成された裏面を有し、そして冷却ガス流路２２ｆが形成されている。このエッチング装置を用い、基板トレイに載置された基板の周縁部をクランプリングで押圧して基板を固定し、冷却ガス流路に冷却ガスを流しながら、高密度プラズマ雰囲気下で基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウエハのような大型でかつ薄いワークを用いた場合であっても、割れを防止しつつ、十分な加工量でワークの縁部の角に面取り加工を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を支持する支持部４と、支持部４に支持されたワーク１０の縁部１０２付近に、互いの離間距離が当該ワーク１０の中央部側から縁部１０２側に向けて漸減するように対向配置された第１の電極２１および第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２との間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理に従い消耗するフォーカスリング厚さを監視する。
【解決手段】真空容器１と、被加工試料設置手段５と高周波電力導入手段４と高周波バイアス電力導入手段７を有し、真空容器１内に導入されたガスを高周波電力導入手段４から導入された高周波電力でプラズマ化したプラズマにより被加工試料６の表面処理を行うプラズマ処理装置であって、被加工試料設置手段５上に載置された被加工試料６の周囲に円環状部材１１を備え、真空容器１側壁に対向してアスペクト比が３以上の一対の筒を設け、それぞれの筒はその先端をガラス材により真空に封じられ、それぞれの筒はガラス材の大気側に真空容器内に向けて配置された光源１５または真空容器内に向けて配置された受光手段１６を有しており、円環状部材１１表面を通過してきた光を受光手段１６にて受光する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを安定して吸着し処理のスループットを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部のプラズマが形成される処理室と、この内側に配置されその上面にウエハを静電吸着に保持する試料台と、この試料台の前記上面配置され前記ウエハを加熱する第一のヒータと、前記試料台内の前記第一のヒータ下方で下方の試料台内部に前記上面の外周側でこれを囲んで配置された第二のヒータと、前記第二のヒータにより前記試料台下部の温度が中央側より外周側が高くなるように前記第二ヒータの動作を調節する調節器とを備えた。 （もっと読む）

本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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【課題】複数のプリント配線基板の全面領域にわたって処理の均一性を改善できる多電極プラズマ処理システムの提供。
【解決手段】装置は、真空チャンバ１４と、隣接する対が真空チャンバ１４の内側に配置された、複数の並列配置された電極２８と、電極２８に電気的に接続されたＲＦ発生器３０とを具備している。装置は、ガス分配マニホールドと、ガス分配マニホールド６０に結合された複数のガス分配管６２とを具備している。それぞれのガス分配管６２は、開口部６３ａを有し、それぞれの隣接する電極２８の対の間に、源ガスを注入するように構成されている。装置はさらに、流れ制限部材を具備し、これが動作して、それぞれの隣接する電極の対の間の周辺ギャップを部分的に塞ぎ、それぞれの隣接する電極の対の間にて処理チャンバからの源ガスの逃げを制限する。 （もっと読む）

【課題】試料台外周カバー内に該カバーを加熱および冷却する加熱機構および冷却機構を配置し、試料台外周カバーを試料の温度とは独立に高速に温度調整する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室内に配置された試料台１と、前記真空処理室に処理ガスを導入するガス導入手段を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記試料台上に配置した試料２にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、載置する試料よりも大径の試料台基台部１ａと該試料台基台部上に所定高さ突出して形成した前記試料よりも小径の試料載置部１ｂと、前記試料台基台部上に突出して形成された試料載置部の外周および前記試料台基台部の外周をリング状に被覆する外周カバー３を備え、前記外周カバーの前記試料載置部の外周部分には、外周カバーを冷却するための冷却機構５および外周カバーを加熱するための加熱機構４を備えた。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。トレー３２の周縁は、クランプ機構３３によってステージ２６に保持される。基板Ｗは、当該基板Ｗとステージ２６の間に静電力を発生させることで、トレー３２上に保持される。トレー３２は、当該トレー３２に冷却ガスを接触させることで冷却される。基板Ｗは、真空チャンバ内にプラズマを発生させることでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】 基板が密着性よく保持され、当該基板との間で迅速な熱交換が行われるようにした真空処理装置用の搬送トレーを提供する。
【解決手段】 処理すべき基板Ｓに対し真空雰囲気にて所定の処理を実施する真空処理装置に搬送自在であって、当該基板の少なくとも１枚を保持できる搬送トレー１において、この搬送トレーの一面に基板の外形に対応した凹部２が形成され、当該凹部の底面２ａに熱伝導性シートが貼着され、当該凹部に落とし込むことで設置される基板の外周縁部を熱伝導性シートに対して押圧する押圧手段４を設けた。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウム材料の加工性を高めると共に、耐摩耗性を高める。
【解決手段】静電チャック２０は、破壊靱性をＫ_IC（ＭＰａ・ｍ^1/2）、加重９．８Ｎにおけるビッカース硬度をＨｖ（ＧＰａ）とすると、ビッカース硬度Ｈｖが１０ＧＰａ以上であり、Ｋ_IC／Ｈｖが０．１５以上である好適範囲にある酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、酸化イットリウムを母材としての第１相とすると、第１相以外の第２相が５体積％以上２０体積％以下で含有していることが好ましい。この第２相は、加重９．８Ｎにおけるビッカース硬度Ｈｖが１２ＧＰａ以上を示す化合物、例えば、窒化物又は炭化物としてもよい。あるいは、この第２相は、酸化イットリウムに対して５ｍｏｌ％以上に固溶限が存在する酸化物又は該酸化物と酸化イットリウムとの化合物、例えば希土類酸化物などとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。
【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大きいプラズマ熱流束を要せずに、リアクティブ・イオンエッチングの間に半導体ウェーハの温度を制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】温度制御型ベース（３０２）と、断熱材（３０４）と、平支持体（３０６）と、ヒータ（３０８）とを有するプラズマ加工機のチャック。温度制御型ベースは、ワーク（３１０）の所望温度以下の温度を有する。温度制御型ベース上には断熱材が配置される。断熱材上には平支持体が配置され、該平支持体はワークを保持する。ヒータは、平支持体内に埋設されおよび／または平支持体の下面上に配置される。ヒータは、複数の対応加熱ゾーンを加熱する複数の加熱要素を有している。各加熱要素に供給される電力および／または各加熱要素の温度は独立的に制御される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】複数枚の基板を温度制御しながら処理する。
【解決手段】基板トレイ３１には、支持板３２の貫通孔３５を覆うように複数の基板７が配置される。基板トレイ３１と載置台２１の間にはリング状の弾性部材４１が配置され、各貫通孔３５は弾性部材４１のリング内側の空間と対面するから、そのリング内側の空間に熱媒体ガスを供給すると、各基板７が熱媒体ガスと接触して冷却又は加熱され、各基板７を温度制御しながらエッチング等の処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
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本発明は、プラズマ処理装置の基板ホルダーに関するものであって、複数個の基板が装入される下板と、上記下板の上部に結合されて装入された基板を固定させる上板とを含み、プラズマ工程時に基板をホールディングするプラズマ処理装置の基板ホルダーであって、上記上板は、テフロン、セラミック、及び金属類の中から選択されたいずれか１つから構成され、上記下板はアルミニウムまたはセラミックから構成され、上記下板には工程時に基板の温度が均一に維持されるようにするガスが供給されるガス供給口が穿孔され、上記基板と下板との間には基板の温度均一性を維持するための恒温シートまたは恒温コーティング層を構成したことを特徴として、プラズマ工程時、基板の縁領域で発生するプラズマエッチングパターンの均一度を向上させることができるようになる。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の特定部位を効率的に洗浄することのできる基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させるヘリコンＲＦ部と、前記ヘリコンＲＦ部の下方に基板を載置してプラズマによりフォトレジストを剥離する基板設置部とからなるプラズマアッシャーにおいて、前記ヘリコンＲＦ部と基板設置部に間に押さえリングを固定し、前記押さえリングに矩形状スリットを空けたフォーカスプレートを載せることにより、前記基板設置部に載置したフォトマスクの表面及び端面を均一に洗浄することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）