【課題】保持テープと保持手段との密着力をより向上させることの可能な被加工物保持方法を提供する。
【解決手段】表面に保護テープが貼り付けられた被加工物の裏面を，処理ガスの雰囲気下においてエッチングするエッチング装置における被加工物保持方法であって，被加工物をエッチングする前に，保持手段と連通する真空吸引手段により，被加工物を保持手段に吸引保持してＳ１３０，エッチング装置のチャンバ内の圧力を，被加工物をエッチングするときのチャンバ内の圧力より高圧にしてＳ１５０，被加工物をチャンバ内に設けられた保持手段により静電吸着するＳ１７０。 （もっと読む）

【課題】基板および膜面に対して高品質なレーザ加工を行い、コンパクトで必要最低限度の設置面積を実現するレーザ加工装置、及びレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、Ｘプレート３６の上に載置されて、Ｘ方向に平行である１組の端辺の一方の辺に設置される第１立ち上がり軸５０Ａと、もう一方の端辺に設置される第２立ち上がり軸５０Ｂとを有する基板立ち上げプレート３７とを有する。該基板立ち上げプレート３７上には、基板１００を積載して固定するための固定部２８と、該基板立ち上げプレート３７に対してＹ方向に移動可能なＹプレート３１が載置される。上記基板立ち上げプレート３７は、第１立ち上がり軸５０Ａおよび第２立ち上がり軸５０Ｂを中心に、上記Ｘプレート３１の水平面に対して水平方向から垂直方向までの傾斜角度範囲内において回動自在であり、任意位置においてＸプレート３１に対して固定される。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂添加をともなう高誘電率膜の選択エッチング
【解決手段】シリコンベースの材料に対し高誘電率層を選択エッチングするための方法が提供される。高誘電率層は、エッチングチャンバ内に配される。Ｈ₂を含むエッチャントガスが、エッチングチャンバ内に供給される。シリコンベースの材料に対し高誘電率層を選択エッチングするために、エッチャントガスからプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力が印加される電極によって生じる被処理基板の加熱の不均一性を抑制または防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板８を収容する処理管２と、処理管２の外部であって、処理管２を囲うように配置された加熱手段４と、処理管２内に所望の処理ガスを供給するガス供給手段１３と、処理管２と加熱手段４との間に配置され、少なくとも一対の高周波電力が印可される第１の電極６とアース設置される第２の電極７とから構成される電極と、処理管２と電極との間に配置される均熱管と１６、を備え、均熱管１６は、黒色石英、不透明石英、アルミナから選ばれた材質にて構成される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力が印加される位置のガス供給管に発生する局部的なプラズマの異常を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が積層された状態で収容される処理管２と、処理管２の外部であって、処理管を囲うように配置された加熱手段４と、処理管２内に所望の処理ガスを供給するため、基板の積層方向に延在するガス供給管と、処理管２と加熱手段４との間に配置され、処理管２の周囲を囲うように配置されたガス活性化手段１８、１９と、を備え、ガス活性化手段１８、１９は、高周波電力が印加される第１の電極群１８と、アース接地される第２の電極群１９とを有し、第１の電極群１８の各電極３１と第２の電極群１９の各電極４１とが交互に配置され、第１の電極群１８の電極３１と第２の電極群１９の電極４１は、それぞれガス供給管の延在方向と同じ方向に延在する形状である。 （もっと読む）

【課題】 基板支持体の温度を希望の範囲に常時制御する改良された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバー内の基板の温度を±５℃の温度均一性で制御するための基板支持アッセンブリ及び方法が提供される。基板支持アッセンブリは、アルミニウム材料で構成される熱伝導性本体と、この熱伝導性本体の表面にあって、そこに大面積ガラス基板を支持するように適応される基板支持面と、熱伝導性本体内に埋設された１つ以上の加熱素子と、熱伝導性本体内に埋設されて、１つ以上の加熱素子の周りに位置された１つ以上の冷却チャンネルと、を備えている。また、本発明の基板支持アッセンブリを備えたプロセスチャンバーも提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ処理中においてもフィルム基板が基板電極から離れることなく密着した状態を保ち、均一なプラズマ処理方法の提供を目的とする。
【解決手段】１対の円形の電極である基板電極２と対向電極との間に発生するプラズマ空間で円形のフィルム基板３を表面処理する際に、前記フィルム基板３に密着する凸型の球面形状を有した円形の冷却板２ａと、内周が前記冷却板２ａの外周より大きい平板状のリング６とを備え、前記フィルム基板３の外周は前記冷却板２ａの外周より大きく、かつ、前記フィルム基板３を前記冷却板２ａに載せた後、前記リング６で押さえることによって下方に応力がかかるようにしたプラズマ処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。
【解決手段】異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の延長部材１４２との間にろう付け材料２０４を介して金属包含層２０２をもったシール手段１４０をろう付けする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハＷ等の基材を温度調節したり吸着したりするための流体路を、回転ステージ１０の中心からずれた位置に配置した構造を実現し、中心軸Ｌｃ上には他の構成部材の配置スペースを確保する。
【解決手段】
固定筒６０に回転筒５０を回転可能に挿通する。回転筒５０の下端部に回転駆動手段を連結し、上端部にステージ本体１１を連結する。ステージ本体１１には流路ターミナルとして環状冷却室１１ａや吸着溝１１ｂを設ける。固定筒６０の外周面には、流体ポート６１ａを形成し、内周面にはこのポートに連なる環状路６１ｃを形成する。回転筒５０には軸方向路５１ａを形成し、この軸方向路の下端部を前記環状路に連ね、他端部を前記流体ターミナルに連ねる。 （もっと読む）

【課題】 被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】チッピング等のダメージの生じない素子分離法の提供。
【解決手段】分離予定ライン１０ａで区画されて表面１０に複数のデバイスが形成されたウェーハ１の裏面１１のうちデバイスに相当する部分にマスキング４を施して分離対応領域１１ａを露出させるレジスト膜被覆工程と、プラズマエッチングによって裏面１１側から分離予定ライン１０ａをエッチングして分離溝を形成し、個々のデバイスに分割するエッチング工程とから構成され、レジスト膜被覆工程では、表面１０側における分離溝の許容最大幅をＷ_１とし、分離対応領域１１ａの幅をＷ_２とし、ウェーハの厚みをＴとした場合、（Ｗ_１≦Ｗ_２≦１０Ｗ_１）及び（０．１Ｔ≦Ｗ_２）の関係を有するようにマスキングを施して分離対応領域１１ａを露出させ、エッチング工程では、分離対応領域１１ａから分離予定ラインをエッチングし、表面において分離対応領域１１ａの幅より狭い溝幅を有する分離溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の上の誘電体層をエッチングするための方法が提供されている。フォトレジストマスクが、誘電体層の上に形成される。基板は、プラズマ処理チャンバ内に配置される。ＮＦ₃を含むエッチャントガスが、プラズマチャンバに供給される。ＮＦ₃ガスから、プラズマが生成される。誘電体層は、ＮＦ₃ガスから生成されたプラズマによってフォトレジストマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

本発明は、処理ステーションを有する基板（特に、半導体ウエハ）（１３０）を処理する設備（特に、真空処理設備）に関するものである。この設備は、基板（１３０）を保持及び／又は搬送するキャリア（１２０）をクランプするフレーム（１１０）を有しており、これにより、基板（１３０）を表面全体でキャリア（１２０）に固定することができる。処理ステーションは、好ましくは、平坦な外部表面（１４１）を有するチャック電極（１４０）を有しており、このチャック電極（１４０）の外部表面（１４１）に平行に隣接してキャリア（１２０）を位置決め可能である。キャリアは、特に、非導電性の誘電体材料から構成されると共に、一方の面に導電性レイヤ（１２２）を備えており、この結果、チャック電極（１４０）とキャリア（１２０）が静電チャックを形成している。
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【課題】アルミナ結晶またはイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）結晶を主結晶とする焼結体において、ＹＡＧ粒子の粒成長や偏析により機械的特性が低下しやすく、耐食性を向上できなかった。
【解決手段】耐食性部材を、金属元素としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で７０〜９８質量％、ＹをＹ_２Ｏ_３換算で２〜３０質量％含有し、アルミナ結晶またはイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）結晶を主結晶とする焼結体から形成し、前記ＹＡＧ結晶の数の７０％以上が、前記アルミナ結晶に接しているものとする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中の被処理物の状態をリアルタイムで観察可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１１は、内部空間１５の底壁側に被処理物１が配置される真空容器１２、真空容器１１の外側の上方に配置され、かつ平面視で隙間が形成されるように配置された導体を備えるプラズマ発生用のコイル３６、内部空間１５の上方を閉鎖し、かつ平面視でコイル３６の導体間の隙間と対応する位置に透明部３０を備える頂壁１６、及びコイル３６の上方に配置され、コイル３６の導体間の隙間と頂壁１６の透明部３０とを介して被処理物の少なくとも一部を視野に収めることができるカメラ４５を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率良くストリートを分離できるようにする。
【解決手段】ウェーハの加工装置１は、ウェーハの裏面を研削する研削手段２と、ウェーハの裏面側から表面側を透過させてストリートを認識してストリート相当領域以外の領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３と、ストリート相当領域を裏面から表面にかけてエッチング除去してウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング手段と４から構成され、ウェーハ裏面の研削からデバイスへの分割までを行うことができる。レジスト膜被覆手段３においては、赤外線撮像部３２によってウェーハを裏面側から撮像して表面側に形成されたストリートを認識し、レジスト膜噴射部３４からストリート相当領域以外の領域に向けて液状レジストを噴射することにより、ストリート相当領域のみを露出させることができる。 （もっと読む）

【課題】ワークにドライエッチングを施して、ワーク上に多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、ワーク周縁部のパターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないドライエッチング装置を提供すること。
【解決手段】ドライエッチング装置のプラテン電極２２を、円盤状の金属板２３と、金属板２３に取り付けられワーク３を載置するリング状の弾性部材２４と、金属板２３と弾性部材２４とを囲むように配置されたリング状の絶縁部材２６とで構成し、更に絶縁部材２６の内側に、ワーク３の外径と略同一又はワーク３の外径以上の外径を有する金属製のリング部材２５を、金属板２３及び弾性部材２４の外周を囲むように金属板２３と導通状態で設けた。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチング装置において、基台にメカニカルクランプとウェーハ冷却用ヘリウムガスを使用するに際し、ウェーハの厚みが薄いなどの理由で真空雰囲気の反応室側へのウェーハの撓みが増大し、ウェーハの面内温度の不均一が発生する問題を解消できる構成からなる当該装置と基台ならびにこれらの駆動方法の提供。
【解決手段】 基台外周付近に微小な凸段差を設け、プラテンと基板との間に良好な熱伝達ができる範囲の隙間を確保して、熱媒体のヘリウムガスの導入するに際し、基台外周付近に小径のガス抜き孔を多数設け、ガス抜き孔を通してヘリウムガスを一定流量で均一に流すことにより、ウェーハ背面のガス圧力に中心部と外周側との間に所要の傾斜を持たせてウェーハの撓みに合わせることで、ウェーハ面内の温度分布を均一に維持でき、ウェーハ背面のガス圧力の傾斜を制御することにより、ウェーハの過大な撓みと面内の温度不均一を防止できる。 （もっと読む）

【課題】クランプ部材によって電極に固定された半導体装置に用いる基板表面を、プラズマを用いてドライエッチングする際、クランプ部材のプラズマガ照射面から発生したエッチング副生成物が基板表面に付着することを容易に防止するドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】装置内３０ａに気体を導入してプラズマを発生させ、装置内３０ａに配設された一対の電極６，７の内、一方の電極７にクランプ部材５によって固定された基板２の表面２ａに前記プラズマを照射させて該基板表面２ａをドライエッチングするドライエッチング装置１において、クランプ部材５の基板２に対向する面５ｂａがテーパ状に形成されており、該テーパ状に形成された面５ｂａが基板２の周縁２ａｅに線接触することで基板２が一方の電極７に固定されることを特徴とする。 （もっと読む）