【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

パターン化媒体ディスクをエッチングするためのシステムが提供される。可動電極を用いてスパッタエッチングを実行する。電極は、ＲＦエネルギーをディスクに結合するべく、基板の近くに、もしくはわずかに接触するまで移動する。エッチングされる材料は、金属であってよく、たとえば、Ｃｏ／Ｐｔ／Ｃｒもしくは類似の金属であってよい。基板は搬送装置内で垂直に保持され、両面が順次的にエッチングされる。つまり、一面側が１つのチャンバ内でエッチングされ、その後、第２面側が次のチャンバでエッチングされる。２つのチャンバの間には遮断弁が配置されており、ディスク搬送装置はディスクをチャンバ間で移動させる。搬送装置は、たとえば磁気車輪及びリニアモーターを用いたリニア駆動式搬送装置であってよい。 （もっと読む）

【課題】処理室に設けられる強度部材の腐食を防止し、Ｆｅ等の金属による基板の金属汚染を防止し、品質の向上と歩留りの向上とを図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置１に於いて、基板を収納して基板を処理する処理室３７と、処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、前記処理室３７を排気する排気ラインと、基板を加熱する加熱手段と、前記処理室３７で基板を支持する支持手段とを具備し、該支持手段を構成する強度部材を、高ニッケル合金とした。 （もっと読む）

【課題】基板全体均一な温度分布を実現する加熱並びに冷却が可能なロード・ロック・チャンバを提供する。
【解決手段】ロード・ロック・チャンバに、チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にする開口３６，４４を有するチャンバ本体３０を備える。このロード・ロック・チャンバは、いくつかの構成において構成可能であり、それには、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための基本構成；基板を加熱し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための加熱構成；及び、基板を冷却し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための冷却構成が含まれる。チャンバ構成が有する各種の特徴は、基板の迅速な加熱並びに冷却及び、同時的なチャンバの排気並びに通気を可能にすることによってシステムのスループットの向上に寄与し、更に基板のエッジ近傍における熱源量の補償を補助することによって基板全体にわたってより均一な温度が提供される。 （もっと読む）

【課題】 特性補正用リングの経時的な温度上昇を抑制して処理特性のばらつきを無くす。
【解決手段】 処理チャンバー内でプラズマＰによって基板１０に所定の処理を施す際、基板ホルダーにより基板１０を保持する。基板１０は、基板温度調節機構５により基板保持面２０を通して熱交換されて温度調節される。基板１０の周辺部での処理特性のばらつきを補正する特性補正用リング９が、基板１０の周囲を取り囲むようにして設けられる。特性補正用リング９は、基板温度調節機構５が兼用された冷却手段により冷却され、プラズマＰからの熱を蓄えて経時的に温度上昇するのが防止される。特性補正用リング９の温度は、プロセス温度に一致するよう制御される。特性補正用リング９のホルダー本体１への熱接触性が、静電吸着機構６等の接触性向上手段により向上する。 （もっと読む）

【課題】基板の破壊を防止して基板をステージ上から容易に且つ確実に取り外すことができる基板の取り外し方法を提供する。
【解決手段】ステージ２０上に基板１を保持する保持手段３０による当該基板１の保持状態を解除した後、前記基板１の前記ステージ２０側の面に気体を送風して当接させる送風工程と、該送風工程による前記気体の送風を停止する停止工程とを繰り返し行って、前記ステージ２０上から前記基板１を取り外す。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するためのデバイス。このデバイスは、シリンダ状上部部分を有する下方サポートと、上部部分の外方端部を囲み、基板を支持するようになされた、下方プラズマ排斥区域（ＰＥＺ）リングと、下方サポートに対向し、シリンダ状下部部分を有する、上方誘電体部品と、下部部分の外方端部を囲み、下方ＰＥＺリングに対向する上方ＰＥＺリングと、上方ＰＥＺリングおよび下方ＰＥＺリングによって画定された環状スペース内で、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ化させるように作動する、少なくとも１つの高周波（ＲＦ）電源とを備え、この環状スペースには、ベベル端部が含まれる。
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【課題】三フッ化塩素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおいて、エッチング対象外のシリコンのエッチング回避を効率的に行う。
【解決手段】シリコン基板７のエッチング耐性を与えられていない表面と接触する三フッ化塩素の濃度を、第１部分である上面と比べて第２部分である底面において低く維持するための不活性ガスを放出するノズル６１を備え、シリコン基板７は、前記エッチングガスの流路において前記第１部分が前記第２部分に対して上流に来るように取り付けられ、ノズル６１は、前記流路において前記第１部分に対して下流となり、かつ前記第２部分に対して上流となる地点６２に前記不活性ガスを放出する。 （もっと読む）

【課題】ワークをエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御可能とし、エネルギ線によりワークに高精度な処理を行えるようにした自律型のエネルギ線照射による処理装置および方法を提供する。
【解決手段】位置決めカメラによって保持装置に保持されたワークの保持装置に対する位置ずれ量を検出し、制御装置は処理データを位置ずれ量だけ補正してステージ装置を作動させ、保持装置をエネルギ線照射装置に対して移動させるので、保持装置に保持されたワークがエネルギ線照射装置に対して正確に位置制御され、ワークの正確な位置および範囲にエネルギ線を照射して高精度な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。シールドは開口部を有するプレートを備え、プレートは材料又は電位バイアス等の少なくとも１つの特性を有し、その特性が互いに異なる２つのゾーンを有する。本方法により、シールドを通過するイオンと中性種を分散させてフォトマスク基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

本発明は、約０℃〜約５０℃の初期温度を有する光リソグラフィ基板を室内の支持部材上に配置するステップを含む、光リソグラフィ基板の処理方法を提供する。伝熱流体を室内に導入して、光リソグラフィ基板を約０℃未満〜約マイナス４０℃未満の目標温度に冷却する。冷却された光リソグラフィ基板が初期温度に達する前に、冷却された光リソグラフィ基板にプラズマ処理が施される。
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【課題】基板を十分に冷却することができる冷却装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板２が載置される基板載置台３と、基板２を保持するとともに冷却する冷却クランプ４を備えた冷却装置６。冷却クランプ４は、基板２を上面２ｂ（処理面）側から基板載置台３に押さえつけることによって基板２を保持する。 （もっと読む）

【課題】メカニカルクランプ方式を用いたドライプロセスにおいて、被処理体をなす基板上の外周域までプラズマを用いた処理を施すことが可能な基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１は、ドライプロセス装置内に配置され、プラズマを用いた処理が施される基板を支持する基板ホルダーであって、基板２の処理面２ａが露呈するように、該基板を収容する部位（収容部）１０を備えた第一部材１１、及び基板の非処理面２ｂとともに第一部材を固定する粘着部１３を備えた第二部材１２からなることを特徴とする。この基板ホルダー１は、処理装置内のステージ３上に配置され、メカニカルクランプ４によって第一部材１１を押さえ込むことにより、第一部材と一体的に固定された基板を支持するものである。 （もっと読む）

【課題】不要な付着膜が堆積することを阻止することにより、クリーニング処理の回数を大幅に減少させてスループットを向上させるようにした処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗに対して所定の処理を施す処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び／又は前記処理容器の内部構造物の表面にＳＡＭ（Ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜よりなる膜付着防止層５４Ａ〜５４Ｈを形成する。これにより、不要な付着膜が堆積することを阻止する。 （もっと読む）

プラズマエッチング方法は、重合エッチングプロセスガスを用いて、ワークピース上のフォトレジストマスクにプラズマエッチング工程を実施するものであり、重合エッチングプロセスガスは、エッチング工程中に該フォトレジストマスクの表面に保護ポリマー層として堆積するプラズマ重合種を生成するものであり、エッチング工程後及びフォトレジストマスク除去前に、（ａ）ＲＦプラズマソース電力をチャンバに結合し、一方で、ＲＦプラズマバイアス電力をチャンバに実質的に結合しないことにより、ポリマー材料を含む種類の残渣を、該チャンバの天井を含むチャンバ表面から除去し、該残渣がチャンバ表面から除去されるまで、水素含有ガスをチャンバに導入し、（ｂ）ＲＦプラズマバイアス電力をチャンバに結合し、一方で、ＲＦプラズマソース電力をチャンバに実質的に結合しないことにより、保護ポリマー層を、フォトレジストマスクの表面から除去し、ポリマー層が、フォトレジストマスクの表面から除去されるまで、酸素及び一酸化炭素を含むプロセスガスをチャンバに導入する工程と含む。
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【課題】
【解決手段】概して言えば、本発明の実施形態は、基板の最縁部における処理均一性を高めるために、改良されたプラズマ処理機構、装置、及び方法を提供する。実施形態例において、プラズマ処理チャンバを提供する。プラズマ処理チャンバは、基板を受領するように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、更に、内部に複数のガスチャネルを備えた環状リングを含む。環状リングは、基板支持部の外縁部に近接すると共に、環状リングは、基板支持部に結合される。複数のガスチャネルは、基板支持部を取り囲む縁部ガスプレナムに接続される。縁部ガスプレナムは、複数のガス供給チャネルを介して、基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央ガスプレナムに接続される。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる基板加工時にホルダからの塵の発生を防止することができる基板保持装置及び、ホルダからの発塵を防止して歩留まりを向上した基板加工装置を提供する。
【解決手段】基板１００が載置されるステージ１４と、ステージ１４上に載置された基板１００の周縁部に当接して基板１００をステージ１４との間に挟持可能に設けられた爪部１５を有するホルダ１６とを有し、ホルダ１６の爪部１５の少なくとも先端部に、爪部１５の母材よりもイオンビームによって加工され難い材料からなる剛体部２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の技術よりも容易にメンテナンスを行うことを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、下向きの開放部５４か形成された反応管５２と、この反応管５２を重力方向下側から支持しつつ、開放部５４を塞ぐ下側容器５６とを有する。下側容器５６の一部をなす炉口フランジ６８と反応管５２との間には、Ｏリング６０が配置される。炉口フランジ６８に設けられたネジ孔６８ｂに、下側からプッシュボルト６２が螺合されていて、このプッシュボルト６２を回転させることで、プッシュボルト６８の先端部６２ａが上昇し、先端部６２ａで反応管５２が押し上げられ、反応管５２が下側容器５６から離間する。 （もっと読む）