【課題】無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに荷電粒子と中性粒子とを含むプラズマを照射することによって、基板Ｗにプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、支持部１０５に支持されている基板Ｗの面内における温度分布を調整することによって、基板Ｗの面内における、基板Ｗが中性粒子と反応する反応量の分布を制御し、支持部１０５に支持されている基板Ｗと、支持部１０５と対向するように設けられている電極１２０との間隔を調整することによって、基板Ｗの面内における荷電粒子の照射量の分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】製造されるデバイスにおける閾値のバラツキを抑制する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室内に処理ガスを供給し、さらに該処理室内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成し前記処理室内の試料載置電極上に配置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該試料載置電極は、温度調節された冷媒を通流させるための冷媒溝を備えた基材部２０２と、該基材部の試料を載置する面に同心状に複数配置されたヒータ用抵抗体２０３、および静電吸着用電極２２２，２２３を備え、前記前記同心状に配置された複数のヒータ用抵抗体のうち中央部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスを周縁部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスよりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。
【解決手段】フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。エッチングは第１エッチング工程と第２エッチング工程の２段階に分ける。第１エッチング工程では被処理物９０の温度を室温近傍にし、好ましくは２０℃〜３０℃にする。第２エッチング工程では被処理物９０の温度を５０℃〜１３０℃にし、好ましくは６０℃〜１１０℃にし、より好ましくは７０℃〜１００℃にする。 （もっと読む）

【課題】チャンバーエッチに付随する欠点を、付随する利点をなくさないで、且つ、新しい欠点を受け容れないで、緩和する。
【解決手段】エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法であって、エピタキシー反応器のサセプタ上にダミーウェハを設置すること； 該エピタキシー反応器を通してエッチングガスを導き、エッチングガスの作用によって該エピタキシー反応器内表面上の残留物を除去すること； 該エピタキシー反応器を通して第一の堆積ガスを導き、該エピタキシー反応器内表面上にシリコンを堆積させること； ダミーウェハをシリコンから構成される基板ウェハと交換すること； および該エピタキシー反応器を通して第二の堆積ガスを導き、該基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させることを含む方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用細管６から試料１１にプラズマ流１５を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器３０がレーザ光３３を照射する。これにより、レーザ光３３により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口１４からは反応性ガスが供給される。温度測定器３１によりレーザ照射領域の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜とＣｕ配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨを含む層間絶縁膜４とＣｕを含む配線２との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層１５及び酸フッ化層１６が夫々形成されたウエハＷに対して、Ｈ2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むＴＭＳＤＭＡガスの供給とを同一の処理容器５１においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層１６の還元処理及びダメージ層１５の回復処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマエッチングシステムは、独立に制御可能な複数のヒーター領域を有する基板支持アセンブリを備える。プラズマエッチングシステムは、臨界デバイスパラメータのプレエッチング及び／又はポストエッチングの不均一性を補償可能に、所定位置のエッチング温度を制御するように構成される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高周波電極その他の電気的部材から給電ラインや信号線等の線路上に入ってくる高周波ノイズに対して並列共振周波数を任意にずらして調整できるようにし、異なる周波数の高周波ノイズをいずれも効率よく安定確実に遮断する。
【解決手段】フィルタ１０２(1)は、円筒形の外導体１１０の中にコイル１０４(1)を同軸に収容し、コイル１０４(1)と外導体１１０との間にリング部材１２２を同軸に設ける。リング部材１２２は、好ましくは外導体１１０の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体として構成され、好ましくは銅、アルミニウム等の導体からなり、外導体１１０に電気的に接続され、コイル１０４(1)とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。 （もっと読む）

真空中に配置される際，脱ガス処理をする基板（１）を処理する方法は，真空中上記基板を配置し，ある温度Ｔ１まで上記基板を加熱し，脱ガス速度が上記基板の汚損の拡散により決定され，かくして定常状態が確立されるまで，上記基板（１）から発せられるガス状コンタミネーションを除去し，脱ガス処理を実行する。その後，基板の汚損物の拡散速度が，温度Ｔ１におけるそれよりも低いある温度Ｔ２に温度は低下させられる。上記基板（１）は，金属を含むフィルム（１６）で覆われるまで，上記温度Ｔ２において更に処理される。
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【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーンを独立に制御すると共に、これらに電力を供給する電子回路とを備える。この加熱プレートが組み込まれる基板支持アセンブリは、静電クランプ電極と、温度制御されるベースプレートとを備える。この加熱プレートを製造する方法は、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合することを含む。 （もっと読む）