【課題】温度センサの経時変化を監視することにより、ウエハ加工精度の再現性を向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の試料載置台１０７は、金属製の基材２０１と、該基材の上面に配置されその上に前記試料が載せられる誘電体製の膜２０２と、該膜内に配置された膜状のヒータ２０４と、前記基材内に配置され内部に冷媒が流れる通路２０３と、前記基材の内部に挿入され前記基材の温度を検知するセンサ２０５とを備え、前記ヒータに所定の電力を供給した際の前記センサからの出力の時間変化をもとに前記センサの異常を検知する。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。加熱用電極１３５の内部には、往路及び復路のコイル１３５ａ１、１３５ａ２が載置台１１０ａの外周に沿って互いに近接して配線されている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐蝕性ガスに対する耐蝕性に優れた実用的な耐蝕性部材を提供すること。
【解決手段】耐蝕性部材１００は、下部耐熱性部材１０１及び上部耐熱性部材１０２からなる耐熱性部材の表面を窒化アルミニウムの被覆膜１０３が覆って保護しており、上部耐熱性部材１０２の内部には、静電チャック用の電極１０４ａ、１０４ｂとウエハを加熱するヒータ１０５が内蔵されている。窒化アルミニウム膜１０３は、化学気相成長法により成膜されたＣＶＤ膜であり、相対密度が５０％以上９８％未満であり、硬度は２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である。このような窒化アルミニウム膜１０３は、膜厚を十分に厚くしても割れや欠けが生じ難く、熱プロセスを受けた場合でもパーティクルの発生が抑制されるため、ハロゲン系腐蝕性ガスに対する耐蝕性に優れた実用的な耐蝕性部材が提供される。 （もっと読む）

【課題】載置台本体と支柱との接合部の強度を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器３２内で被処理体Ｗに対して処理を施すために前記被処理体を載置する載置台構造６０において、上面に前記被処理体を載置するために円板状に形成されたセラミック材、或いは石英よりなる載置台本体６２と、前記載置台本体を支持するために前記載置台本体の下面に接合されたセラミック材、或いは石英よりなる円筒状の支柱６４とを備え、前記載置台本体と前記支柱との接合部１０２に、前記円筒状の支柱の断面の接線方向と半径方向外方との間の斜め方向へ向く研削引目１０６が付くような曲面加工部１０４を形成する。これにより、載置台本体と支柱との接合部の強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を提供すること。
【解決手段】処理室１を排気する排気機構４に伝熱ガス供給流路３を、伝熱ガス排気流路８を介して接続し、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間から、伝熱ガス供給流路３および伝熱ガス排気流路８を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室１内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間の圧力が、処理室１内の圧力以下とされた状態で被処理体Ｗの静電吸着を解除して、被処理体Ｗを静電チャック２上から離脱させる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板の加熱温度を上げて高温処理能力を向上させる。
【解決手段】 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、ランプ加熱装置と光透過性窓との間に設けられ、光透過性窓の窓枠を構成する耐熱性低熱伝導部材と、耐熱制定熱伝導部材と光透過性窓の間に設けられた窓押さえ込み部と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張で機械的強度が高く、耐食性に優れたサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の内部には、サセプタ１０５が設けられている。サセプタ１０５は、基板Ｇを載置する基材１１０を有する。基材１１０の形成には、チタンの母材１１０ａとニッケル又はアルミニウムの合材１１０ｂとから形成されたクラッド材が複数用いられる。複数のクラッド材は、母材１１０ａが合材１１０ｂにより覆われるように接合されている。 （もっと読む）

本発明は、ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置に関するものであり、少なくとも２種以上のプロセスガスを相異なるルートを介して基板の上に噴射する第１のガス分配部と、少なくとも２種以上のプロセスガスの分解温度の平均よりも高い分解温度を有するプロセスガスを基板の上に噴射する第２のガス分配部と、を備え、第１のガス分配部は少なくとも２以上に分割されて第２のガス分配部を中心として配置され、互いに結合および分離可能なガス分配装置およびこれを備える基板処理装置を提供する。
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【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１をその内部に収納しつつプラズマ発生可能に構成された容器１２と、半導体基板１１を支持する絶縁部１３および半導体基板１１にバイアス電圧を印加するための電極部１４を有し、且つ絶縁部１３の内部に熱輸送流体を輸送するための独立した複数の流路１５が形成された載置台１６と、複数の流路１５に熱輸送流体を供給する熱輸送流体供給手段１８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハをエッチングするエッチング処理装置は、該ウエハを保持するチャックと、該ウエハの温度を知らせる温度センサとを含む。チャックは、温度制御システムによって制御されるヒータを含む。温度センサは、温度制御システムに作動的に結合されて、チャックの温度を選択可能な設定温度で維持する。第１の設定温度及び第２の設定温度を選択する。ウエハをチャック上に配置し、第１の設定温度に設定する。次に、ウエハを、第１の設定温度で第１の時間だけ処理し、第２の設定温度で第２の時間だけ処理する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により消耗するフォーカスリングの消耗量に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記インピーダンス調整回路を制御することで変化させる一方、前記試料台に印加する前記高周波バイアス電力を、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで、前記所定の高周波バイアス電力に制御する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

基板表面に亘って所望の温度プロファイルを維持するための静電チャックシステムが開示されている。静電チャックシステムは、ペデスタル支持部の表面に亘って実質的に均一な温度プロファイルを画定するペデスタル支持部と、ペデスタル支持部によって支持されている静電チャックとを有する。静電チャックは、クランプ電極および独立に制御される複数の加熱電極を含む。独立に制御される加熱電極は、内部加熱領域を画定する内部加熱電極、および、ギャップ距離によって分離されている周辺部加熱領域を画定する周辺部加熱電極を含む。ペデスタル熱領域、内部加熱領域、周辺部加熱領域の熱特性を変化させる、または、内部加熱電極および周辺部加熱電極間のギャップ距離の大きさを変化させることにより、基板表面に亘る温度プロファイルを調整することが可能である。
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