【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、
（１）基板のプロセス開始前に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度まで昇温させる第１の行程と、
（２）基板１０のプロセス開始時に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度より高い第２の設定温度まで昇温させる第２の行程と、
（３）基板１０のプロセス中に、第２の設定温度まで加熱された基板１０を第１の設定温度まで降温させる第３の行程と、
（４）基板１０のプロセス終了まで、基板１０を第１の設定温度に維持する第４の行程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で、内ヒータと外ヒータとの互いの相対距離を適正に維持することができるヒータユニットを提供する。
【解決手段】 本発明に係るヒータユニット１は、通電によって加熱されるヒータ７と、該ヒータ７の平面方向の位置を規制する複数の位置決め部材４と、を備え、前記ヒータ７は、内周側に配置される内ヒータ８と、該内ヒータ８の外周側に配置される外ヒータ９とからなり、前記位置決め部材４は、内ヒータ８と外ヒータ９との間に配置されて、これら内ヒータ８および外ヒータ９の位置を規制するように構成している。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された自然酸化膜の除去効率の低下を抑制可能な基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ２０に接続されたマイクロ波アプリケータ１０の放電管１０ａに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ２０内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度上昇を速やかに行うことができると共に、熱エネルギーのロスを低減することができる基板載置台の温度制御方法を提供する。
【解決手段】ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバー２０１に、前記基板を載置するための載置台２０３と対向するように設けられ、前記載置台２０３と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔１１から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッド１００を備えたプラズマ処理装置２００であって、前記シャワーヘッド１００の前記対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔１３と、前記反対側の面側の前記排気孔１３と連通した排気空間内に、立設状態で設けられた複数の棒状の磁石柱１６ａ，ｂと、前記磁石柱１６ａ，ｂの少なくとも一部を移動させて前記排気孔１３との距離を変更するための移動手段１６１ａ，ｂと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールド１７０は、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器３２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段７２が設けられた載置台本体７４と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板７６と、載置台本体内に設けられた電極７８と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱７０と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材１１０（１１０Ａ〜１１０）と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材１１２とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハの処理方法とを提供する。
【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理装置等にセッティングするときに、封止部を破損させるおそれの少ない支持構造を有するフィラメントランプを提供することである。
【解決手段】 両端に、金属箔が埋設されて気密に封止された板状の封止部を有する発光管と、前記発光管内に、発光管の管軸方向に伸びるように配設されたフィラメントと、前記フィラメントの両端のそれぞれに連設されるとともに、前記封止部に埋設された金属箔に対し電気的に接続された内部リードと、前記封止部を収納する有底開口を有するベース部と、前記ベース部に装着される固定用金具とを備え、前記固定用金具は、前記発光管の管軸方向に延伸して前記ベース部の有底開口に挿入される舌片部と、前記舌片部に連接され鉛直方向に延伸するとともに、回動自在な鉛直方向部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるプラズマ処理の均一性を向上させる。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１において、処理容器２に収納された基板Ｗの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器２に収納された基板Ｗの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。本発明によれば、基板Ｗの中心部と周辺部のエッチングレートＥＲ等のばらつきを小さくできる。このため、基板Ｗ表面におけるプラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。
【解決手段】複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。本発明によれば、処理ガス中に含まれるＣＦ_４ガスやＣＦ_４ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのＣＤを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】加工用基板の表裏両面を同時に表面加工できようにし、生産効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面へのプラズマの侵入を防止して、半導体基板の裏面の損傷を防止することのできるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを、サセプタ７の基板保持穴９内に収容し、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁が基板保持穴９の内周面８に当接して、サセプタ７の基板保持穴９を半導体基板Ｗにて閉塞させて、半導体基板Ｗの裏面Ｗａ外周縁と基板保持穴９の内周面８との間を通って、プラズマが半導体基板Ｗの裏面Ｗａに侵入しないようにする。また、チャンバ２の底板３の四隅に、排気穴５０を設け、チャンバ２内のガスを四隅から排気するようにして、拡散板４３から導出されて下方に配置された半導体基板Ｗの表面Ｗｂを曝された酸素プラズマは、チャンバ２の底板３の四隅に設けた排気穴５０に向かって導かれるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
（もっと読む）