【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 （もっと読む）

【課題】反応室を構成するチャンバを大気開放せずに、チャンバ内壁に付着した堆積膜を除去できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、加工対象をエッチングするエッチャントガスを反応室内に導入するとともに、冷却流路に冷媒を流すことによって反応室を冷却し、加工対象とエッチャントガスとの反応生成物を加工対象上に生成する。ついで、冷却流路への冷媒の供給を停止し、加工対象が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。そして、冷却流路への冷媒の供給を停止した状態で、反応室の内壁が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ４４０は、その部品に相当するサポートリング４３０と、熱源に相当するエッジリング４１０と、それらの間のポリマ複合材４２０により構成されており、ポリマ複合材４２０は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

静電チャックは静電層及び発熱層を含む。静電層は、上部に置かれる基板を固定するために静電力を発生する静電電極を配置しながら第１熱伝達係数を有する。発熱層は、静電層の下部に配置され、基板を加熱するための発熱電極を配置しながら第１熱伝達係数より高い第２熱伝達係数を有する。
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【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。
【解決手段】半導体基板１０９上に形成されてイオン注入されたレジストパターンをプラズマアッシングする方法において、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの低温アッシング処理と、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理と、酸素、水蒸気、フッ素含有ガスを主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理とを、半導体基板１０９を同一チャンバー１０１内に配置して連続して行う。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＰの手法により微細なマスクパターンを形成するときに、酸化シリコン膜を成膜する際、及びエッチバック処理する際に、レジスト膜よりなる芯材が変形することを防止できるマスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜よりなる第１のライン部をマスクとして反射防止膜をエッチングすることによって、第２のライン部を含むパターンを形成する第１のパターン形成工程Ｓ１３と、レジスト膜に電子を照射する照射工程Ｓ１４と、酸化シリコン膜を成膜する酸化シリコン膜成膜工程Ｓ１５と、第２のライン部の側壁部として残存するように、酸化シリコン膜をエッチバック処理するエッチバック処理工程Ｓ１６と、第２のライン部をアッシング処理することによって、酸化シリコン膜よりなり、側壁部として残存する第３のライン部を含むマスクパターンを形成する第２のパターン形成工程Ｓ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】異なる温度に調整される２つ以上の領域を有する構造体であって、水平方向の熱伝導を抑制すると共に、垂直方向からの入熱に対してはスムーズな熱の移動を確保して熱的特異点の発生を抑制することができる複数領域温度分割制御構造体を提供する。
【解決手段】表面温度がそれぞれ異なる温度に制御されるセンターエリア５１及びエッジエリア５２と、その間に配置され、センターエリア５１とエッジエリア５２の配列方向に沿った熱伝導率が、配列方向に交差する方向における熱伝導率よりも小さく、水平方向の熱伝導に対して、例えば断熱材として機能し、且つ垂直方向の熱伝導に対して、例えば熱伝導材として機能する傾斜材５６を配置する。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、表面処理用原料流体が基板表面に沿って流されて排出される際に、処理済流体が流出部内壁に衝突して流れが乱れることを抑制することである。
【解決手段】表面処理装置１０は、円筒状の周囲壁を形成する筐体部１２の内部に円板状の試料保持台１４が設けられる構成を有する装置である。筐体部１２の上方側に設けられる円筒状部分２２は原料流体供給流路部で、筐体部１２において試料保持台１４の側方に設けられ、円筒状部分２２から見ると末広がりとなっている流路部は、流出流路部２４である。流出流路部２４は、試料保持台１４の最外周上端の位置を焦点位置とし、焦点位置に対称的に向かい合う流出口上縁端の位置を基準位置とするパラボラ曲線等が用いられる。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）