【課題】ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くし、従来の半導体装置よりも高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０と、半導体チップ１１０を搭載するための第１リードフレーム１２０と、ボンディング面１３２を有する第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化された半導体装置であって、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０と接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】板材からなるダイパッド部と、その上面に半田を介して接合された半導体チップとを封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、半導体チップとダイパッド部との剥離を防止できるようにする。
【解決手段】ダイパッド部３が、平板状に形成されて上面１１ａに半導体チップを接合する配置板部１１、及び、配置板部１１から屈曲して前記上面１１ａの上方に延びる立ち上がり部１２と、その上端から該立ち上がり部１２と逆向きに屈曲して前記上面１１ａに沿って配置板部１１から離間する方向に延びる折り返し部１３とからなる多重折曲部１５を有して構成され、立ち上がり部１２が、前記上面１１ａに対向するように配置板部の上面１１ａの周縁から外側に延びる仮想の延長線に対して９０度以上の角度で屈曲され、多重折曲部１５が封止樹脂６によって封止され、多重折曲部１５が半導体チップを挟み込む位置に一対形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】切断屑の飛散と切断屑の残留とを簡易な構成により抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体装置２００の外部リード（リード２０１）の先端部２０２をダイ２０と押さえ部材４０とで挟持した状態で、ダイ２０とパンチ５０とによる剪断によって先端部２０２を切断する工程と、ダイ２０と押さえ部材４０とを離間させる工程を有する。押さえ部材４０には、押さえ部材４０におけるダイ２０側の面よりダイ２０側に突出する弾性体（例えば板状弾性体８０）が設けられている。ダイ２０と押さえ部材４０とで外部リードを挟持する際には、弾性体をダイ２０により押してダイ２０とは反対側へ弾性変形させる。ダイ２０と押さえ部材４０とを離間させることにより、弾性体をダイ２０側へ弾性復帰させ、切断により切断屑２０３となった先端部２０２を弾性体によって押さえ部材４０及びダイ２０から払い除ける。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、製造ばらつきが生じても、電極を安定的に露出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、半導体チップを内部に封止しており、第１主面と前記第１主面と対向する第２主面とを有するユニットパッケージを含む半導体装置において、前記ユニットパッケージ内に、前記第１主面側に設けられた第１部分、前記第２主面から露出した円弧部を含む第２部分が設けられた電極を有するリードフレームを備え、前記電極は、前記半導体チップの電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】一括モールドタイプの半導体装置に用いられるリードフレームを配列したフレームを提供する。
【解決手段】各リードフレーム１０における吊りリード２で支持されたダイパッド３上にそれぞれ半導体素子を配列し、それらの半導体素子を一括してモールドした後、各リードフレーム１０の端子部５を残すようにしてグリッドリードＬのところをダイシングソーで切断して個々の樹脂封止型半導体装置を得るために用いられるフレームＦであって、フレームＦのグリッドリードＬを切断し個片化することにより、封止樹脂の切断面及び封止樹脂下面の端部に端子部５が複数隣接して形成されるものであり、各端子部５の付け根付近に、ダイシングソーによるカットラインのところからグリッドリードＬの一部にまで食い込んで形成された側面からのくぼみを設ける。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性の高いＩＰＭを得る。
【解決手段】リードフレーム５３が接合される回路パターン３３（第２の回路パターン）は、リードフレーム５３と比べて小さい。このため、リードフレーム５３は、小さな回路パターン３３が存在する箇所によってのみ局所的にはんだ層４０によって部分的に接合される。リードフレーム５３は回路パターン３３が存在する狭い領域においてのみ固定されており、この狭い領域における平坦度を高くすることができる。逆に、この狭い領域以外においてははんだ層４０は形成されていないため、リードフレーム５３は長く、その面積は必ずしも小さくないにも関わらず、はんだ層４０中のボイド等に起因する平坦性の劣化は少なくなる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、製造工程上にのみ用いる粘着シートを用いていたため、製造コストを低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リードフレーム２の裏面に樹脂シート１を貼り合せた後、ダイボンディング工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程、樹脂パッケージの個片化工程を行う。そして、樹脂シート１は、樹脂モールドされた樹脂と一体化し、樹脂パッケージの一部として用いられる。この製造方法により、樹脂シート１は破棄されることはなく、製造コストが低減され、また、樹脂パッケージの薄型化も実現される。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、相互に離隔した第１及び第２のリードフレーム１１，１２と、第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子１４ａが第１のリードフレーム１１に接続され、他方の端子１４ｂが第２のリードフレーム１２に接続された半導体チップ１４と、樹脂体１７と、を備える。第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、ベース部１１ａ，１２ａと、ベース部から延出した複数本の吊ピン１１ｂ〜１１ｅ，１２ｂ〜１２ｅと、を有する。ベース部は、第１及び第２のリードフレームにおける少なくとも相互に対向した部分に配置された薄板部と、薄板部よりも下方に突出した凸部１１ｇ，１２ｇと、を有する。そして、薄板部の下面及び側面、凸部の側面、吊ピンの下面及び側面は樹脂体によって覆われており、凸部の下面及び吊ピンの先端面は樹脂体から露出している。 （もっと読む）

【課題】複数種類の半導体チップそれぞれの搭載位置を容易に認識できるようにする。
【解決手段】リードフレーム１００は、ダイパッド１０１、第１の凹部１１２、及び第２の凹部１２２を備える。ダイパッド１０１は、第１の半導体チップ２００が搭載される。第１の凹部１１２は第１の半導体チップ２００の搭載領域１１０を示しており、第２の凹部１２２は第２の半導体チップ３００の搭載領域１２０を示している。第１の凹部１１２と第２の凹部１２２は、形状及び大きさの少なくとも一方が異なる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く容易に製造できる光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の樹脂成形フレームは、リードフレームとモールド樹脂で構成される樹脂成形フレームであって、リードフレームはダイパッド部と端子部とダイパッド連結部と端子連結部と外枠体を備え、モールド樹脂はダイパッド部を覆い一体に成形され、樹脂溜まり部を備えている。また、本発明の光半導体装置は、前述の樹脂成形フレームを用いて、ダイシング方式により切断し製造されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続の信頼性を高めるとともに、タブとレジンとの剥離を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】封止体２の一面に露出するタブ４，タブ吊りリード及び複数のリード７と、封止体２内に位置しタブ４の表面に接着剤５で固定される半導体素子３と、半導体素子３の電極とリード７を電気的に接続する導電性のワイヤ２５と、半導体素子３の電極と半導体素子３から外れたタブ４の表面部分を電気的に接続する導電性のワイヤ２５とを有するノンリード型の半導体装置１であって、タブ４はその外周縁が半導体素子３の外周縁よりも外側に位置するように半導体素子３よりも大きくなり、半導体素子３が固定される半導体素子固定領域と、ワイヤ２５が接続されるワイヤ接続領域との間の前記タブ４表面には、半導体素子固定領域を囲むように溝２０が設けられている。タブ４はその断面が逆台形となり、周縁はパッケージ２内に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ応力に起因する回路部品の電気特性変動のバラツキによって出力信号が変動する内部回路について、パッケージ応力に起因する出力信号の変動を防止する。
【解決手段】半導体チップ５に形成された内部回路はその回路を構成する複数の回路部品の電気特性の変動のバラツキによって出力信号が変動するものである。チップタブ３の平面サイズは半導体チップ５の平面サイズよりも小さい。上方から見てチップタブ３の配置位置の全部が半導体チップ５の配置位置と重なっている。さらに、封止樹脂１３に起因して半導体チップ５に加わる応力の大きさがチップタブ３上で均一になる位置関係でチップタブ３の周縁と上記半導体チップ５の周縁は間隔をもって配置されている。上記回路部品は半導体チップ５内部で上記チップタブ３上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等の悪影響を抑制してＬＥＤ素子用リードフレーム基板を製造する。
【解決手段】ＬＥＤ素子が搭載されるパッド部１１と、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたＬＥＤ素子と電気的に接続される接続エリア１２とを有するフレーム部１０と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部を有し、フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板１の製造方法は、
金属板３０にパッド部および接続エリアを形成してフレーム部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、パッド部および接続エリアにメッキ層を形成するメッキ処理工程と、メッキ処理工程後に、フレーム部に対して樹脂部を成形する樹脂部形成工程と、樹脂部形成工程後に、パッド部および接続エリア上に存在する樹脂を除去する樹脂除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードフレームにおいて、内部と連結していなく、引く抜きが可能な吊り部を設けているリードフレームを提供し、容易に製造でき、電気的にショートが発生しない、半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体から突出した吊り部が設けられ、吊り部は樹脂成形後に樹脂封止体の中に埋め込まれ、かつ突出方向に沿って細く形成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止体に埋め込まれた、リードフレームの吊り部を垂直方向に変形させ、吊り部を水平方向に移動させ、樹脂封止体から引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハンダ付けする際にリードと接続板との位置ずれを抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０と、一端２１が半導体チップに接続された導電性の接続板２０と、半導体チップに対して間隔を開けて配置され、接続板の他端２２とハンダ部３０により接合された導電性を有する板状のリード４０と、を備える半導体装置１であって、接続板とリードとがハンダ部により接合される接合部６３において、接続板またはリードの一方には、外周面から板厚方向Ｙに突出した凸４３部が形成され、接続板またはリードの他方には、凸部に係合する凹部２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの導体端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】独立した導体端子のワイヤボンディング部を形成する際、下地めっきを２回行ない、第１のエッチングにより下層となる下地めっきをワイヤボンディング部の先端周囲より突出させ、この突出部位を導体端子の側面側へ折り曲げた後、第２のエッチングを行なうことで導体端子の側面に凹部を形成し、この凹部に樹脂が入り込むように樹脂封止を行なう。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリを容易に除去することができ、かつリードフレームの端子間の放電を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】パッケージ外部領域５とパッケージ内部領域６を有するリードフレーム１を用いる。リードフレーム１の側面の上端にカエリ面７が設けられ、側面の上端近傍に破断面８が設けられている。パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面の上端を面取り加工する。パッケージ内部領域６においてリードフレーム１上に半導体素子１０を搭載してモールド樹脂１２で封止する。面取り加工及び樹脂封止の後に、パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面に設けられた樹脂バリ１３を除去する。 （もっと読む）