【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットＳＰＩＮを有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定する方法である。制御部２１は、第１の基板群に対して処理ユニットＳＰＩＮの使用権を設定する第１使用権を設定する。また、制御部２１は、処理ユニットＳＰＩＮの使用権が第１の基板群に対して設定されているときに、第１の基板群の基板の処理ユニットＳＰＩＮによる処理を表す第１処理ブロックの配置を許容する一方で、他の基板群の基板の処理ユニットＳＰＩＮによる処理を表す処理ブロックの配置を禁止する。さらに、制御部２１は、第１の基板群に対する処理ユニットＳＰＩＮの使用権を削除し、その後に、第２の基板群に対して処理ユニットＳＰＩＮの使用権を設定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの流量に比べて収容室の容積が大きい場合のように、収容室の圧力が上昇又は低下しにくい場合であっても、濃度を低下又は上昇させるときの制御応答を向上できる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】収容室１０にキャリアガスを導入する導入管２０に流量制御器５０を設け、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管３０に濃度制御器４０を設け、流量制御器５０が、測定計４６で測定した測定濃度示唆値と設定値との偏差の絶対値が所定値以下である第１状態においては、流量計５１で測定した測定流量が予め定められた基準値となるように、第２調整バルブ５２の開度を調整する一方、偏差の絶対値が所定値よりも大きく、測定濃度示唆値が設定値よりも大きい第２状態においては、測定流量が基準値よりも増加するように第２調整バルブ５２の開度を調整する第２バルブ制御部５４を具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】煩雑な作業を要することなく洗浄液中の溶存窒素濃度をリアルタイムで精度良くモニタリングすることができ、加えてコストを低減することができる溶存窒素濃度のモニタリング方法を提供する。
【解決手段】超音波照射時の溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２を溶存酸素濃度計４３で測定し、測定された溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２から初期溶存酸素濃度Ｄ_０を差し引いて溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２を算出する。次いで、所定のオーバーフロー量或いは超音波の所定出力に適合する近似式を記憶部４６から読み出し、記憶部４６から読み出された近似式を用いて、溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２から混合超純水の溶存窒素濃度Ｄ_Ｎ２を算出する。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素芳香族環状化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された、半導体用基板用の洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物１１の洗浄乾燥方法であって、該被処理物１１を大気圧下の洗浄乾燥室１８に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室１８内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室１８内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８に搬入した際の該洗浄乾燥室１８内における空隙容積の１００倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程Ｓ１５と、計測工程Ｓ１５を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程Ｓ１６と、判定工程Ｓ１６において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程Ｓ１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】露光ユニットを大気開放することなくレチクルステージを洗浄することができる洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】極端紫外線露光装置のレチクルステージの洗浄方法において、基板上にパーティクル取込層が形成された洗浄用レチクルのパーティクル取込層をレチクルステージに押し付ける工程と、洗浄用レチクルをレチクルステージから剥離する工程と、基板上からパーティクル取込層を除去する工程と、パーティクル取込層が除去された基板上に新たにパーティクル取込層を形成する工程と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を循環させる循環路４１０、２２に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部４２０は、循環路４１０、２２における加熱部４１２の下流側であって、当該循環路４１０、２２の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部５は、液温検出部２５の温度検出値に基づいて処理槽２１内の液温を１３５℃〜１７０℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部４３０より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面及び裏面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、マスク用基板３の側面３ｃ、３ｄを保持する保持部としての基板チャック１４と、マスク用基板３の処理対象面に処理液５を吐出する処理液吐出部１２６と、マスク用基板３に吐出した処理液５に向けて気体４を吐出し、処理液５をマスク用基板３から分離させる気体吐出部１２２と、を備えて概略構成されている。 （もっと読む）

【課題】液の使用量を低減することができるとともに、被処理体間での処理の程度のバラツキを抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続した液供給機構４０と、主配管に設けられた主開閉弁２２と、主配管から分岐した複数の分岐管２５と、各分岐管と接続した複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液を供給する第１液供給管４１ｂと、第２液を供給する第２液源４２ａと、を有し、第１液と第２液とを混合器内で混合してなる混合液を、主配管に一側から供給する。主開閉弁は、処理ユニット内で被処理体が処理されている際、主配管を液供給機構に対して他側から閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】ＶＯＣ濃度を積極的に増大させてＶＯＣ濃度を平準化させ、ＶＯＣの除去効率を向上させた排ガス処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。次いで、前記循環部に連結された揮発成分処理部において、平準化された濃度を有する前記有機溶剤の揮発成分を捕獲除去する。 （もっと読む）

【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを１サイクルとして、これを少なくとも１回、必要に応じて２回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）