【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体バーＢＡＲ１及び基板生産物ＳＰ１は、それぞれ、単一のへき開動作により生成されたへき開面ＣＬ１、ＣＬ２を有する。へき開面ＣＬ１には転写マース及び残留マークが現れる。転写マース及び残留マークがしっかりと案内して、このへき開面が形成される。へき開により、残留マーク３５ａは第１窪み５１ａ及び第２窪み５３ａに分離され、残留マーク３５ｂは第１窪み５１ｂ及び第２窪み５３ｂに分離される。転写マーク３７ａは第１窪み５５ａ及び第２窪み５７ａに分離され、転写マークは３７ｂ第１窪み５５ｂ及び第２窪み５７ｂに分離される。半導体バーＢＡＲ１のへき開面ＣＬ１は、残留マークからの第１窪み５１ａ、５１ｂ及び転写マークからの第１窪み５５ａ、５５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】活性層に変調電流を注入した場合でも、発振波長の変化を低減でき、波長チャーピングを抑制することができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型クラッド層１５と、ｐ型クラッド層１９及びｐ型コンタクト層２０と、活性層１７とを備える。更に、半導体レーザ素子１Ａは、回折格子層１３および該回折格子層１３上に設けられた接着層１４から成り、活性層１７との間にｎ型クラッド層１５を挟む位置に設けられた回折格子２４と、ｎ型クラッド層１５に接触するカソード電極２１と、ｐ型コンタクト層２０に接触するアノード電極２２とを備える。活性層１７は第１の光導波路を構成し、回折格子層１３および接着層１４は第２の光導波路を構成する。第１の光導波路と第２の光導波路とは、ｎ型クラッド層１５を介して光学的に結合し、レーザ共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスなどに起因する歪や欠陥や、初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制して、特性の向上や安定化が期待される導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層１０３、１０４に接し且つ２つの導体層１０３、１０４の間に配置された半導体部１０１を含むコア層１０８と、を有する。半導体部１０１を含むコア層１０８は、面内方向に広がった特定の凹凸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。
【解決手段】この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザー装置に関して、入出力特性の温度依存性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供すること。
【解決手段】構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのｐ型化合物半導体、ｎ型化合物半導体、ｐ型電極、ｎ型電極、及び各電極と接続された配線と、該化合物半導体に形成されたグレーティング構造と、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン板、電気配線と、該化合物半導体と該シリコン板との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該シリコン板を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザー装置に関して、入出力特性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供すること。
【解決手段】構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのｐ型化合物半導体、ｎ型化合物半導体、ｐ型電極、ｎ型電極、及び各電極と接続された配線と、グレーティング構造を有するシリコン層と、該化合物半導体と該シリコン層との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン層、電気配線と、該シリコン層を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 （もっと読む）

本発明は、放射を生成するために設けられている活性領域（２０）を備えている半導体基体（２）とウェブ状の領域（３）とを有している半導体レーザ（１）に関する。ウェブ状の領域は放射方向に沿って延在する長手軸（３０）を有しており、この長手軸は、放射方向に延在する半導体基体の中心軸（２５）に関して、横断方向にずらされて配置されている。更に本発明は、半導体レーザを製造する方法に関する。
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【課題】温度差の激しい過酷な環境においても、中空に配置された配線層が破断する虞を低減することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】互いに隣接するリッジ部３０の間に溝部３１が設けられており、上部電極３３とパッド電極３４とを電気的に接続する配線層３５が、少なくとも溝部３１上において中空に配置されている。配線層３５は、溝部３１上において、平坦形状、または溝部側に窪んだ凹形状となっている。これにより、温度差の激しい過酷な環境において、配線層３５が膨張・収縮を繰り返したときに、配線層３５に歪が溜まるのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】
成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。
【解決手段】
Ａｌを構成元素として含む第１のIII-V族化合物半導体によって半導体基板上に形成された第１の半導体層と、厚さが２原子層以上８原子層以下のＡｌを構成元素として含まない第２のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記第１の半導体層の上面又は前記第１の半導体層の内部に配置された表面保護層とを有する半導体積層構造と、第３のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記半導体積層構造の上面に形成された第２の半導体層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】発光領域からの排熱を効率的に行うことが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、基板１１表面の中央の領域Ｓ１にのみ、発光領域Ｅを含む半導体層１２が形成された構造を有している。すなわち、半導体層１２は、発光領域Ｅとその近傍の領域のみによって形成されている。半導体層１２の上面の少なくとも一部と基板１１表面の領域Ｓ２とを覆うように絶縁膜１３が形成され、この絶縁膜１３と半導体層１２の上部を覆うように、ｐ側電極１４が設けられている。基板１１の裏面側には凹部１１ａが形成され、この凹部１１ａには、ｎ側電極１５および埋め込み層１６が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、活性層にダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜１３を形成する第１工程と、第１工程の後に、シリコン酸化膜１３の上に形成したレジスト１５を用いてシリコン酸化膜１３を基板１１の表面１１ａが露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜１３にストライプ状の溝１７を形成する第２工程と、第２工程の後に、溝１７に、活性層２３を含む半導体積層１９を成長する第３工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、３種類のレーザ光源、すなわち、ダイオードレーザ、（一体的に接続された複数のダイオードレーザの形の）複合ダイオードレーザ、ならびに、その増幅器がダイオードレーザの独創的な光共振器と、独創的なレーザ放射結合から構成された（一体的に接続された駆動レーザダイオードおよび半導体増幅素子の形の）複合半導体光増幅器に関する。ダイオードレーザの光共振器の２つの反射材料は、上述の３種類のレーザ放射光源に分類され、その両側でとりうる最大の反射率を有し、活性層を迂回して、実際上完全な反射防止（０．０１％未満）光端面を有するダイオードレーザの本発明の改変されたヘテロ構造の広バンド幅の半導体層を通って活性層からの放射結合が行なわれる。本発明は、広い波長帯において、超高出力、高性能、高速かつ高信頼の、単一周波数、シングルモードおよびマルチモードの３種類の高品質レーザ放射光源の設計を可能にし、その生産を簡略化し、生産コストを削減する。
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電気的励起レーザシステム及びその方法が開示される。システムは、シリコンのマイクロリング共振器を含む。III−Ｖ族半導体材料から形成された量子井戸は、マイクロリング共振器と光学的に結合されて光学利得を提供する。III−Ｖ族半導体材料から形成され、第１のタイプのキャリアでドーピングされた台形バッファが量子井戸に光学的に結合される。リング電極が台形バッファに結合される。台形バッファにより、リング電極がマイクロリング共振器の光学モードから実質的に分離されることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】安定した水平横モードを有する窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面上に形成され、発光層を有する発光素子層１５を備えている。発光素子層１５は、（０００−１）面からなる第１側面１５ａと、第１側面１５ａに対して傾斜した第２側面１５ｂとを含み、第１側面１５ａと第２側面１５ｂとに囲まれた領域によって、[０００１]方向と垂直で、かつ、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面の面内方向に延びるリッジ３５およびダミーリッジ３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導波路の斜め端面による端面反射率の低減効果を得ながらも、半導体光素子の導波路に入射するビームの方向或いは導波路から出射するビームの方向を、劈開端面とは独立に設計可能にした半導体光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０はハイメサ型の導波路１２を有する。導波路１２は、劈開端面１６とは異なる斜め端面１７を出射端面として有する。斜め端面１７による端面反射率を低減できると共に、斜め端面１７から出射する出射ビーム２１の方向を、劈開端面１６とは独立に設計できる。出射ビーム２１が劈開端面１６に対して垂直に出射されるようにしている。このため、半導体光素子の出射ビームを光ファイバや他の導波路などに結合しようとする場合、半導体レーザ１０を斜めに傾けてサブマウントに配置するなどの工夫をする必要が無い。 （もっと読む）