【課題】誘電体多層膜により上部ＤＢＲが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記上部ＤＢＲは、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をｎとした場合、λ／４ｎよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体光変調素子部４のコア層４０４と一体に形成されており、半導体レーザ素子部２の活性層２０４にバットジョイント接合されている。このため、その接合部における反射光が半導体レーザ素子部２に戻ることに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】量子カスケードレーザに分布帰還型の回折格子を作り込む際に、半導体メサ上面に回折格子構造を作製できる量子カスケード半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】露光におけるフォーカスの調整により、半導体メサ部３５上面上のレジストに、解像のために十分な露光のために光量を提供する。フォーカスの調整により、半導体メサ部３５の上面と異なる高さの位置に設けられたレジスト（例えば凹部３７ａ、３７ｂ上のレジスト）に解像不可能な光量の光を提供する。半導体メサ部３５の高さは例えば３μｍ以上であるとき、フォーカスの調整の利用で、半導体領域３９の表面３９ａにおける高低差を利用して、パターンの転写エリアを選択できる。したがって、半導体メサ部３５の上面に選択的に回折格子用の誘電体マスクパターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に良好な物理的接触を成す電極の形成とリッジ構造の形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】エッチング装置１０ｆにおいて、リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４３を形成する。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で行われる。エッチングは摂氏３００度以下の基板温度で行われる。ハードマスク４３を形成した後に、マスク４１を除去することができる。基板主面１１ａ及び半極性主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜することができる。この傾斜の角度範囲では、半極性主面１３ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４３を用いて半導体積層１３及び金属膜３３のエッチングを行って、金属層４５と窒化物半導体領域４７とを形成する。窒化物半導体領域４７は半導体リッジ４９を含む。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制し、かつレーザ光を基準面に対して略直交する方向に射出することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 各発光部は、基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極１１３、下部電極、配線部材、及び誘電体層１１６などを有している。基板は、ｘ軸方向を傾斜軸方向とする傾斜基板である。そして、誘電体層１１６は、ｚ軸方向からみたとき、内径の中心が射出領域の中心に対して＋ｙ方向に０．２μｍシフトしている。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板に対し垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、前記レーザ光が出射される出射面において、前記レーザ光の発光の中心部分の周囲の周辺部分には、前記中心部分よりも反射率を低くするための誘電体膜により形成された透明膜を有し、前記透明膜は、複数に分割されており、前記分割された透明膜は、前記レーザ光の発光の中心に対し、前記レーザ光の偏光方向となる両側、及び、前記偏光方向に直交する方向となる両側の各々に存在しているものであることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１半導体層と、第１半導体層上の第１領域に形成された活性層と、第１半導体層上の第２領域に形成され、活性層から放出された光を導波する光導波層と、活性層および光導波層の近傍に配置され、活性層および光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、活性層上および光導波層上に形成された第２半導体層と、光導波層上方で、第２半導体層上に形成された絶縁層と、第２半導体層上方に形成され、活性層上方から光導波層上方に延在し、活性層上方では第２半導体層に電気的に接続し、光導波層上方では第２半導体層との間に絶縁層が介在し、光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板上に作られた発光ダイオードにおいて、ＡｌＮ基板による光吸収を低減する。
【解決手段】１層以上の層１５０をバルク結晶ＡｌＮ基板１４０上にエピタキシャル成長させる。これらのエピタキシャル層は同層のエピタキシャル成長の初期表面である表面１０１を含む。ＡｌＮ基板はエピタキシャル成長の大部分の初期表面を覆って実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子にキャリアを注入することによって発生した熱の排熱効率を高くして、半導体光素子における、キャリアの再結合によるエネルギーから光への変換効率を高くする。
【解決手段】基板と、基板上の、第１の軸線、および、第１の軸線と所定の角度で交差する第２の軸線のいずれに対しても、所定の周期Ｔ１を有する位置に２次元的に配置され、キャリアが注入されて発光する活性層を有する複数の半導体光素子を備え、当該位置の少なくとも一つは、複数の半導体光素子のいずれもが形成されていない非光素子位置である、２次元光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】多種類のガスの吸収線に一致した、２μｍ波長帯の複数の波長で発振可能な半導体素子、多波長半導体レーザ、多波長半導体レーザモジュール、ガスセンシングシステム及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に複数の波長の光を発する発光層を有する半導体素子であって、発光層が、ＩｎＡｓの井戸層とＩｎＧａＡｓの障壁層からなる量子井戸構造１４ａと、当該量子井戸構造１４ａの一部を無秩序化した他の量子井戸構造１４ｂとからなり、無秩序化により、他の量子井戸構造１４ｂからなる発光層の発する光の波長を、量子井戸構造１４ａからなる発光層の発する光の波長より短波長化した。 （もっと読む）