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Fターム[5H007CA01]の内容

インバータ装置 (60,604) | スイッチング素子 (5,393) | トランジスタ (5,228)

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【課題】パワーコントロールユニット内の高電圧配線を保護するとともに、軽量化、小型化を図るパワーコントロールユニットを提供する。
【解決手段】ヒートシンク(50)の上下面側にそれぞれ高電圧の電気デバイス(60、62、82、84)が配置されるサンドイッチ型の構造を有するパワーコントロールユニット(30)において、ヒートシンク(50)の下面側に載置される充電器(82)及びDC/DCコンバータ(84)に繋がる高電圧配線を、ヒートシンク(50)の下面側の所定領域内に集中配置し、下方から前記高電圧配線を覆うように絶縁カバー(160)を設け、絶縁カバー(160)の底面(174)と、ヒートシンク(50)の下面側に配置される充電器(82)、DC/DCコンバータ(84)、及び前記絶縁カバー(160)を一括して覆う下ケース(59)の底面である下カバー(58)との間に所定の隙間(186)を設ける。 (もっと読む)


【課題】電源電圧を安定化して、高周波駆動に対応可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数のハイサイドトランジスタユニットmhは、各相ごとに設けられ、対応する相の出力端子OUTと上側電源ラインLPの間に、電気的に並列に、かつ制御端子が独立して設けられる。複数のハイサイドゲートドライブ回路10H_U1〜U3は、対応する複数のハイサイドトランジスタユニットmhu1〜3にゲートドライブ信号を出力する。複数のハイサイド電源回路14H_U1〜U3は、対応するハイサイドゲートドライブ回路10H_U1〜U3に電源電圧VDDH_U1〜U3を供給する。下側アームについても同様に、複数のローサイドトランジスタユニットに分割される。 (もっと読む)


【課題】より小型化が可能な電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2と複数の冷媒流路11とを積層した積層体10を備える。積層体10は、フレーム5の内側に収容されている。半導体モジュール2のパワー端子21に、複数のバスバー3(3a〜3c)が接続している。個々のバスバー3は、他の電子部品と接続するための接続部4を有する。フレーム5の内面58を含む平面Pと積層体10との間の隙間Gに加圧部材6が配置されている。この加圧部材6によって積層体10を積層方向(X方向)に加圧し、積層体10をフレーム5内に固定している。複数の接続部4のうち一部の接続部4は、パワー端子21の突出方向(Z方向)から見た場合に隙間Gに位置している。 (もっと読む)


【課題】電圧均一回路を用いることなく、半導体素子の必要個数を減らし、装置の小型化及びコスト低減ができるマルチレベル電力変換器を提供する。
【解決手段】直流電源VDCと、該VDCの正、負極端間に順次直列接続されたリアクトルL,スイッチング素子S9,S10,コンデンサC1,C2,スイッチング素子S11,S12と、前記C1,C2の直列体の両端間に各々接続されたS1〜S4とS5〜S8と、前記S1,S2の共通接続点とS3,S4の共通接続点との間に直列接続されたダイオードD1,D2と、前記S5,S6の共通接続点とS7,S8の共通接続点との間に直列接続されたダイオードD3,D4と、前記S1〜S8のオン、オフ制御によってマルチレベル電圧を切り換える制御手段とを備え、前記D1、D2間、D3、D4間、C1、C2間を共通に接続し、前記S2、S3間と、S6、S7間を交流出力端子A,Bとする。 (もっと読む)


【課題】主素子の出力静電容量の増大を防止し、接合容量充電電流に起因するターンオン損失を抑制する半導体スイッチを提供する。
【解決手段】逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子1と、主素子1に比べ耐圧が低い逆流防止素子3と、主素子1の負極と逆流防止素子3の負極とを接続して主素子1の正極を正極端子とし、逆流防止素子3の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、主素子1と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード4と、主素子1の正極に正電圧が印加される方向に接続し、少なくとも主素子1の耐圧より低い電圧パルスを発生するとともに主素子1又は逆流防止素子3がオフする時期と略同期して電圧パルスを出力する予備電圧印加回路5と、を備えた半導体スイッチ。 (もっと読む)


【課題】並列インバータ装置において、端子台への未結線や接続の間違い、相順間違い等を確実に検出する。
【解決手段】可変電圧の交流電力を出力する複数台のインバータを並列接続し、各インバータの出力側を結合して単一の電動機に接続してなる並列インバータ装置において、インバータ2a,2bの各相の出力電圧を検出する電圧検出器6a,6bと、インバータを構成する半導体スイッチング素子のオンオフを制御する制御装置5a,5bと、制御装置5aによりインバータ2a内の所定のスイッチング素子をオンさせて当該インバータ2aの任意の2相の間で閉回路を形成したときに、電圧検出器6a,6bにより検出した各相の出力電圧を複数台のインバータ2a,2b間で比較して配線の正誤を判定する配線判定手段と、を備え、この配線判定手段を制御装置5a,5b内のCPU等により実現する。 (もっと読む)


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