【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板８の下面が主電流経路６上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板８の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線６は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板８の搭載面を主電流配線６の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルＬを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 （もっと読む）

【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】エレベーターが停止してから自動消灯するまでの時間を短くして省エネルギー効果を高めることができるエレベーターかご内照明装置を得る。
【解決手段】交流電源１からの交流電流を整流する全波ブリッジ整流回路２１と、全波ブリッジ整流回路２１の出力端子間に接続される電解コンデンサ２３と、全波ブリッジ整流回路２１から直流電流が供給されかご内を照明するＬＥＤ３と、ＬＥＤ３に供給される直流電流が流れる回路を開閉するＭＯＳＦＥＴ４１と、ＭＯＳＦＥＴ４１のオンオフを制御するドライバＩＣ４２と、エレベーターが所定の時間連続して停止していることを検出する自動消灯制御リレー５１と備え、ドライバＩＣ４２は、自動消灯制御リレー５１の検出結果に基づいてＭＯＳＦＥＴ４１をオフにしてＬＥＤ３への直流電流の供給を停止させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路２から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路１は０Ｖを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路２からの出力が０Ｖまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路１から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子５のゲート・ソース間にＮｃｈノーマリーオン型補助スイッチング素子１３のドレイン・ソースを接続し、トランス１５の1次側をゲート駆動回路１の出力に接続し、２次側をＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子１３のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子６側もトランス及びＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路１０は、チャージポンプ回路部１４を備えている。チャージポンプ回路部１４は、メインスイッチング素子ＳＷ１０がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタＣ１に充電された充電電圧に基づいて駆動電源１８の電圧Ｖsを昇圧して駆動電圧Ｖgprを生成する。チャージポンプ回路部１４では、指示信号Ｓ１に基づいてキャパシタＣ１に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】ハイパスフィルタ回路を急速充電できるようにして、その起動時間を短くする。
【解決手段】所定のタイミング毎に入力信号を保持する信号保持回路１１と、信号保持回路１１の出力側に接続された第１のトランジスタＱ１の出力側の第１のノードＮ１に現れる信号から低域成分を除去するハイパスフィルタ回路１２と、起動時にのみ動作してハイパスフィルタ回路１２のコンデンサＣ２に対して急速充電を行う急速充電回路１４と、ハイパスフィルタ回路１２の出力側に接続された増幅回路１３と、急速充電回路１４による急速充電動作の終了から通常動作に移行する前後で前記第１のノードＮ１のバイアス電位をほぼ一定に保持するバイアス制御回路１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのゲートドライブ回路に正負の電源を必要とせず、簡単な受動素子のみの回路で、ゲート電位に正極／負極電位を印加しＦＥＴの高速スイッチングドライブを可能とする。
【解決手段】電流路が導通する電位を超える電位１を、電流路の一端を基準電位として、制御端に容量素子を介して断続的に印加されるべく構成され、電位１が印加されたとき、電位１が前記定電圧素子１に対して、電流路が導通に要す定電圧素子１の有する降伏電圧１を発生すべく、かつ電位１が定電圧素子２に対して順方向に、電位１が印加された後、電位１が低下されたとき、電位１により容量素子に充電された電位２が電流路の一端を基準電位とし定電圧素子２に対して、電位１と逆極性の、定電圧素子２の有する降伏電圧２を発生すべく、かつ電位２が定電圧素子１に対して順方向に、定電圧素子１と定電圧素子２の直列接続回路を、制御端と電流路の一端との間に介在させた。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力を小さくでき、トランジスタ数が少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ゲートが第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された第２のトランジスタと、一方の電極が第３の配線と電気的に接続され、他方の電極が第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続された容量素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によりスイッチ切替時間のさらなる高速化を図る。
【解決手段】外部から供給される外部制御信号に応じて、高周波スイッチ回路１０１のＦＥＴ１，２のオン、オフ状態を制御する駆動制御信号を出力する論理制御回路１０４と、ＦＥＴ１，２が論理制御回路１０４によりオフ状態からオン状態とされる際にパルス電圧を出力する切替加速回路１０２，１０３とは、それぞれの出力信号が共にＦＥＴ１，２の駆動制御信号として、それぞれへ印加可能に設けられ、論理制御回路１０４は、定常状態においてＦＥＴ１，２をオン状態とする電源電圧とほぼ等しい駆動制御信号を出力するよう構成され、切替加速回路１０２，１０３は、ピークが電源電圧を超えるパルス電圧を出力する一方、そのパルス電圧が論理制御回路１０４の出力信号の電圧レベルを下回った際には、その出力が遮断されるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】 安定性と即応性を備えたＰＬＬを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態によるＰＬＬは、位相検出器と、前記位相検出器の検出結果に基づいて電流を発生するチャージポンプと、前記チャージポンプに接続され、第１の抵抗変化素子を有するループフィルタと、前記ループフィルタから入力される信号に応じて出力周波数を制御するＶＣＯと、前記ＶＣＯの出力信号を分周して、前記位相検出器に入力するフィードバック信号を生成する周波数分周器と、前記ループフィルタを制御するシーケンサとを有するＰＬＬであって、前記シーケンサは、前記ＰＬＬの電源がＯＦＦされることを示す信号が入力された時または前記ＰＬＬの電源がＯＮされることを示す信号が入力された時に前記第１の抵抗変化素子の抵抗値が第１の抵抗値となるよう制御し、前記ＰＬＬが安定化後には、前記第１の抵抗値よりも高い第２の抵抗値となるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の差動信号をシングルエンドの信号に変換可能な信号変換回路、当該信号変換回路を備えたアイソレータ回路及び信号変換方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号変換回路１０は、差動信号である信号Ｄ１及び信号Ｄ２が入力されるヒステリシスコンパレータ１、２及び変換バッファ３を備える。ヒステリシスコンパレータ１は、信号Ｄ１の電位Ｖ１と信号Ｄ２の電位Ｖ２との大小の比較結果を信号Ｅ１として出力する。ヒステリシスコンパレータ２は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との大小を比較し、当該比較結果を信号Ｅ１の反転信号である信号Ｅ２として出力する。変換バッファ３は、信号Ｅ１及び信号Ｅ２をシングルエンド信号Ｆに変換する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサＣ１と第1の抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段Ｓ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の制御に好適な制御信号発生回路を提供する。
【解決手段】ジョンソンカウンタ３１は、フリップフロップＦＦ１〜ＦＦ４およびゲート回路４１〜４４を含み、順次入力されるスタート信号ＳＴ１〜ＳＴ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｈ」レベルにした後、順次入力されるストップ信号ＳＰ１〜ＳＰ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｌ」レベルにする。したがって、多数のフリップフロップを用いることなく、所望の時間間隔で制御信号Ｃ１〜Ｃ４を順次「Ｈ」レベルにし、順次「Ｌ」レベルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス（メインスイッチＭ）のゲートの印加電圧をバッテリ１２の正電圧より高い電圧と負電圧との双方の電圧とする場合、電源装置の小型化が困難なこと。
【解決手段】バッテリ１２、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ１、コンデンサＣ、スイッチング素子ＳＷ２、逆流防止用ダイオードＤ１、端子Ｔ１および充電用抵抗体１４によって、メインスイッチＭのゲート充電経路が構成される。また、放電用抵抗体１６、端子Ｔ２、逆流防止用ダイオードＤ２、スイッチング素子ＳＷ３、コンデンサＣ，スイッチング素子ＳＷ４、および端子Ｔ４によって、メインスイッチＭのゲート放電経路が構成される。さらに、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ６、逆流防止用ダイオードＤ４、コンデンサＣ、逆流防止用ダイオードＤ３、スイッチング素子ＳＷ５および端子Ｔ４によって、コンデンサＣの充電経路が構成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極、及び前記第１の主電極と前記第２の主電極間で前記主面上に配置された制御電極を有するスイッチング素子Ｔ_ＳＷと、コレクタ端子とエミッタ端子と制御端子とを有する第１の駆動素子Ｔ_Ｄ１及び入力端子を含む駆動回路１０と、を備え、前記第１の駆動素子の前記コレクタ端子は前記スイッチング素子の前記第１の主電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記エミッタ端子は前記スイッチング素子の前記制御電極に接続され、前記第１の駆動素子の前記制御端子は前記入力端子及び前記エミッタ端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの寄生容量の充放電時間を短縮し、オーバドライブによらず速度の向上と電力効率の向上を図り得るスイッチング回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子２０ａ、２０ｄがＯＮ（ＯＦＦ）のとき残りの半導体スイッチ素子がＯＦＦ（ＯＮ）となるように、各半導体スイッチ素子の入力端子にパルス状信号が印加される。スイッチング回路は、半導体スイッチ素子２０ｂの出力端子と半導体スイッチ素子２０ｄの入力端子の間に接続されるキャパシタンス素子６０と、半導体スイッチ素子２０ｂの入力端子と半導体スイッチ素子の出力端子２０ｄの間に接続されるキャパシタンス素子６１とを備える。キャパシタンス素子６０，６１は、半導体スイッチ素子２０ｂ、２０ｄの各々の入力端子と出力端子間の寄生容量を、半導体スイッチ素子２０ｂ、２０ｄに供給されるパルス状信号のクロック周波数のＮ倍の周波数において低減する容量を有する。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）