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国際特許分類[C23C18/16]の内容

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光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の2つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 (もっと読む)


【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ2が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット3を、めっき槽1内へ、被処理ウェハ2が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽1の側壁には、薬液供給口4が設けられている。ポンプによって薬液供給口4からめっき槽1内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ2に対して平行な方向に流通させ、バッファー板6によって流れを整流してからウェハカセット3へ流す。 (もっと読む)


【目的】
複雑な形状を持った成形品であっても、生産性に優れると共に、めっき析出性および成形品とめっき膜との密着性に優れたものを提供することを目的とする。
【構成】
本発明は、成形品に無電解めっき法によるめっき膜を設けためっき物であって、該成形品は、導電性高分子微粒子をカーボンナノチューブに担持させた担持物と、樹脂とからなることを特徴とするめっき物である。また、成形品に無電解めっき法によるめっき膜を設けためっき物の製造方法であって、1)還元性高分子微粒子を、カーボンナノチューブの表面に担持させた担持物を作製する工程と、2)該担持物を、成形前の樹脂に混合させて混合物を作製する工程と、3)該混合物を、成形して成形品を作製する工程と、4)該成形品に、無電解めっき法によるめっき膜を設けてめっき物を作製する工程とからなることを特徴とするめっき物の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ラックに複数枚の枚葉基板を収容し、ラック毎に薬液に浸漬して処理する無電解めっき方法において、液切り不足によるめっきムラを発生させない無電解めっき処理方法を提供する。
【解決手段】枚葉基板100を複数枚収容したラック200を薬液中に浸漬した後に、略均等に配置された少なくとも2枚以上の該基板を薬液中から薬液面に対して略垂直に引き上げる際に、該基板面に対し略平行に送風機構300から送風することを特徴とする無電解めっき処理方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程(ステップS52)と、第2めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS54)と、第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程(ステップS56)を含む。第1めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第2めっき槽および第3めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 (もっと読む)


【課題】基材と環境とを流体連通するピンホール欠陥が実質的に存在しない無電解金属皮膜を有する物品を製造する方法の提供。
【解決手段】無電解金属皮膜20のピンホール30の封止方法は、(a)基材10を無電解金属皮膜層20で被覆して基材10の表面に接触した無電解金属皮膜20を有する被覆物品を形成する工程であって、基材10と環境とを流体連通するピンホール欠陥が無電解金属皮膜20に存在する工程、(b)無電解金属皮膜層上に硬化性エポキシ封止材40の層を塗工し、ピンホール欠陥を充填する工程、(c)硬化性エポキシ封止材40を硬化して硬化エポキシオーバーコート層を形成する工程、(d)硬化エポキシオーバーコート層の大部分を除去する。 (もっと読む)


【課題】処理液に含まれる成分の濃度を適切に制御し、当該処理液を用いた被処理物の均一な表面処理を提供する。
【解決手段】メッキ液を用いてウエハ13を表面処理する無電解メッキ装置100は、処理槽1及び循環ライン3内を循環するメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第1濃度計4と、第1の濃度計とは異なる位置におけるメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第2濃度計5と、第1濃度計4及び第2濃度計5が検出した成分濃度又はこれらの成分濃度差が、所定の目標値になるように、処理槽1内及び循環ライン3内のメッキ液の流量を調整する制御部14とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、1枚の基板処理に必要なpH調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるpH調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を1枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるpH調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板1枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加圧二酸化炭素を用いて触媒成分を分散させたポリマー部材を常圧下で無電解めっき処理することにより、密着性に優れためっき膜を有するポリマー部材を製造する方法を提供する。
【解決手段】めっき触媒となる金属を含む触媒成分を加圧二酸化炭素に溶解させた加圧流体を用いて、触媒成分が分散されたポリマー部材を形成し、触媒成分が分散されたポリマー部材を、常圧下で、アルコール処理液に浸漬し、アルコール処理液で前処理されたポリマー部材を、常圧下で、アルコールを含有する無電解めっき液に浸漬して、めっき膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 (もっと読む)


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