【課題】半導体材料として用いられるＩＩＩ族窒化物結晶と接合膜として用いられる酸化物膜との間の接合強度が高い複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合体の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１と酸化物膜１２とを含む複合体１０の製造方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶１１上に酸化物膜１２を形成することにより複合体１０を作製する工程と、複合体１０を５００℃以上１１００℃以下で熱処理する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の単結晶の製造において、結晶成長に用いる坩堝の気密性を高めて材料ガスの漏れを防止し、且つ、坩堝内の充分な真空引きを可能にする単結晶の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、側壁に肉薄部１ａを有するグラファイト製の原料収納容器１と蓋３を有する。坩堝１０内に種基板４および原料２を配置した後、蓋３は原料収納容器１に接着剤５を用いて固定される。坩堝１０内の真空引きは、坩堝１０の側壁の肉薄部１ａが有する微細な空孔を通して行われる。 （もっと読む）

【課題】高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向けて温度勾配を有する成長容器１の高温部に酸化亜鉛原料２が配置され、上記成長容器１の低温部において化学気相輸送法により酸化亜鉛単結晶を析出させる酸化亜鉛単結晶の成長方法であって、酸化亜鉛原料２中に含まれる窒素の濃度を５００mass ppm以下とする。更に、窒素濃度が３００mass ppm以下の酸化亜鉛原料を用いることにより収率がより改善される。 （もっと読む）

【課題】直径及び厚さの大きな単結晶窒化アルミニウムを製造する方法を提供。
【解決手段】［Ａ］希土類及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物、並びに窒化アルミニウムを含んでなる原料、或いは該複合酸化物又は該複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）、並びに窒化アルミニウムを含む原料の近傍に無機単結晶基板を配置する工程；［Ｂ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃とすると共に前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で当該原料より低い温度とする工程；［Ｃ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃に維持すると共に、前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で該原料より低温度に維持し、前記無機単結晶基板上に単結晶窒化アルミニウムを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）

【課題】結晶として異種材料の単結晶を用いた場合であっても、欠陥が少なく、高品質のAlN単結晶バルク及びその製造方法、並びに半導体デバイスを提供する。
【解決手段】種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】昇華再析出法によるＳｉＣ単結晶の製造において、坩堝の自己発熱によらない加熱方法により、種結晶の温度、原料の温度、及び成長空間領域の温度分布を容易に制御できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内を含めた外部チャンバ１０内を真空にしたあと、誘導コイル８、９に通電することでヒータ４、５を誘導加熱し、その輻射熱により坩堝１を加熱することで坩堝１内を所定温度にする。このとき、放射温度計１８〜２２を通じて坩堝１の各部やヒータ４、５の測温を行いながら、各誘導コイル８、９への通電の周波数もしくは通電量を制御し、ヒータ４、５で温度差を発生させながら加熱する。さらに、ヒータ４とヒータ５との間を仕切壁部６ｆにて断熱することで、成長結晶の表面の温度と粉末原料３の温度を別々に制御性良く調整することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部３に接着剤５を介して種結晶９を固定するための種結晶固定装置１であって、種結晶配置部３を内部に配置可能なチャンバ１０と、チャンバ１０上面に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に種結晶９の表面に接して種結晶９の全面に均一に圧力を掛ける加撓性袋体１６とを備え、チャンバ１０上面が、種結晶配置部３に向かって凸形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板２２を配し、高温部に炭化珪素原料を配して、炭化珪素原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板２２上に析出させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶２２を配する箇所のルツボ部材に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が１．０×１０^−６／ケルビン以下である部材を用いる。また、種結晶２２を配する箇所のルツボ部材として炭化珪素を用いる。 （もっと読む）