【課題】ＰＬＣとＥＯ材料基板上に形成された他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光変調器において、コンパクト化を図ること。
【解決手段】光変調器３００は、ＬＮ変調器３１０にＰＬＣ３２０が突き合わせ接続されたＰＬＣ−ＬＮ変調器３３０と、ＬＮ変調器３１０が固定された凸部３４０Ａを有するパッケージ３４０と、パッケージ３４０に固定されたレンズ３５０を介してＬＮ変調器３１０の入力ポート３１１と接続された入力ファイバ３６１と、ＰＬＣ３２０に接続されたファイバブロック３７０を介してＰＬＣ３２０の出力ポート３２１と接続された出力ファイバ３６２とを備える。ＬＮ変調器３１０には、レンズを介して入力ファイバ３６１と接続される入力ポート３１１と、入力された光信号を分岐する分岐回路３１２と、分岐された光信号を変調させる電圧を印加するための信号電極３１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第１及び第２の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部を含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光周波数コムの駆動条件を精確に制御することが可能であり、制御に係る構成が複雑化せず、高コスト化しない、光周波数コム発生装置及びそれを用いた光パルス発生装置、並びに光周波数コム発生方法及びそれを用いた光パルス発生方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路を伝搬する光波を独立に変調する２つの光変調部４１，４２と、伝搬する光波の位相差を制御する位相調整部４３とを有する光周波数コム発生装置において、少なくとも一方の光変調部に印加するＲＦ信号の電圧振幅を調整する振幅調整手段２２と、出力光の強度をモニタするモニタ手段２１と、振幅調整手段を制御して各光変調部に印加されるＲＦ信号の電圧振幅の差を変化させ、電圧振幅差の変化に対応する出力光の変化を、モニタ手段の出力信号から検出し、検出結果に基づき位相調整部を制御して位相差を調整するバイアス制御回路２０を有する。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高感度で広帯域特性を有する電界センシング装置を提供する。
【解決手段】電界センシング装置は、無変調光を出射する第１の半導体レーザ光源１６と、前記無変調光を伝送する光ファイバ１５ａと、電気信号によって変調する光変調器１４と、電波を受信するアンテナ１１と、受信された電気信号を光の進行方向に対し、同一方向と逆方向で前記光変調器１４に印加する分配器１２と、前記光変調器１４で変調された変調光を伝送する光ファイバ１５ｂと、伝送された前記変調光を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化および集積化した強誘電体材料による光スイッチおよび光変調器
【解決手段】単結晶のベース基板と、ベース基板の表面に形成され、ペロブスカイト構造を有し、且つ、自発分極を有する菱面体晶の強誘電体薄膜とを備える基板構造体および基板構造体を製造する製造方法を提供する。強誘電体薄膜に形成された光導波路と、光導波路に対して、ベース基板の表面と平行な方向の電界を印加する電界印加部とを更に備えてよい。電界印加部は、光導波路に印加される電界の電界方向と、強誘電体薄膜における自発分極の方向とが平行となるように、電界を発生してよい。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 負のグース−ヘンシェンシフトを利用して光速度を遅延させる光素子を提供する。
【解決手段】 入射された光をガイドして出射する光導波路と、光導波路の一側に形成されている第１反射層と、光導波路の他側に形成されている第２反射層と、を備え、第１反射層及び第２反射層のうち少なくとも一つは、負のグース−ヘンシェンシフト特性を表す物質からなる光素子。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）