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国際特許分類[H01B13/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法 (6,886)

国際特許分類[H01B13/00]の下位に属する分類

剛性チューブケーブルを製造するためのもの
延長可能な導体またはケーブルを製造するためのもの
ワイヤーハーネスを製造するためのもの (505)
同軸ケーブルを製造するためのもの (148)
撚り合わせ (54)
導体またはケーブルの絶縁 (216)
シース;外装;遮へい;その他の保護層の適用 (118)
連続的誘導性装荷,例.クララップ装荷,の適用
乾燥 (5)
不通気性材料での充填または被覆 (189)
導体またはケーブルに識別表示を施すためのもの (63)

国際特許分類[H01B13/00]に分類される特許

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【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚600nm以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をT1とし、成膜終了時の基体温度をT2とするとき、下記(1)〜(3)の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、CVD法を用いて、200Pa以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度300〜650℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
(1)T2=360〜380℃
(2)ΔT(T1−T2)=45〜65℃
(3)少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚200nmが達するまでに基体温度の下降を開始する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤループのワイヤ端部を、ワイヤ端部を加工する加工ユニットに送り出す装置および方法を提供する。
【解決手段】この加工装置(1)では、ワイヤ端部(3.1、3.2)が、周囲に配置された加工ユニット(20、21、22)に円形に送り出される。ループ層(9)は、前端のワイヤ端部(3.1)を掴み、これをワイヤループ(3.10)にして置く。ワイヤ(3)は次いで、ベルト機器(7)によって前進され、ループガイド(10)がループ端部(3.11)を拾い上げ、ワイヤループ(3.10)が所望の寸法を得るまで上方向に移動し、ワイヤループ(3.10)のループ端部(3.11)を、ワイヤループ(3.10)の長さに応じてループガイド(10)によって直線軸(26)に沿って変位可能であるロータリスター(40)の保持要素(41)に移送する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】2軸結晶配向したCu層上にNi又はNi合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いNi層を生成するには、一般に低電流密度(1〜4A/dm)でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールtoリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、2軸結晶配向したCu層と、前記Cu層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】各種絶縁基材の表面に導電性と耐水性を有する導電性層を形成する導電性基材の製造方法を提供する。
【解決手段】アミノ基を有する化合物(A)を固着させた基材を、スルホン酸基および/またはカルボキシル基を有する導電性ポリマー(B)を含有した溶液または分散液に接触させる、導電性基材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】有機薄膜太陽電池への使用に適した透明電極基材を提供するとともに、安価で大面積化が容易な透明電極基材の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極基材1は、板状の透明基材2と、前記透明基材2の片側に形成された透明樹脂層3と、前記透明樹脂層3の前記透明基材2とは反対側の面に埋め込まれたパターン電極4と、前記透明樹脂層3および前記パターン電極4の直上に形成された透明な集電電極5とを有し、前記集電電極5の表面15が平坦である。 (もっと読む)


【課題】 高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したチタン銅及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 1.5〜5.0質量%のTiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、引張強さが800MPa以上であり、板厚に対し45〜55%の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にEBSD測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が40%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であるチタン銅。 (もっと読む)


【課題】微小電極の接続信頼性に優れると共に、狭スペースの隣接電極間の絶縁性が高く、製造から使用までの間の導電粒子の欠落が起こりにくい導電粒子配置シートの提供。
【解決手段】導電粒子と、基準面P1及びそれに相対する基準面P2を有する絶縁樹脂シートとを含んでなる導電粒子配置シートであって、該絶縁樹脂シートの厚みは該導電粒子の平均粒径より小さく、該絶縁樹脂シートの少なくとも片側の所定の基準面から導電粒子が突出しており、導電粒子の絶縁樹脂シートの前記基準面から突出した部分が、該絶縁樹脂シートを構成する該絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層で覆われており、前記基準面から突出した導電粒子の被覆層の頂部の被覆厚みが、0.1μm以上2μm以下であり、該絶縁樹脂シートの180℃溶融粘度が10Pa・s以上5万Pa・s以下であることを特徴とする上記導電粒子配置シート。 (もっと読む)


【解決手段】(A)平均組成式(1)
aR’bSiO(4-a-b)/2 (1)
で表される一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)銀粉末又は銀メッキされた微粉末粒子、
(D)導電性微粉末(但し、銀・銅及びそれらを含む金属を除く)、
(E)付加反応触媒、
(F)脂肪酸、脂肪酸誘導体及びそれらの金属塩から選ばれる1種又は2種以上
を含有する付加硬化型導電性シリコーン組成物。
【効果】本発明の導電性シリコーン組成物は、1.0×10-2Ω・cm以下の高導電率を与える硬化物、特にシリコーンゴムを形成することができ、かつ塗布性が可能で、その形状保持性が良好であり、更には保存安定性も良好なものである。 (もっと読む)


【課題】高分子型燃料電池や水電解装置などの電解質膜を対象とし、高温作動下において高プロトン伝導性、低燃料透過性、高耐酸化性、優れた機械的特性を有する耐熱性高分子電解質膜及びその低コストかつ簡便な製造プロセスを提供する。
【解決手段】本発明の耐熱性高分子電解質膜は、脂環式ポリベンズイミダゾールを含む主鎖と、前記主鎖に放射線グラフト重合により付加されたグラフト鎖とを含み、少なくとも前記グラフト鎖の一部がスルホン酸基を有する。 (もっと読む)


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