【課題】被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】接合装置の接合部１１３は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部２００と、第１の保持部２００に対向配置され、支持ウェハＳを保持する第２の保持部２０１と、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳを覆うように設けられた鉛直方向に伸縮自在の圧力容器２７１を備え、当該圧力容器２７１内に気体を流入出させることで第２の保持部２０１を第１の保持部２００側に押圧する加圧機構２７０と、第１の保持部２００、第２の保持部２０１及び圧力容器２７１を内部に収容し、内部を密閉可能な処理容器２９０と、処理容器２９０内の雰囲気を減圧する減圧機構３００と、を有している。 （もっと読む）

【課題】排熱等の使用済み資源を回収して生成した再利用資源を有効活用して、エネルギー消費量の低減も図る。
【解決手段】資源再利用装置６は、被処理体を処理する複数の処理装置それぞれから排出された使用済み資源を回収する資源回収部３４，３５，３６と、 資源回収部で回収された資源から再利用資源を生成する資源生成部３１，３１，３２と、複数の処理装置それぞれの種類と、被処理体の処理工程ごとに複数の処理装置で行われる処理内容と、複数の処理装置の稼働状況および稼働予定とに基づいて、複数の処理装置に再利用資源を振り分ける資源振分部３７，３８，３９，４０，４１，４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】小型、省エネルギーの除湿機を有するミニエンを提供する。
【解決手段】ミニエンにおいて、ウェーハ搬送を行う搬送室を内部に有するミニエン本体と、ミニエン本体の排気側と吸気側との間に設置され、ミニエン本体の内部を除湿する除湿機とを備えている。そして、除湿機は、吸着式除湿機からなり、水分を吸着する除湿材に供給する空気を冷却するプレクーラー２７、アフタークーラー２８と、水分を吸着する除湿材に供給する空気を加熱する排気ヒーター３３、再生ヒーター２３とを備え、プレクーラー２７、アフタークーラー２８と排気ヒーター３３、再生ヒーター２３との熱源にペルチェ素子４１が使用されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたり、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において、両基板の熱膨張係数の差異に起因して基板に破壊が生じたり、貼り合わせた両基板が剥がれてしまうことを抑制する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板のうち、熱膨張係数の小さい基板の温度よりも熱膨張係数の大きい基板の温度を高くした状態で、両基板を貼り合わせる。また、両基板の温度を室温より高く、かつ、両基板を貼り合わせた後の加熱処理の温度よりも低くした状態で貼り合わせる。これにより、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において両基板の膨張量の差を少なくすることができるため、基板の破壊や剥がれを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置５により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段６，１４と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段６，１５と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段６，１６と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段６，１８とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】設備を複数の処理装置で共用して、エネルギーを削減することが可能な生産処理システム、生産処理の制御装置、生産処理の制御方法、及び、生産処理の制御プログラムを提供する。
【解決手段】生産処理システムは、生産管理用ホストコンピュータ１と、群コントローラ２と、共用コントローラ３と、複数の処理装置４１を含む処理装置群４と、各処理装置４１に共用される１または複数の設備５１を含む共用設備群５と、搬送システム６とを備えている。処理装置４１からの使用情報のみに基づいて処理装置４１及び設備５１を制御するのではなく、予め取得した使用計画を利用する。そのため、効率よく共用設備群５内の設備５１を共用でき、結果として、消費エネルギーを低減できる。 （もっと読む）

【課題】支持基板とＩＩＩ族窒化物層との接合が良好なＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面１０ｍを有する支持基板１０と、目標とする基板径より大きい径の主面３０ｎを有しその主面３０ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域３０ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物基板３０とを、中間層２０を介在させて貼り合わせ、ＩＩＩ族窒化物基板３０をイオン注入領域３０ｉにおいてＩＩＩ族窒化物層３０ａと残りのＩＩＩ族窒化物基板３０ｂとに分離することにより、支持基板１０上に中間層２０を介在させてＩＩＩ族窒化物層３０ａが接合された第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１を形成し、第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第２のＩＩＩ族窒化物複合基板２を得る。 （もっと読む）