【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】固体素子が損傷しにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１を準備する第一基板準備工程と、前記第一基板１上に剥離層２を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記剥離層２上に第二基板３を剥離可能に形成する第二基板形成工程と、前記第二基板３及び前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記第二基板２上に固体素子４を形成する固体素子形成工程と、前記固体素子４、前記第二基板３、及び前記剥離層２が形成された前記第一基板１の前記第二基板３及び前記剥離層２のいずれか一方又は両方に外力を加えることで、前記第二基板３から前記剥離層２及び前記第一基板１を剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする固体素子４を有するデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板を用いた半導体装置の製造方法において、活性層基板を酸化して埋め込み酸化膜４ｂを生成する工程と、支持基板３表面に、ＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧を決定するためのチャネルドープ１０を行う工程と、支持基板３と活性層基板５とを前記埋め込み酸化膜を介して貼り合せる工程と、活性層基板を部分的に除去し埋め込み酸化膜４ａを露出させる工程と、埋め込み酸化膜４ａ上にゲート電極６ａを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】外形の異なる接合部材の位置合わせを容易且つ高精度に行うことが可能な陽極接合用治具及びこの治具を用いた陽極接合方法を提供する。
【解決手段】開口部を有する枠状の第１部材と、第１部材上に配置され、開口部を跨ぐように第１部材に架設される橋桁部を含む第２部材と、を具備し、橋桁部の熱膨張係数は、第１部材の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする陽極接合用治具。 （もっと読む）

【課題】バブル欠陥が少ない埋込み酸化物層を有する厚さ２５ｎｍ以下シリコンオンインシュレーター構造体を提供すること。
【解決手段】（ａ）シリコン層を含むドナー基板及び支持基板を提供するステップであり、両基板の一方のみが酸化物層で覆われているもの、（ｂ）ドナー基板においてシリコン層の境界となる弱帯を形成するステップ、（ｃ）酸化物層をプラズマ活性化するステップ、（ｄ）ドナー基板を支持基板に接合するステップであり、酸化物層が接合界面に配置され、接合が部分真空中で実行されるもの、（ｅ）接合強化アニールを３５０℃以下の温度で行うステップであり、アニールはドナー基板を弱帯に沿って劈開させるもの、（ｆ）シリコンオンインシュレーター構造体に対し、９００℃超の温度で欠陥を修復する熱処理を加えるステップであり、（ｅ）から（ｆ）への温度遷移が１０℃／ｓ超の勾配率であるものを含むシリコンオンインシュレーター構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固体素子を損傷させにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性基板１及び剛性基板２を準備する基板準備工程と、可撓性基板の片側に紫外線３を部分的に照射して紫外線照射領域４と紫外線非照射領域を形成する第１の紫外線照射工程と、剛性基板の片側に紫外線を照射して紫外線照射領域５を形成する第２の紫外線照射工程と、可撓性基板の紫外線照射領域９及び剛性基板の紫外線照射領域１１を片側同士が対向するように接触させて、可撓性基板及び剛性基板が直に固着している複合体６を形成する複合体形成工程と、複合体の可撓性基板の紫外線非照射領域１０に固体素子７を形成する固体素子形成工程と、複合体の可撓性基板の紫外線非照射領域で可撓性基板を切断する可撓性基板切断工程と、複合体から剛性基板を分離する剛性基板分離工程と、を有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを予め算出する方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハ１とベースウェーハ２とを貼り合わせた後、ボンドウェーハ１を薄膜化することによって、ベースウェーハ２上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなる構造のＳＯＩウェーハ３を作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法であって、シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りＡを算出し、エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さに起因する反りＢを算出し、さらに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りＣとし、これらの反りの総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を、貼り合わせＳＯＩウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】 外部衝撃による半導体層の損傷および剥離を抑制することのできる、生産性の高い複合基板を提供する。
【解決手段】 絶縁性材料からなる支持基板１０と、支持基板１０上に位置するとともに平面視で支持基板１０よりも内側に位置する半導体層２０とを有する複合基板１であって、半導体層２０は、平面視で外周部の少なくとも一部が凹部２１と凸部２２とを有する凹凸形状である。 （もっと読む）