【課題】光電変換素子により光電変換可能な波長帯域を広くし、かつ電力使用時が受光時とずれていても対応可能にする。
【解決手段】光蓄電装置１は、光発電部２と、蓄電部３を備えている。光発電部２は第１、第２光電変換素子１０，２０を含む。各光電変換素子１０，２０が、半導体層１１，２１と、導電層１２，２２と、ランダムな周期の周期構造１３ｃを多数有する金属ナノ構造１３，２３を含む。第１光電変換素子１０の半導体層１１は、ｎ型半導体層である。第２光電変換素子２０の半導体層２１は、ｐ型半導体層である。 （もっと読む）

【課題】セルロース系ポリマーを充分に溶解し、スクリーン印刷による塗工性に優れ、粘度の安定性に優れた半導体ペースト、該半導体ペーストを用いた多孔質体及び該多孔質体を用いた色素増感太陽電池の提供を課題とする。
【解決手段】（１）半導体微粒子、セルロース系ポリマー、多価アルコール、及び前記多価アルコールに該当しない有機溶媒を含む半導体ペーストであって、前記半導体ペースト中、前記多価アルコール及び前記有機溶媒の合計の含有量は６０〜８２wt%であり、前記多価アルコールの含有量が２〜４０wt%であり、前記有機溶媒の含有量が２０〜８０wt%である半導体ペースト。（２）前記半導体微粒子１００重量部に対して、前記セルロース系ポリマーを２０〜６０重量部、前記多価アルコールを１０〜２７０重量部、及び前記有機溶媒を１３０〜５２０重量部を含む、前記半導体ペースト。 （もっと読む）

【課題】シリコン太陽電池において、表面反射を減少させることにより、透明導電膜/シリコンを有する、光入射側透光性部材（基板または保護膜）の透過率を向上させることを目的とする。
【解決手段】透光性部材、透明導電膜、シリコンおよび裏面電極を有するシリコン太陽電池であって、透光性部材と透明導電膜の間に、および/または透明導電膜とシリコンの間に、微結晶質を含んでいてもよいアモルファスのＳｉ_ｘＭ_１-ｘ：Ｈ（ＭはＯ，ＮまたはＣであり、０<ｘ<１）からなる第１中間層および/または第２中間層がそれぞれ設けられ、かつ第１中間層の波長６００ｎｍにおける屈折率は、透光性部材と透明導電膜の屈折率の中間の値を示し、第２中間層の波長６００ｎｍにおける屈折率は、透明導電膜とシリコンの屈折率の中間の値を示すことを特徴とするシリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、ｎ型単結晶シリコン基板１の一主面上に、シリコン薄膜２、バッファ層３、ｐ型非晶質半導体層４および透明導電膜５を順次積層し、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に電極６を形成した構造からなる。シリコン薄膜２は、非晶質相が支配的な膜構造からなり、微結晶相中に含まれるＳｉの結晶粒よりも小さい結晶粒が非晶質相中に含まれている膜構造からなっていてもよい。バッファ層３は、炭素原子の含有量が基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲である。 （もっと読む）

【課題】多接合型太陽電池におけるサブセルの短絡電流値を高め、よって、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】基板を兼ねるボトムサブセル１０と、複数のサブセルとを備える。複数のサブセルのうちの少なくとも１つは、基板１０に格子整合されたｐ型半導体層２１およびｎ型半導体層２５と、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２５との間に挟まれ量子層２３Ａと障壁層２３Ｂとが積層されて構成された超格子半導体層２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】高い特性を有する化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】第２のサブセルと第１のサブセルとの間に設けられたグレーディングバッファ層を構成する層のうち第１のサブセルに最も近接する層の厚さが１．５μｍ以上２μｍ以下である化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】色素増感太陽電池などの色素増感光電変換素子を用いた両面に光電変換部を有する低コストな光電変換素子モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子モジュールは互いに電気的に直列に接続された複数の光電変換素子１０を有する。光電変換素子１０は、第１の多孔質電極２を有する第１の透明導電性基板１と、第２の多孔質電極２を有する第２の透明導電性基板５とが互いに対向しており、その間に対極３が設けられ、それぞれの間には第１の電解質層４と第２の電解質層７を有する。端部３ａは第１の透明導電性基板１に対して突出しており、端部１ａおよび５ａが対極３に対して突出している。一つの色素増感光電変換素子１０の端部１ａ上および端部５ａ上にそれぞれ互いに対向して設けられた導電材９と、もう一つの色素増感光電変換素子１０の端部３ａとが、互いに対向して設けられた２つの導電材９が端部３ａを挟持する形で接続する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、変換効率が高く光入射面が精密に加工された結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の結晶シリコン太陽電池の製造方法は、ｎ型結晶シリコン基板から結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、順に、太陽と対向する光入射面となる一方の面が露出するように結晶シリコン基板を基板ステージにセットする光入射面配置工程、前記一方の面上に順に、第一の実質的に真性なシリコン系薄膜層、ｐ型シリコン系薄膜層、及び第一の透明導電層を積層する光入射面積層工程、前記結晶シリコン基板の外周部側面から３ｍｍ以内の位置に前記一方の面からレーザー光を照射して前記外周部の全周に亘って折り割り線を形成する折り割り線形成工程、及び前記折り割り線に沿って前記外周部側面を折り割り除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、バッファ層２と、ｐ型非晶質半導体層３とを備える。バッファ層２は、ｎ型単結晶シリコン基板１に接して配置され、ｐ型非晶質半導体総３は、バッファ層２に接して配置される。そして、バッファ層２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。 （もっと読む）