国際特許分類[H01L31/04]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572) | 変換装置として使用されるもの (14,353)
国際特許分類[H01L31/04]の下位に属する分類
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池 (5,384)
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの (4)
国際特許分類[H01L31/04]に分類される特許
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光電変換素子および光電変換素子の製造方法
【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子10は、光電変換部3を備える。光電変換部3は、p型非晶質半導体層31、バッファ層32、i型非晶質半導体層33およびn型非晶質半導体層34を積層した構造からなる。バッファ層32における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、3×1014(個/cm2)〜1.2×1016(個/cm2)の範囲、または3×1014(個/cm2)〜1.4×1016(個/cm2)の範囲からなる。
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有機薄膜太陽電池およびその製造方法
【課題】耐久性の向上可能な有機薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10と、基板上に配置された第1電極層11と、第1電極層上に配置された正孔輸送層12と、正孔輸送層上に配置されたバルクへテロ接合有機活性層14と、バルクへテロ接合有機活性層上に配置された第2電極層16と、第2電極層の表面に配置した不動態膜24とを備える。
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光電変換素子および光電変換素子の製造方法
【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子10は、n型単結晶シリコン基板1と、シリコン薄膜2と、バッファ層3と、p型非晶質半導体層4と、透明導電膜5と、電極6とを備える。シリコン薄膜2は、n型単結晶シリコン基板1の一主面に接して配置される。バッファ層3は、シリコン薄膜2に接して配置される。p型非晶質半導体層4は、バッファ層3に接して配置される。透明導電膜5は、p型非晶質半導体層4に接して配置される。電極6は、n型単結晶シリコン基板1のシリコン薄膜2と反対側の表面に接して配置される。シリコン薄膜2は、非晶質相が支配的な膜構造からなり、微結晶相中に含まれるSiの結晶粒よりも小さい結晶粒が非晶質相中に含まれている膜構造からなっていてもよい。バッファ層3は、i型a−SiCからなる。
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多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、および、多結晶シリコンインゴットの製造方法
【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。
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化合物半導体太陽電池セル
【課題】大面積で作製した場合でも、優れた光電変換特性を有するセルを歩留まり良く製造することができる化合物半導体太陽電池セルを提供する。
【解決手段】格子定数差の大きいサブセルの間に中間第一層83、中間第二層82および中間第三層81を含む中間層35を設けて格子不整合を緩和した化合物半導体太陽電池セルであって、第2のサブセル36に最も近い位置に配置されている中間第一層83と中間第一層83に隣接する中間第二層82との間の格子定数差の比である第1格子定数差比が、中間第二層82に隣接する中間第三層81と中間第二層82との間の格子定数差の比である第2格子定数差比よりも大きく、かつ第1格子定数差比が0.78%以下であって、複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が第1のサブセル34に近づくにつれて小さくなる化合物半導体太陽電池セルである。
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反射防止膜付きガラス基材
【課題】 Na、Caを含有するソーダ石灰ガラス等の汎用ガラスを、高耐久性の反射防止膜付きガラス基材として利用することを目的とする。すなわち、反射防止機能を付与することにより、入射光の透過量を増加させると同時に、高温高湿下でのガラス基材中のNaやCaの反射防止膜表面への拡散を抑え、反射防止膜の白濁を抑制する反射防止膜付きガラス基材を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に、反射防止膜3を備えるガラス基材2であって、ガラス基材2は、NaおよびCaからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ金属を含有し;反射防止膜3は、SiO2を含有し、屈折率が1.35〜1.50であり;かつガラス基材2表面と反射防止膜3との界面に、Pを1〜12原子%含有する拡散抑制膜4を備える、ことを特徴とする、反射防止膜付きガラス基材1である。
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光電素子及びその製造方法
【課題】粒径が大きく、かつ、ボイドの少ないCZTS膜を光吸収層に用いた光電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極の上に、(a)Cu、Zn又はSnを含む複数の薄膜が積層された積層膜からなり、(b)積層膜の成膜時及び硫化の過程においてCu−Zn相又はCu−Zn−S相を生成させることがなく、かつ、(c)膜厚が200〜700nmであるプリカーサを形成し、これを所定の条件下で硫化させる。このような方法により、(a)CZTS系化合物からなり、(b)膜厚方向に見たときに、1個の結晶粒のみからなる領域を含み、(c)気孔率が10%以下であり、かつ、(d)膜厚が300〜1000nmである光吸収層を備えた光電素子が得られる。
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積層基板の検査装置および検査方法
【課題】簡易な構成で大面積の積層基板を高速で高精度に検査できる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板K0上にモリブデン層K1が形成されると共にモリブデン層K1上に薄膜K2,K3が形成された基板Kの、薄膜K2,K3側から形成されたパターニングを検査する検査装置1であって、移送中の基板Kのガラス基板K0側に光を照射する下部照明10と、移送中の基板Kの薄膜K2,K3側に光を照射する上部照明20とを設けると共に、基板Kを透過する下部照明10の光軸P上で且つ基板Kで乱反射する上部照明20の光軸D上に配置された第1ラインセンサカメラ11と、基板Kで正反射する上部照明20の光軸S上に配置された第2ラインセンサカメラ21とを設け、ラインセンサカメラ11,21で検知した光の状態に基づいてパターニングの良否を判断する突き抜け検査用パソコン12及び擦れ検査用パソコン22を具備する。
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光電変換素子及び光電気化学電池
【課題】固体正孔輸送層を用いたことによる利点を維持し、その上で、高い光電変換効率と高耐久性との両立を実現する光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体層、固体の正孔輸送層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子であって、前記色素が炭素数5〜18の脂肪族基Aを有する下記式(1)で表される色素である光電変換素子。
[式中、Qは4価の芳香族基を示す。X1、X2は硫黄原子、酸素原子、又はCR1R2を表す。P1、P2は色素残基を表す。ただしP2はポリメチン色素を形成するのに必要な原子群を表す。W1は電荷を中和させるのに必要な場合の対イオンを表す。]
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光電変換素子
【課題】構造の自由度を確保して分極を抑制可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子100は、n型単結晶シリコン基板1と、n型非晶質膜2,21〜2mと、i型非晶質膜11〜1nと、p型非晶質膜31〜3m−1とを備える。n型単結晶シリコン基板1は、リン(P)が拡散された拡散領域10を含む。n型非晶質膜2は、n型a−Siからなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面に接して形成される。i型非晶質膜11〜1nは、i型a−Siからなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側と反対側の表面に接して形成される。n型非晶質膜21〜2mは、n型a−Siからなり、それぞれ、i型非晶質膜11,13,・・・,1n−2,1nに接して形成される。p型非晶質膜31〜3m−1は、p型a−Siからなり、それぞれ、i型非晶質膜12,14,・・・,1n−1に接して形成される。
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