【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、ｉ型非晶質半導体層３３およびｎ型非晶質半導体層３４を積層した構造からなる。バッファ層３２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。 （もっと読む）

【課題】異相を含まない高純度のＡＺＴＳ超微粒子を得ることができるようにする。
【解決手段】Ａｇ、Ｚｎ、及びＳｎの各金属元素をそれぞれ含有した第１〜第３の含イオウ金属化合物をオレイルアミン等の脂肪族アミン中で加熱処理し、化学式Ａｇ_２ＺｎＳｎＳ_４で表される化合物半導体を作製する際に、第１及び第２の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比で秤量する一方、第３の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の３〜６倍となるように秤量し、前記脂肪族アミンに添加する。含イオウ金属化合物としては、例えばジアルキルジチオカルバミン酸化合物を使用することができ、加熱処理は２８０℃以上の温度で行うのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有する透明導電膜を簡便な製造プロセスにて安価に製造することができる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素ドープ酸化スズ膜からなる透明導電膜を透明基板１００の被成膜面１０１上に形成するに際して、加熱部１４において被成膜面１０１の温度が５００℃以上となるように透明基板１００を加熱し、成膜部１５において透明導電膜の原料溶液を被成膜面１０１に対して噴霧して透明導電膜を成膜し、熱処理部１６において透明導電膜を４００℃以上５００℃以下の大気雰囲気中において５分以上４５分以下にわたって熱処理する。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、シリコン薄膜２と、バッファ層３と、ｐ型非晶質半導体層４と、透明導電膜５と、電極６とを備える。シリコン薄膜２は、ｎ型単結晶シリコン基板１の一主面に接して配置される。バッファ層３は、シリコン薄膜２に接して配置される。ｐ型非晶質半導体層４は、バッファ層３に接して配置される。透明導電膜５は、ｐ型非晶質半導体層４に接して配置される。電極６は、ｎ型単結晶シリコン基板１のシリコン薄膜２と反対側の表面に接して配置される。シリコン薄膜２は、非晶質相が支配的な膜構造からなり、微結晶相中に含まれるＳｉの結晶粒よりも小さい結晶粒が非晶質相中に含まれている膜構造からなっていてもよい。バッファ層３は、ｉ型ａ−ＳｉＣからなる。 （もっと読む）

【課題】耐久性の向上可能な有機薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置された第１電極層１１と、第１電極層上に配置された正孔輸送層１２と、正孔輸送層上に配置されたバルクへテロ接合有機活性層１４と、バルクへテロ接合有機活性層上に配置された第２電極層１６と、第２電極層の表面に配置した不動態膜２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】粒径が大きく、かつ、ボイドの少ないＣＺＴＳ膜を光吸収層に用いた光電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極の上に、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ又はＳｎを含む複数の薄膜が積層された積層膜からなり、（ｂ）積層膜の成膜時及び硫化の過程においてＣｕ−Ｚｎ相又はＣｕ−Ｚｎ−Ｓ相を生成させることがなく、かつ、（ｃ）膜厚が２００〜７００ｎｍであるプリカーサを形成し、これを所定の条件下で硫化させる。このような方法により、（ａ）ＣＺＴＳ系化合物からなり、（ｂ）膜厚方向に見たときに、１個の結晶粒のみからなる領域を含み、（ｃ）気孔率が１０％以下であり、かつ、（ｄ）膜厚が３００〜１０００ｎｍである光吸収層を備えた光電素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】大面積で作製した場合でも、優れた光電変換特性を有するセルを歩留まり良く製造することができる化合物半導体太陽電池セルを提供する。
【解決手段】格子定数差の大きいサブセルの間に中間第一層８３、中間第二層８２および中間第三層８１を含む中間層３５を設けて格子不整合を緩和した化合物半導体太陽電池セルであって、第２のサブセル３６に最も近い位置に配置されている中間第一層８３と中間第一層８３に隣接する中間第二層８２との間の格子定数差の比である第１格子定数差比が、中間第二層８２に隣接する中間第三層８１と中間第二層８２との間の格子定数差の比である第２格子定数差比よりも大きく、かつ第１格子定数差比が０．７８％以下であって、複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が第１のサブセル３４に近づくにつれて小さくなる化合物半導体太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】 Ｎａ、Ｃａを含有するソーダ石灰ガラス等の汎用ガラスを、高耐久性の反射防止膜付きガラス基材として利用することを目的とする。すなわち、反射防止機能を付与することにより、入射光の透過量を増加させると同時に、高温高湿下でのガラス基材中のＮａやＣａの反射防止膜表面への拡散を抑え、反射防止膜の白濁を抑制する反射防止膜付きガラス基材を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に、反射防止膜３を備えるガラス基材２であって、ガラス基材２は、ＮａおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ金属を含有し；反射防止膜３は、ＳｉＯ_２を含有し、屈折率が１．３５〜１．５０であり；かつガラス基材２表面と反射防止膜３との界面に、Ｐを１〜１２原子％含有する拡散抑制膜４を備える、ことを特徴とする、反射防止膜付きガラス基材１である。 （もっと読む）