説明

偏波無依存型光装置

【課題】偏波依存性をなくすること。
【解決手段】方向性結合器14a,14b及び方向性結合器に光学的に接続された光干渉器16を備えたマッハツェンダ干渉計18を基板12の第1主面12a側に備えていて、方向性結合器及び光干渉器の両者は、共通のリッジ形光導波路20を用いて形成されていて、リッジ形光導波路は、第1主面側に積層された第1及び第2クラッド22,24と、第1及び第2クラッド間に介在するコア26とを備えていて、コアは、平行平板状に延在する平面導波路部28と、コアを伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部から突出した凸条としてのリッジ部30とが一体に形成されていて、コアが、所定の条件を満たすように形成されていることを特徴とする偏波無依存型光装置。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、偏波無依存型光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
光加入者系においては、加入者側から局側への光伝送(上り通信)と、局側から加入者側への光伝送(下り通信)を一本の光ファイバで行う必要があり、そのため上り通信及び下り通信を異なる波長の光で行っている。このため、局側及び加入者側の双方で、異なる波長の光を分離する光波長フィルタが必要となる。一般的に光加入者系では、この光波長フィルタと発光素子及び受光素子とを空間光学的に光軸合わせして組み立てることより、光合分波素子として用いている。加入者側で用いられる光合分波素子は加入者側終端装置(ONU:Optical Network Unit)と称される(例えば、特許文献1〜5)。
【0003】
近年、光波長フィルタとして、光軸合わせを不要とする光導波路型の光波長フィルタが研究されている。この種の光波長フィルタとしては、マッハツェンダ干渉計を用いたもの、方向性結合器を用いたもの、グレーティングを用いたもの等が知られている。
【0004】
方向性結合器を用いた光波長フィルタは、透過域内での波長依存性が大きいため、光源から照射される光の波長誤差に弱い。また、素子のサイズが数百μmオーダーとなり、小型化が難しい。
【0005】
グレーティングを用いた光波長フィルタでは、用いるグレーティングの反射効率を高めれば、透過域内での透過率を一定とすることができる。しかし、グレーティングの反射効率を高めるためには、グレーティングの周期を、分離する光の波長の1/2以下の寸法とする必要があるため、充分な寸法精度でグレーティングを作成することが難しい。
【0006】
マッハツェンダ干渉計を用いた光波長フィルタは、光回路理論を用いて波長特性を設計できるという利点を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】米国特許明細書 第4860294号
【特許文献2】米国特許明細書 第5764826号
【特許文献3】米国特許明細書 第5960135号
【特許文献4】米国特許明細書 第7072541号
【特許文献5】特開平8−163028号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、導波路寸法がサブミクロンオーダであるSi細線光導波路を用いてマッハツェンダ型光波長フィルタを作成した場合、等価屈折率や結合係数の波長依存性が大きいために、ONUの設計が難しくなってしまう。また、Si細線光導波路を用いたマッハツェンダ型光波長フィルタは、偏波依存性が極めて大きく、TE成分及びTM成分のどちらか一方の偏波成分しか利用することができなかった。
【0009】
この発明は上述した問題点に鑑みなされたものである。従って、この発明の目的は、Si細線光導波路で形成された光波長フィルタに好適に用いられる光装置であって、偏波無依存型光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上述した目的の達成を図るために、この発明の偏波無依存型光装置は、方向性結合器及び方向性結合器に光学的に接続された光干渉器を備えた光素子を基板の第1主面側に備えていて、方向性結合器及び光干渉器の両者は、共通のリッジ形光導波路を用いて形成されている。
【0011】
ここで、リッジ形光導波路は、第1主面側に積層された第1及び第2クラッドと、第1及び第2クラッド間に介在するコアとを備えている。
【0012】
このコアは、平行平板状に延在する平面導波路部と、コアを伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部から突出した凸条としてのリッジ部とが一体に形成されているとともに、コアが、下記3条件を満たすように形成されている。
【0013】
(1)リッジ部の横断面において、第1主面に平行かつ前記光伝播方向に直交する方向に沿った長さであるリッジ幅が、コアの下面とリッジ部の上面との間の距離である全厚みよりも小さい。
【0014】
(2)リッジ部の下面と上面との間の距離であるリッジ高さが、リッジ幅よりも小さい。
【0015】
(3)平面導波路部の下面と上面との間の距離である平面導波路部厚みが、全厚みの1/4以下である。
【0016】
上述の偏波無依存型光装置の好適な実施態様によればコアを構成する材料の屈折率を、第1及び第2クラッドの両者を構成する材料よりも40%以上大きくするのがよい。
【0017】
さらに、コアを構成する材料をSiとし、並びに、第1及び第2クラッドを構成する材料をSiOとすることが好ましい。
【0018】
上述の偏波無依存型光装置の別の好適な実施態様によれば、光素子を、2個の方向性結合器と、2個の方向性結合器の間を光学的に接続する有限の光路長差を有する2本のリッジ形光導波路を備えた光干渉器とを有するマッハツェンダ干渉計とするのがよい。
【0019】
上述の偏波無依存型光装置のさらに別の好適な実施態様によれば、光素子を、直列に接続された第1〜第2nマッハツェンダ干渉計(ただし、nは1以上の整数。)をもって構成し、第(n−i+1)マッハツェンダ干渉計(ただし、iは、1≦i≦nの整数)における光路長差である第(n−i+1)光路長差と、第(n+i)マッハツェンダ干渉計における光路長差である第(n+i)光路長差の和を0(ゼロ)とするように、第1〜第2nマッハツェンダ干渉計を配置するのがよい。
【発明の効果】
【0020】
この発明によれば、Si細線光導波路で形成された光波長フィルタに好適に用いられる光装置であって、偏波無依存な偏波無依存型光装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】実施形態の偏波無依存型光装置の構造を模式的に示す斜視図である。
【図2】図1に示す実施形態の偏波無依存型光装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図3】(A)は、実施形態の偏波無依存型光装置に使用される光干渉器の等価屈折率及び方向性結合器の結合長の両者を共に偏波無依存とするリッジ幅Wとリッジ高さSとの関係を示す特性図であり、(B)は、その方向性結合器の部分におけるコアの切断端面を模式的に示しており、(A)の理解に資するための模式図である。
【図4】(A)は、実施形態の偏波無依存型光装置に使用される光干渉器の等価屈折率及び方向性結合器の結合長の両者を共に偏波無依存とするリッジ高さS及びリッジ幅Wと、全厚みHとの関係を示す特性図であり、(B)は、その方向性結合器の部分におけるコアの切断端面を模式的に示しており、(A)の理解に資するための模式図である。
【図5】(A)は、チャネル型光導波路で構成された方向性結合器の切断端面をTM波の分布とともに示す模式図であり、及び(B)は、チャネル型光導波路で構成された方向性結合器の切断端面をTE波の分布とともに示す模式図である。
【図6】(A)は、図1に示す偏波無依存型光装置の応用例としての波長フィルタの構造を模式的に示す平面図であり、(B)は、波長フィルタの動作特性を示す特性図である。
【図7】(A)は、図1に示す偏波無依存型光装置の変形例としての光スイッチの構造を概略的に示す平面図であり、(B)は、図1に示す偏波無依存型光装置の変形例としてのリング共振器の構造を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、図面を参照して、この発明の実施形態について説明する。なお、各図は、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係について、この発明が理解できる程度に概略的に示してある。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。また、各図において、共通する構成要素には同符号を付し、その説明を省略することもある。
【0023】
以下、図面を参照して、この実施形態の偏波無依存型光装置の一例について説明する。
【0024】
(構造)
図1は、実施形態の偏波無依存型光装置の構造を模式的に示す斜視図である。図2は、図1に示す偏波無依存型光装置の構造を模式的に示す平面図である。なお、以下の説明において、偏波無依存型光装置を単に光装置と省略することもある。また、図1及び図2において、リッジ部30は、第1及び第2クラッド22及び24中に埋設されており、直接目視することはできないが、強調して示すために、実線で描いて示してある。
【0025】
光装置10は、基板12の第1主面12a側に、方向性結合器14a及び14bと、これらの方向性結合器14a及び14bに光学的に接続された光干渉器16とを備えた光素子としてのマッハツェンダ干渉計18を有している。そして、これら方向性結合器14a及び14bと光干渉器16の両者は、共通のリッジ形光導波路20を用いて形成されている。なお、通常は、光装置10は、上述したマッハツェンダ干渉計18の入力側に入力部19を備えるとともに、出力側に出力部21を備えている(図2参照)。
【0026】
(リッジ形光導波路)
以下、主に図1を参照して、リッジ形光導波路20の構造について説明する。
【0027】
リッジ形光導波路20は、第1主面12a側に積層された第1及び第2クラッド22及び24と、第1及び第2クラッド22及び24の間に介在するコア26とを備えている。
【0028】
第1クラッド22は、基板12の第1主面12a上に、全面にわたって形成された層状体である。この実施形態に示す例では、第1クラッド22は、好ましくは、例えば屈折率が1.59であるSiOを材料として形成されている。第1クラッド22の第1主面12aに垂直に測った厚みは、コア26を伝播する光が基板12に漏れ出すのを防ぐために、好ましくは、例えば約1μm以上の大きさとするのがよい。
【0029】
第2クラッド24は、第1クラッド22の上面に設けられたコア26を埋め込むように、コア26の全面にわたって形成された層状体である。この実施形態に示す例では、第2クラッド24は、第1クラッド22と同様に、好ましくは、例えば屈折率が1.46であるSiOを材料として形成されている。
【0030】
コア26は、平行平板状に延在する平面導波路部28と、コア26を伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部28から突出した凸条としてのリッジ部30とが一体に形成されている。
【0031】
リッジ部30は、個別の第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yを備えている。図2を参照して後述するように、リッジ部30、従って第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yのそれぞれは、光装置10の入力部19、マッハツェンダ干渉計18及び出力部21をそれぞれ構成する、この順に連続接続されたリッジ区間部を備えている。なお、以下の説明において、説明に支障がない限り、第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yを総称してリッジ部30として説明する。
【0032】
コア26は、好ましくは、例えば第1及び第2クラッド22及び24の両者を構成する材料の屈折率よりも40%以上大きい屈折率を有する材料で形成するのがよい。この実施形態に示す例では、コア26は、好ましくは、例えば屈折率が3.49のSiを用いて形成するのがよい。
【0033】
ここで、コア26の下面、すなわち平面導波路部28の下面28bと、リッジ部30の上面30aとの間の距離を「全厚みH」と称する。この実施形態に示す例では、全厚みHは、好ましくは、例えば約0.4μmとするのがよい。
【0034】
平面導波路部28は、第1クラッド22の上面に一定の厚みhで平面的に延在する平面型光導波路である。ここで、平面導波路部28の厚みhは、平面導波路部28の上面28aと下面28bとの間の距離のことである。以降、平面導波路部28の厚みhを、「平面導波路部厚みh」と称する。この実施形態に示す例では、平面導波路部厚みhは、好ましくは、例えば約0.07μmとするのがよい。
【0035】
リッジ部30は、既に説明した通り、コア26を伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部28の上面28aから突出した凸条であり、第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yとして2本形成されている。リッジ部30は、平面導波路部28と同材料を用いて、平面導波路部28と一体に形成されている。
【0036】
ここで、リッジ部30の上面30aと下面30bとの間の距離を「リッジ高さS」と称する。リッジ高さSは、リッジ部30の場所によらず一定の値をとる。この実施形態に示す例では、リッジ高さSは、好ましくは、例えば約0.33μmとするのがよい。なお、リッジ高さSと平面導波路部厚みhと全厚みHとの間には、H=h+Sなる関係が成り立つ。
【0037】
同様に、リッジ部30の横断面において、第1主面12aに平行かつ光伝播方向に直交する方向に沿った長さをリッジ幅Wとする。リッジ幅Wは、リッジ部30の場所によらず一定の値をとる。この実施形態に示す例では、リッジ幅Wは、好ましくは、例えば約0.37μmとするのがよい。
【0038】
リッジ部30は、コア26において、言わば厚みが厚くなっている部分である。つまり、リッジ部30の等価屈折率は、平面導波路部28の等価屈折率よりも大きい。従って、光がリッジ形光導波路20を伝播する際には、主にリッジ部30に沿って伝播することとなる。
【0039】
詳しくは(設計条件)の項で後述するが、光装置10を偏波に依存しないようにするためには、以下の3条件を同時に満たす必要がある。この条件を、以下、「偏波無依存条件」と称する。
【0040】
(偏波無依存条件1)リッジ幅Wが、全厚みHよりも小さい。
【0041】
(偏波無依存条件2)リッジ高さSが、リッジ幅Wよりも小さい。
【0042】
(偏波無依存条件3)平面導波路部厚みhが、全厚みHの1/4以下である。
【0043】
(マッハツェンダ干渉計)
続いて、主に図2を参照して、光素子としてのマッハツェンダ干渉計18の構造及び動作について簡単に説明する。
【0044】
マッハツェンダ干渉計18は、既に説明したように入力部19に接続された方向性結合器14aと、出力部21に接続された方向性結合器14bと、両方向性結合器14a及び14b間に接続された光干渉器16とを備えている。
【0045】
方向性結合器14aは、光結合可能な間隔を空けて平行に配置された第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yのそれぞれのリッジ区間部30a1及び30a2から構成されている。方向性結合器14aの第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30a1の一端は、入力部19の第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30d1と接続されており、他端は、光干渉器16の第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30c1の一端と接続されている。方向性結合器14aの第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30a2の一端は、入力部19の第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30d2と接続されており、他端は、光干渉器16の第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30c2と接続されている。
【0046】
同様に方向性結合器14bは、光結合可能な間隔を空けて平行に配置された第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yのリッジ区間部30b1及び30b2から構成されている。方向性結合器14bの第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30b1の一端は、光干渉器16の第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30c1の他端と接続されており、リッジ区間部30b1の他端は、出力部21の第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30e1と接続されている。方向性結合器14bの第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30b2の一端は、光干渉器16の第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30c2の他端と接続されており、リッジ区間部30b2の他端は、出力部21の第2サブリッジ部30Yのリッジ区間部30e2と接続されている。
【0047】
詳しくは(設計条件)の項で後述するが、方向性結合器14aを構成するリッジ区間部30a1及び30a2の間の間隔、すなわち互いに向かい合うリッジ区間部30a1の側面とリッジ区間部30a2の側面との間の距離(以下、「リッジ間隔G」と称する。)は、好ましくは、例えば約0.3μmとするのがよい。なお、リッジ間隔Gの値は、方向性結合器14bでも同様である。なお、方向性結合器14aと14bにおいて、リッジ区間部30a1及び30a2とリッジ区間部30b1及び30b2の対向長は同一であっても或いは異なっていてもよく、設計に応じた対向長とすればよい。
【0048】
光干渉器16は、2個の方向性結合器14a及び14bの間の領域であり、これらの方向性結合器14a及び14bの間を光学的に接続する有限の光路長差ΔLを有する2本の湾曲したリッジ区間部30c1及び30c2で構成されている。なお、光路長差ΔLとは、リッジ区間部30c1の光路長からリッジ区間部30c2の光路長を差し引いた値とする。
【0049】
以上をまとめると、マッハツェンダ干渉計18においては、方向性結合器14aを構成するリッジ区間部30a1と、光干渉器16を構成するリッジ区間部30c1と、方向性結合器14bを構成するリッジ区間部30b1とが一本に接続されて光導波路を構成している。同様に、方向性結合器14aを構成するリッジ区間部30a2と、光干渉器16を構成するリッジ区間部30c2と、方向性結合器14bを構成するリッジ区間部30b2とが一本に接続されて光導波路を構成している。
【0050】
従来公知のようにマッハツェンダ干渉計18は、光波長フィルタとして用いることができる。つまり、マッハツェンダ干渉計18において、光干渉器16におけるリッジ部30の部分領域すなわちリッジ区間部30c1及び30c2の光路長差ΔLを適当に設定することにより、異なる波長の光を分離することができる。
【0051】
以下、この点についてより詳細に説明する。
【0052】
今、波長が異なる2種類の光を混合した混合光が、入力部19を介して方向性結合器14aのリッジ区間部30a1に入力されたとものとする。この混合光は、方向性結合器14aを光干渉器16に向けて伝播する。ところで、方向性結合器14aにおいては、第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yの部分領域である2本のリッジ区間部30a1及び30a2が光結合可能な間隔で近接配置されている。その結果、これらの2種類の光は、伝播の過程でリッジ区間部30a1からリッジ区間部30a2へとパワー移行が発生し、両リッジ区間部30a1及び30a2を等しいパワーで伝播する。
【0053】
このようにして、両リッジ区間部30a1及び30a2に等分配された光は、光干渉器16のリッジ区間部30c1及び30c2へと伝播する。光路長が異なる光干渉器16のリッジ区間部30c1及び30c2を伝播する過程で、これらの光には光の波長に応じた位相差が導入される。
【0054】
その結果、これらの光が方向性結合器14bに至ったときに、光干渉器16で導入された位相差に応じた相互作用が生じる。ところで、光に導入される位相差は、光の波長により異なっている。よって、光干渉器16における光路長差ΔLを適当に設定することにより、この相互作用の結果として、一方の波長の光を方向性結合器14bのリッジ区間部30b1を介して出力部21のリッジ区間部30e1から出力させ(バー状態)、及び他方の波長の光を方向性結合器14bのリッジ区間部30b2を介して出力部21のリッジ区間部30e2から出力させる(クロス状態)ことができる。つまり、マッハツェンダ干渉計18により、第1サブリッジ部30Xのリッジ区間部30a1に入力した混合光を波長分離して取り出すことができる。
【0055】
(設計条件)
次に、図3及び図4を参照して、光装置の設計条件、より詳細にはリッジ形光導波路20の満たすべき寸法条件について説明する。図3(A)は、光干渉器の等価屈折率及び方向性結合器の結合長の両者を偏波無依存とするリッジ幅Wとリッジ高さSとの関係を示す特性図である。図3(B)は、方向性結合器14aの部分におけるコア26の切断端面を模式的に示しており、図3(A)の理解に資するための模式図である。
【0056】
図4(A)は、光干渉器の等価屈折率及び方向性結合器の結合長の両者を共に偏波無依存とするリッジ高さS及びリッジ幅Wと、全厚みHとの関係を示す特性図である。図4(B)は、方向性結合器14aの部分におけるコア26の切断端面を模式的に示しており、図4(A)の理解に資するための模式図である。
【0057】
なお、図3(A)及び図4(A)の特性図を得るに当たっては、光加入者系で一般的に用いられる波長1.31μmの光と波長1.49μmの光のうち、波長1.49μmの光について計算を行っている。なお、波長1.49μmの光を採用した理由については後述する。また、計算法としては有限要素法を共通に用いている。さらに、リッジ形光導波路20の屈折率の波長依存性を考慮するために、Siの屈折率を計算するに当たっては、セルマイヤの式を適用している。
【0058】
まず、図3(A)について説明する。図3(A)において、縦軸はリッジ幅W(μm)を示し、及び横軸はリッジ高さS(μm)を示している。図3(A)を得るに当たっては、コア26の全厚みHを0.4μmに固定し、リッジ幅Wとリッジ高さS(平面導波路部厚みh)とを変化させている。
【0059】
図3(A)には、3本の曲線が描かれている。曲線Iは、図3(B)に示すように、方向性結合器14aを構成する両リッジ区間部30a1及び30a2の中心軸間距離Gcを0.6μmとしたときの、方向性結合器14aの結合長を偏波無依存とするリッジ幅Wとリッジ高さSの関係を示している。つまり、方向性結合器14aにおいて、TE波とTM波とで結合長を等しくするリッジ幅Wとリッジ高さSとをプロットしている。なお、ここで、中心軸間距離Gcとは、図3(B)に示すように、両リッジ区間部30a1及び30a2の光伝播方向に沿った中心軸間の距離を示し、これは、第1及び第2サブリッジ部30X及び30Yの同様な中心間距離でもある。
【0060】
曲線IIは、中心軸間距離Gcを0.7μmとしたときの、方向性結合器14aの結合長を偏波無依存とするリッジ幅Wとリッジ高さSの関係を示している。
【0061】
曲線IIIは、光干渉器16において等価屈折率を偏波無依存とする、すなわち、TE波とTM波とで光干渉器16の等価屈折率が等しくなるリッジ幅Wとリッジ高さSの関係を示している。
【0062】
図3(A)を参照すると、曲線I及び曲線IIと、曲線IIIとは交差点を有している。つまり、この交差点で与えられるリッジ幅Wとリッジ高さSにおいて、方向性結合器14a及び光干渉器16の両者は偏波無依存となり、従って、光装置10において偏波無依存性が達成されることが分かる。
【0063】
また、曲線IIIに着目すると、光干渉器16におけるリッジ幅Wは、リッジ高さSが増加するとともに、全厚みH(0.4μm)に漸近していくことが分かる。リッジ幅Wがこのような傾向を示す理由は、断面形状が正方形状の場合に偏波無依存性を示すことが知られているSi製チャネル型光導波路の断面形状に、リッジ形光導波路20の断面形状が近づいていくからである。
【0064】
このことから、光装置10を構成するリッジ形光導波路20においては、「リッジ幅Wは、全厚みHよりも小さい」という上述した(偏波無依存条件1)が導き出される。
【0065】
また、曲線I及びIIに着目すると、方向性結合器14aの結合長を偏波無依存とするリッジ幅Wは、リッジ高さSが増加するに従って、小さくなっていく傾向が見られる。以下、この傾向が生じる理由について説明する。
【0066】
一般に、TM波では、リッジ幅Wとリッジ高さSの変化に対して方向性結合器14aの結合長の変化割合は小さく、リッジ幅Wが大きくなるほど結合長は僅かに短くなっていく傾向が見られる。それに対して、TE波では、リッジ幅W及びリッジ高さSが増加すると、方向性結合器14aの結合長も増加する傾向が見られる。つまり、TE波の方がTM波よりもリッジ高さSの変化に対して結合長の変化が大きい。
【0067】
これらの傾向から、曲線I及びIIに示すように、TE波とTM波とで方向性結合器14aにおける結合長が一致するリッジ幅Wは、リッジ高さSが大きくなると減少するものと考えられる。
【0068】
上述したように、TE波の方がTM波よりもリッジ高さSの変化に対して結合長の変化が大きいのは、TE波の方がTM波よりも平面導波路部26での光界分布が大きいためであると考えられる。つまり、リッジ高さSが変化することにより、平面導波路部28におけるTE波の光界分布が大きく影響を受けるために、TE波の方が結合長の変化が大きいものと考えられる。
【0069】
また、方向性結合器14aにおいて、両リッジ区間部30a1及び30a2の間の間隙での光界分布は、TE波とTM波とで異なっている。従って、両リッジ区間部30a1及び30a2の中心軸間距離Gcの大きさにより、偏波無依存となるリッジ幅W及びリッジ高さSは異なっている。曲線I及びIIを参照すると、中心軸間距離Gcが小さいほど偏波無依存となるリッジ幅Wは小さくなる。その結果、曲線IIIとの交差点で表わされる光干渉器16の等価屈折率を偏波無依存とするのに必要なリッジ高さSは、中心軸間距離Gcが小さくなるほど小さくなる。
【0070】
続いて、図4(A)について説明する。図4(A)において、縦軸は、リッジ高さS(μm)及びリッジ幅W(μm)を共通に示しており、横軸は、全厚みH(μm)示している。
【0071】
図4(A)は、言わば、全厚みHを0.4μmで固定していた図3(A)の交差点において、今度は全厚みHを変数として変化させて、光共振器16の等価屈折率と方向性結合器14aの結合長とを偏波無依存とするリッジ幅Wとリッジ高さSとをプロットしたものに相当する。
【0072】
なお、図4(A)においては、方向性結合器14aの両リッジ区間部30a1及び30a2間の距離を表わすパラメータとして、図3(A)の中心間距離Gcに代えて、両リッジ区間の対向する側面間の距離、すなわちリッジ間隔Gを用いている(図4(B)参照)。図4(A)においては、リッジ間隔Gは0.3μmとしている。このリッジ間隔Gの値(0.3μm)は、半導体製造プロセスを応用して作成可能な最小の大きさである。
【0073】
図4(A)には2本の曲線が描かれている。曲線Iは、リッジ幅Wを表わしている。曲線IIは、リッジ高さSを表わしている。
【0074】
図4(A)より、上述した偏波無依存条件2及び3が導き出される。すなわち、リッジ幅Wを表わす曲線Iの方が、リッジ高さSを表わす曲線IIよりも計算を行った全ての全厚みHで大きくなっている。このことから、上述した「リッジ高さSが、リッジ幅Wよりも小さい。」という偏波無依存条件2が導き出される。
【0075】
また、図4(A)からは、全厚みH−リッジ高さSという計算により平面導波路部厚みhを求めることができる(h=H−S)。このようにして求めた平面導波路部厚みhを全厚みHと比較することにより、「平面導波路部厚みhが、全厚みHの1/4以下である。」という偏波無依存条件3が導き出される。
【0076】
また、図4(A)を用いての高次モード計算より、図4(A)に示したコア26の寸法及び光の波長(1.49μm)では、全厚みHが0.4μm以下の場合に、リッジ形光導波路20がシングルモードとなることが明らかとなった。
【0077】
ここで、図3(A)及び図4(A)を求める、すなわち光装置10の具体的な寸法を設計するに当たって、波長1.49μmの光を採用した理由について説明する。
【0078】
光装置10を単結晶シリコンで形成した場合、ONUに用いる波長範囲(1.31〜1.49μm)では、方向性結合器14a及び14bの波長依存性が大きく、結合長に4倍程度の差が生じる。つまり、1.31μmの波長は、1.49μmの波長の光に比べて、結合が非常に弱い。
【0079】
よって、結合が弱い波長1.31μmの光をバー状態で出力させるのが設計上有利である。このように設計した場合、波長1.49μmの光はクロス状態で出力させる必要がある。ところで、一般に、マッハツェンダ干渉計においては、クロス状態を消光比よく出力させるためには、結合長を厳密に設定する必要があることが知られている。一方、バー状態は、結合長を厳密に設定しなくとも消光比よく出力されることが知られている。
【0080】
これが、光装置10の設計を波長1.49μmの光についてのみ行った理由である。
【0081】
(方向性結合器が偏波無依存となる原理)
次に、図5を参照してこの実施形態の光装置10の方向性結合器14a及び14bが偏波無依存で動作する原理について説明する。
【0082】
図5(A)は、チャネル型光導波路で構成された方向性結合器の切断端面をTM波の分布とともに示す模式図である。図5(B)は、チャネル型光導波路で構成された方向性結合器の切断端面をTE波の分布とともに示す模式図である。
【0083】
図5(A)及び(B)を参照すると、方向性結合器80は、基板81の第1主面81a側に設けられたクラッド83中に形成された2本のチャネル型光導波路82及び84が光結合可能な距離に近接配置されて構成されている。ここで、チャネル型光導波路82にTE波及びTM波が入力されたものとする。
【0084】
図5(A)に示すように、TM波はチャネル型光導波路82において、基板81の第1主面81aに垂直な方向に広がったエバネッセント光TMを有している。一方、TE波は、図5(B)に示すように、基板81の第1主面81aに平行な方向に広がったエバネッセント光TEを有している。
【0085】
ところで、方向性結合器80において一方のチャネル型光導波路82から他方のチャネル型光導波路84への光の移行速度は、他方のチャネル型光導波路84におけるエバネッセント光TE又はTMの重なり合いに依存している。従って、この場合には、他方のチャネル型光導波路84におけるエバネッセント光の幅が大きいTM波の方がTE波よりも移行速度が大きくなる。つまり、この例では、偏波無依存は達成されていない。
【0086】
この傾向は、この実施形態で示したようなSiをコア材料とした光導波路で特に顕著に現れる。その理由は、(1)Siは屈折率が大きいため、外部のクラッドとの屈折率差が非常に大きくなること、(2)また、コアの寸法が光の波長以下であり、エバネッセント光の広がりが大きくなる、という2点である。
【0087】
この実施形態の光装置10においては、光導波路として平面導波路部28を有するリッジ形光導波路20を採用することにより、偏波無依存性を達成している。
【0088】
つまり、方向性結合器14aにおいて、平面導波路部28の厚みを適切に設定することで、一方のリッジ部30a1に入力されたTE波及びTM波のエバネッセント光の、他方のリッジ部30a2bにおける強度を等しくしている。その結果、上述したような理由により方向性結合器14a及び14bにおいて偏波無依存が達成される。
【0089】
(効果)
次に、表1及び表2を参照して、この実施形態の光装置10の効果について説明する。
【0090】
【表1】

【0091】
【表2】

【0092】
表1及び2は、光加入者系で一般的に用いられる波長1.49μmと波長1.31μmの光のそれぞれについて、TE波とTM波とが感じる光装置10の等価屈折率を有限要素法により算出した結果を示したものである。
【0093】
表1及び表2において、Neff0は、両波長の光に関して、固有モード定数mが0(ゼロ)の対称モード光が感じる方向性結合器14aにおける等価屈折率を、偏波ごとに求めたものである。Neff1は、両波長の光に関して、固有モード定数mが1の反対称モード光が感じる方向性結合器14aにおける等価屈折率を、偏波ごとに求めたものである。dNeffは、上述のNeff0とNeff1との差の絶対値を求めたものである。Lcは、Neff0,Neff1及びdNeffの値を元にして方向性結合器14aの結合長を求めたものである。Neffaは、光干渉器16における等価屈折率を、偏波ごとに求めたものである。
【0094】
dNeff/dWは、リッジ幅Wを変化させたときの等価屈折率Neffの変化率を求めたものであり、リッジ幅Wの寸法誤差により等価屈折率Neffが受ける影響を評価するためのものである。dLc/dWは、リッジ幅Wを変化させたときの結合長Lcの変化率を求めたものであり、リッジ幅Wの寸法誤差により結合長Lcが受ける影響を評価するためものである。dLc/dSは、リッジ高さSを変化させたときの結合長Lcの変化率を求めたものであり、リッジ高さSの寸法誤差により結合長Lcが受ける影響を評価するためものである。
【0095】
なお、表1及び表2に示す結果を求めるに当たって用いた光装置10は、上述した偏波無依存条件1〜3と図4(A)に示した寸法条件とを満たしている。すなわち、光装置10は、全厚みHを0.4μmとし、リッジ高さSを0.33μmとし、リッジ幅Wを0.37μmとし、及びリッジ間隔Gを0.3μmとしている。
【0096】
表1及び2のLcを参照すると、両波長の光について、この光装置10では、方向性結合器14aの結合長の偏波間の差が6%以内に抑えられていることが分かる。また、表1及び2のNeffaを参照すると、この光装置10では、光干渉器16における透過屈折率の偏波間の差が1%以内に抑えられていることが分かる。
【0097】
これらのことから、この実施形態の光装置10は、実用上充分な程度に偏波無依存を達成していることが分かる。
【0098】
また、表1及び2のdNeff/dW及びdLc/dWを参照すると、方向性結合器14a及び14bにおける等価屈折率Neff及び結合長Lcのリッジ幅Wの寸法誤差による影響は、従来のサブミクロンサイズのSi光導波路を用いた場合の約1/2程度の値となっていることが分かる。また、表1のdLc/dSを参照すると、方向性結合器14a及び14bの結合長Lcのリッジ高さSの寸法誤差による影響は、従来のサブミクロンサイズのSi光導波路を用いた場合と略同等の値となっている。これらことから、この実施形態の光装置10は、従来の光装置に比較して寸法誤差の影響を受けにくく、それゆえ容易に製造できることができる。
【0099】
また、この実施形態の光装置10は、方向性結合器14a及び14bと光干渉器16とで、リッジ形光導波路20におけるリッジ部30の寸法が変化しない。よって、方向性結合器と光干渉器との間で光導波路の寸法を変える必要があった従来技術に比較して、光装置10は、より簡単に、かつ寸法精度良く製造することができる。
【0100】
(応用例)
次に、図6(A)及び(B)を参照して、この実施形態の光装置10の応用例について説明する。図6(A)は、光装置10の応用例としての波長フィルタの構造を模式的に示す平面図である。図6(B)は、この波長フィルタの動作特性を示す特性図である。
【0101】
図6(A)を参照すると、光素子としての波長フィルタ40は、正の整数としてのnを1としたときに、第1及び第2n(=2×1)マッハツェンダ干渉計42及び48を備えており、第(n−i+1)(=1−1+1=1)マッハツェンダ干渉計42(ただし、iは、1≦i≦nの整数)における光路長差である第1光路長差ΔL1と、第(n+i)(=1+1=2)マッハツェンダ干渉計48における光路長差である第2光路長差ΔL2の和を0(ゼロ)とするように、第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48が配置されている。
【0102】
この応用例の波長フィルタ40は、言わば、既に説明したマッハツェンダ干渉計18と同じ構成の第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48を、光干渉器の向きを変えて直列に接続した構成を有している。換言すれば、波長フィルタ40は、第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48を、両者の接続点を対称中心として点対称な関係で配置したとも言うことができる。従って、以下の記述においては、主にマッハツェンダ干渉計18との相違点を中心に波長フィルタ40の説明を行う。
【0103】
第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48は、それぞれ共通したリッジ部、すなわち第1及び第2サブリッジ部R1及びR2から構成されている。なお、第1及び第2サブリッジ部R1及びR2の基板面に平行でかつ光の伝播方向に直交する面での横断面形状は矩形状であって、矩形の寸法は一定で互いに等しいとする。
【0104】
第1マッハツェンダ干渉計42は、2個の第1方向性結合器44a及び44bと、第1方向性結合器44a及び44bの間を光学的に接続する第1光干渉器46とを備えている。
【0105】
第1光干渉器46は光路長が異なる2本のリッジ区間部すなわち第1サブリッジ部R1のリッジ区間部R111及び第2サブリッジ部R2のリッジ区間部R212から構成されている。ここで、リッジ区間部R111の光路長をLR111とし、及びリッジ区間部R212の光路長をLR212と規定する。すると、図6(A)に示す例では、第1光干渉器46の部分において、LR111<LR212なる関係が成り立つ。
【0106】
第2マッハツェンダ干渉計48は、2個の第2方向性結合器50a及び50bと、第2方向性結合器50a及び50bの間を光学的に接続する第2光干渉器52とを備えている。
【0107】
第2光干渉器52は光路長が異なる2本のリッジ区間部すなわち第1サブリッジ部R1のリッジ区間部R121及び第2サブリッジ部R2のリッジ区間部R222から構成されている。ここで、リッジ区間部R121の光路長をLR121とし、及びリッジ区間部R222の光路長をLR222と規定する。すると、図6(A)に示す例では、第2光干渉器52の部分において、LR222<LR121なる関係が成り立つ。
【0108】
ここで、第1光干渉器46において、両リッジ区間部R111及びR212の光路長差を第1光路長差ΔL1と称し、第1サブリッジ部R1側の光路長から第2サブリッジ部R2側の光路長を差し引いた値、すなわちΔL1=LR111−LR212=Δlと定義する。上述のように、LR111<LR212であるので、Δlは負の値となる。
【0109】
同様に、第2光干渉器46において、両リッジ区間部R121及びR222の光路長差を第2光路長差ΔL2と称し、第1サブリッジ部R1側の光路長から第2サブリッジ部R2側の光路長を差し引いた値、ΔL2=LR121−LR222と定義する。上述のように、LR222<LR121であるとともに、第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48は、光干渉器の向きを除いて同様に構成されているので、ΔL2の値は−Δlとなる。
【0110】
つまり、この波長フィルタ40では、第1マッハツェンダ干渉計42における光路長差である第1光路長差ΔL1(=Δl)と、第2マッハツェンダ干渉計48における光路長差である第2光路長差ΔL2(=−Δl)の和を0(ゼロ)とするように、第1及び第2マッハツェンダ干渉計42及び48が配置されている。
【0111】
次に、図6(B)を参照して、この波長フィルタ40の動作について説明する。図6(B)は、波長フィルタ40の第1方向性結合器44a側に波長が1.49μmの光と、波長が1.31μmの光の混合光を入力し、第2方向性結合器50b側からバー状態とクロス状態で出力される光の波長分散を示す特性図である。図6(B)において、縦軸は第2方向性結合器50b側から出力される光の強度(任意単位)を示し、及び横軸は光の波長を示す。
【0112】
図6(B)には、2本の曲線が描かれている。曲線Iは、第1方向性結合器44aの第1サブリッジ部R1に混合光を入力し、第2方向性結合器50bの第2サブリッジ部R2からクロス状態で出力される光の波長分布を示す。曲線IIは、第1方向性結合器44aの第1サブリッジ部R1に混合光を入力し、第2方向性結合器50bの第2サブリッジ部R2からバー状態で出力される光の波長分布を示す。
【0113】
なお、波長フィルタ40の設計条件は波長1.49μmの光に対して、第1及び第2光干渉器46及び52の次数を1.5とした。また、第1及び第2方向性結合器44a,44b,50a及び50bのそれぞれの長さを足し合わせた全長を結合長の4倍とした。
【0114】
図6(B)を参照すると、曲線Iの平坦なピーク領域で表わされるクロス状態の波長帯域は、約1.31μmの波長を中心にして約0.1μmの波長範囲にわたっている。同様に、曲線IIの平坦なピーク領域で表わされるバー状態の波長帯域は、約1.49μmの波長を中心にして約0.05μmの波長範囲にわたっている。
【0115】
このように、この波長フィルタ30は、実用上充分なレベルの波長分離性能を有している。
【0116】
なお、図6(A)では、波長フィルタ40が2個のマッハツェンダ干渉計42及び48で構成される場合について説明したが、マッハツェンダ干渉計の個数は、偶数個であれば2個に限定されない。
【0117】
(変形例)
以下、図7(A)及び(B)を参照して、光装置の変形例について説明する。図7(A)は、光装置の変形例としての光スイッチの構造を概略的に示す平面図である。図7(B)は、光装置の変形例としてのリング共振器の構造を概略的に示す平面図である。
【0118】
図7(A)を参照すると、光スイッチ60は、リッジ形光導波路20で構成されていて、リッジ部、すなわち第1サブリッジ部R1及び第2サブリッジ部R2を備えている。光スイッチ60では、これらの第1及び第2サブリッジ部R1及びR2により、2個の方向性結合器62a及び62bと、これらの方向性結合器62a及び62bの間を光学的に接続する光干渉器64とが形成されている。さらに、光スイッチ60は、電極66を備えている。なお、第1及び第2サブリッジ部R1及びR2の基板面に平行でかつ光の伝播方向に直交する面での横断面形状は矩形状であって、矩形の寸法は一定で互いに等しいとする。
【0119】
光スイッチ60は、(1)光干渉器64において、第1及び第2サブリッジ部R1及びR2の光路長が等しい点、(2)及び光干渉器64において、第1サブリッジ部R1に電極66が設けられている点が、既に説明したマッハツェンダ干渉計18と異なっている。そこで、光スイッチ60についての詳細な説明を省略する。
【0120】
この光スイッチ60は、リッジ形光導波路20を用いて形成されているので、偏波に依存せず動作する。その結果、電極66に所定の電圧を印加することにより、偏波無依存で光スイッチング動作を実行させることができる。
【0121】
図7(B)を参照すると、リング共振器70は、リッジ形光導波路20で構成されていて、第1及び第2サブリッジ部R1及びR2のリッジ部を備えている。リング共振器70では、第1サブリッジ部R1により、直線状に延在する光導波路である直線光導波路72が形成されている。また、第2サブリッジ部R2により、円環状のリング状光導波路74が形成されている。
【0122】
リング状光導波路74はその周面の一部が直線光導波路72と光結合可能な間隔を隔てて近接配置されており、この部分において方向性結合器76が形成されている。
【0123】
このリング共振器70は、リッジ形光導波路20を用いて形成されているので、偏波に依存せず動作する。その結果、偏波無依存な共振器型光フィルタや、共振器型遅延素子として用いることができる。
【符号の説明】
【0124】
10:偏波無依存型光装置
12:基板
12a:第1主面
14a,14b,62a,62b,76:方向性結合器
16,64:光干渉器
18:マッハツェンダ干渉計
19:入力部
20:リッジ形光導波路
21:出力部
22:第1クラッド
24:第2クラッド
26:コア
28:平面導波路部
28a,30a:上面
28b,30b:下面
30:リッジ部
30a1,30a2,30b1,30b2,30c1,30c2,30d1,30d2,30e1,30e2:リッジ区間部
30X:第1サブリッジ部
30Y:第2サブリッジ部
40:波長フィルタ
42:第1マッハツェンダ干渉計
44a,44b:第1方向性結合器
46:第1光干渉器
48:第2マッハツェンダ干渉計
50a,50b:第2方向性結合器
52:第2光干渉器
60:光スイッチ
66:電極
70:リング共振器
72:直線光導波路
74:リング状光導波路

【特許請求の範囲】
【請求項1】
方向性結合器及び該方向性結合器に光学的に接続された光干渉器を備えた光素子を基板の第1主面側に備え、
前記方向性結合器及び光干渉器の両者は、共通のリッジ形光導波路を用いて形成されており、
該リッジ形光導波路は、前記第1主面側に積層された第1及び第2クラッドと、該第1及び第2クラッド間に介在するコアとを備えており、
該コアは、平行平板状に延在する平面導波路部と、当該コアを伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、前記平面導波路部から突出した凸条としてのリッジ部とが一体に形成されており、及び
前記コアが、下記3条件を満たすように形成されている
ことを特徴とする偏波無依存型光装置。
(1)前記リッジ部の前記横断面において、前記第1主面に平行かつ前記光伝播方向に直交する方向に沿った長さであるリッジ幅が、前記コアの下面と前記リッジ部の上面との間の距離である全厚みよりも小さい。
(2)前記リッジ部の下面と上面との間の距離であるリッジ高さが、前記リッジ幅よりも小さい。
(3)前記平面導波路部の下面と上面との間の距離である平面導波路部厚みが、前記全厚みの1/4以下である。
【請求項2】
前記コアを構成する材料の屈折率が、第1及び第2クラッドの両者を構成する材料よりも40%以上大きいことを特徴とする請求項1に記載の偏波無依存型光装置。
【請求項3】
前記コアを構成する材料をSiとし、並びに、第1及び第2クラッドを構成する材料をSiO2とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の偏波無依存型光装置。
【請求項4】
前記光素子が、
2個の前記方向性結合器と、該2個の方向性結合器の間を光学的に接続する有限の光路長差を有する2本の前記リッジ形光導波路を備えた前記光干渉器とを有するマッハツェンダ干渉計であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の偏波無依存型光装置。
【請求項5】
前記光素子が、直列に接続された第1〜第2nマッハツェンダ干渉計(ただし、nは1以上の整数。)を備えており、
第(n−i+1)マッハツェンダ干渉計(ただし、iは、1≦i≦nの整数)における前記光路長差である第(n−i+1)光路長差と、第(n+i)マッハツェンダ干渉計における前記光路長差である第(n+i)光路長差の和を0(ゼロ)とするように、前記第1〜第2nマッハツェンダ干渉計が配置されていることを特徴とする請求項4に記載の偏波無依存型光装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2011−22337(P2011−22337A)
【公開日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−167038(P2009−167038)
【出願日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【出願人】(000000295)沖電気工業株式会社 (6,645)
【Fターム(参考)】