真空処理装置
【課題】基板表面への傷付きを防止すること。
【解決手段】基板８の斜め下側を向いた基板８裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板５２，５３を備えた基板受け渡し機構により基板テーブル１２と基板８との隙間が制御され、基板テーブル１２には、基板受け面に配置される基板８の下側の端面を支持する基板支持突起３３と、基板支持板５２，５３を受け入れる複数の凹所３８，３９とが設けられ、基板８の受け渡し時に、搬送部４２に対して基板テーブル１２が駆動機構により進退可能に構成されているとともに、搬送部４２に対して基板支持板５２，５３が基板受け渡し機構により進退可能に構成され、基板受け渡し機構は、基板テーブル１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御することで基板テーブル１２と基板８との隙間を制御するように構成した。
【解決手段】基板８の斜め下側を向いた基板８裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板５２，５３を備えた基板受け渡し機構により基板テーブル１２と基板８との隙間が制御され、基板テーブル１２には、基板受け面に配置される基板８の下側の端面を支持する基板支持突起３３と、基板支持板５２，５３を受け入れる複数の凹所３８，３９とが設けられ、基板８の受け渡し時に、搬送部４２に対して基板テーブル１２が駆動機構により進退可能に構成されているとともに、搬送部４２に対して基板支持板５２，５３が基板受け渡し機構により進退可能に構成され、基板受け渡し機構は、基板テーブル１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御することで基板テーブル１２と基板８との隙間を制御するように構成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関し、特に、プラズマＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、スパッタリング装置に例示される真空処理装置、すなわち、基板や製膜済の基板に真空または減圧雰囲気のもとで処理を実施する真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、透光性ガラス板等の基板上に製膜を行う真空処理装置においては、種々の製膜処理を行う複数の製膜室と、基板固定用のトレイを使用せずに、基板をこれらの製膜室の間で搬送し、基板のみを製膜室内へ搬入搬出する搬送部と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１および２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１３３６９２号公報
【特許文献２】特開２００６−２６４８２６号公報
【０００４】
前述の特許文献１には、基板を伸縮移動させるリンク機構の伸縮移動に連動し、ラック・アンド・ピニオンで基板支持爪部の保持や着脱する保持機構を備えた搬送部が記載されている。
このように拘束の少ない基板支持爪部によって基板を支持することで、搬送中の基板のずれ等を防止して不具合の発生を抑制するとともに、搬送速度を速めて搬送効率の向上を図っている。
【０００５】
一方、特許文献２には、基板を基板テーブルに設置する際に、基板を支持する基板支持爪の開閉を制御する開閉リンク機構について記載されている。
このように開閉リンク機構を用いることで、搬送中の基板を確実に保持するとともに、基板を基板テーブルへ確実に設置することを可能としている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２における基板テーブルへの基板の設置においては、鉛直方向から約１０°傾斜している基板テーブル上で基板支持爪を開放して基板を置き、基板が自重で移動して基板保持位置に保持されるため、基板を基板テーブルへ受け渡す際に、基板面が全面的に基板テーブル面と接触しながら、約１０ｍｍ摺動しながら移動していた。
【０００７】
ここで、基板テーブルにおける基板と接触する面（表面：基板受け面）には、製膜時に付着した膜が容易に剥離や脱落等しないようにブラスト処理が施されており、表面には数μｍの凹凸が形成されている。表面の凹凸には鋭角部分が含まれており、減圧雰囲気では摩擦係数が大きくなるため、この鋭角部分と基板との接触面圧が高くなり、基板に幅細ながらも深い傷を付けるおそれがあった。
【０００８】
基板の非製膜面となる裏面は太陽電池の製品自体の表の面となる場合があるため、基板表面の傷は好ましくなく、さらに基板強度の低下要因になる場合もあるため、基板裏面の傷は好ましくないという問題があった。
【０００９】
また、特許文献２における基板テーブルの四隅には、基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みが設けられている。そのため、製膜時に窪みの周辺でプラズマが不均一になり、基板のこの部分付近の膜質が変化したり、製膜時に供給されたガスが窪みの中に入り込み、基板の裏面（太陽電池の場合は製品自体の表の面）の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となってしまうことがあった。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、基板表面への傷付きを防止するとともに、前述の課題を発生させないようにすることができる真空処理装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
本発明に係る真空処理装置は、鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起と、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所とが設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１２】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、例えば、基板を鉛直方向に対して斜め上下方向から挟んで保持する上側爪部および下側爪部と、基板の受け渡し時に、下側爪部を斜め下方に向かって移動させる下側駆動部と、基板の受け渡し時に、上側爪部を斜め上方に向かって移動させる上側駆動部とが設けられており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持板が、一緒に、上側爪部および下側爪部を介して搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板の下側の端面が基板支持突起の上面に支持されたら、駆動機構による基板テーブルの基板への接近が停止され、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板のみがさらに基板に接近する。
つづいて、複数の基板支持板の先端部表面が基板裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部および下側爪部による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構による基板支持板の基板への接近が停止され、その後、上側爪部が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部が斜め下方に向かって移動し、上側爪部が基板の上辺から離間し、下側爪部が基板の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板は基板とともに搬送部から離間し、基板テーブルに接近する。
つづいて、基板テーブルと基板との隙間を暫時に小さくなるように制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構とともに基板支持板を搬送部から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の下側の端面のみが基板支持突起の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００１３】
本発明に係る真空処理装置は、鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板支持板の少なくとも２つには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起が設けられ、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１４】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、例えば、基板を鉛直方向に対して斜め上下方向から挟んで保持する上側爪部および下側爪部と、基板の受け渡し時に、下側爪部を斜め下方に向かって移動させる下側駆動部と、基板の受け渡し時に、上側爪部を斜め上方に向かって移動させる上側駆動部とが設けられており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持突起を備えた基板支持板が、一緒に所定の位置まで、上側爪部および下側爪部を介して搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、基板の下側の端面が基板支持突起の上面に支持させる。
つづいて、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、複数の基板支持板の先端部表面が基板裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部および下側爪部による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構による基板支持板の基板への接近が停止され、その後、上側爪部が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部が斜め下方に向かって移動し、上側爪部が基板の上辺から離間し、下側爪部が基板の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板は基板とともに搬送部から離間し、基板テーブルに接近する。
つづいて、基板テーブルと基板との隙間を制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構とともに基板支持板を搬送部から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の下側の端面のみが基板支持板に設けた基板支持突起の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのをさらに防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
さらにまた、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡し時点において、基板の下側の端面が基板支持板に設けた基板支持突起の上面に支持されるので、駆動機構により基板テーブルを基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板の受け渡し時における基板テーブルの位置管理を容易にし、基板支持板の位置調整のみで基板受渡し位置を適切な位置に調整することができ、基板の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
【００１５】
本発明に係る真空処理装置は、水平面に対して平行な状態で基板を搬送する搬送部と、水平面に対して平行に延び、鉛直方向に対して上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して、前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１６】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、水平面に対して平行な状態で基板が保持されており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持板が、一緒に所定の位置まで、搬送部の上に水平の状態で載置された基板に向かって上昇して、搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御しながら、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、基板裏面の平行となる二つの周縁部が基板支持板の上面に支持され、基板が搬送部の基板保持部分の上面からわずかに離間したら、基板受け渡し機構による基板支持板の移動が停止され、基板は基板支持板で支持される。
つづいて、搬送部が退避したら、基板受け渡し機構により、基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して基板支持板を下降させる。さらにつづいて、基板テーブルと基板との隙間を制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構により基板支持板を、ほぼ一緒に搬送部の受渡し位置から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の一つの端面を支持する基板支持突起が不要となり、基板を支持する部材と基板面とが擦れ合うことはないので、基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのを一層に防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
さらにまた、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡し時点において、駆動機構により基板テーブルを基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板の受け渡し時における基板テーブルの位置管理を容易にし、基板支持板の位置調整のみで基板受渡し位置を適切に調整することができ、基板の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
【００１７】
上記真空処理装置において、前記基板テーブルと前記基板支持板とが、ともに前記搬送部との間で移動する際に、前記基板テーブルと前記基板支持板の移動速度の差により、前記基板テーブルと前記基板支持板の隙間が変化しないように、前記基板受け渡し機構に前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備させるとさらに好適である。
すなわち、前記基板受け渡し機構に、前記基板テーブルと、前記基板支持板とが、ともに前記搬送部の側へ移動する際の、前記基板テーブルの移動速度が、前記基板支持板の移動速度よりも早くなった場合、または前記基板テーブルと、前記基板支持板とが、ともに前記搬送部から離間する側へ移動する際の、前記基板テーブルの移動速度が、前記基板支持板の移動速度よりも遅くなった場合、前記基板テーブルの移動を妨げることなく、前記基板テーブルとともに移動する前記基板支持板の、前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備させるとさらに好適である。
【００１８】
このような真空処理装置によれば、基板を搬出のために、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部の側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも早くなったとしても滑り機構のところで滑りが生じ、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部と離間する側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも遅くなったとしても滑り機構のところで滑りが生じ、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板が基板テーブルと離れて基板が基板支持突起から脱落することを防止でき、さらに基板テーブルおよび基板支持板の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板の脱落を防止することができる。
【００１９】
上記真空処理装置において、前記凹所が、受け入れる前記基板支持板の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、および前記基板支持板の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあるとさらに好適である。
【００２０】
このような真空処理装置によれば、各凹所内に受け入れる各基板支持板が嵌り込み、基板支持板によって凹所が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
【００２１】
上記真空処理装置において、前記基板支持板の基端部が、前記基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられ、前記凹所に嵌り込む前記基板支持板の先端面および両側面が、前記基板裏面と対向する基板支持板の表面の面積が基板支持板の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面とされているとさらに好適である。
【００２２】
このような真空処理装置によれば、基板支持板の基端部が、基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられているので、各部材の熱膨張等により、基板テーブルと基板受け渡し機構との間、より詳しくは、各凹所と各基板支持板との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、各基板支持板が各凹所内に嵌り込む際に、基板支持板が基板受け面のある基板テーブルに対して平行にスライドおよび／または基端部回りに回動することになる。
これにより、各部材の熱膨張等により、基板テーブルと基板受け渡し機構との間、より詳しくは、各凹所と各基板支持板との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板を凹所内に円滑に嵌り込ませる（収容させる）ことができ、基板テーブルの各凹所と各基板支持板との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と基板受け面との間の隙間を生じることなく、基板テーブルおよび基板支持板の振動を防止することができて、基板の脱落や基板テーブル面からの浮きあがりを防止することができる。
また、基板支持板と凹所との間の隙間、および基板裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００２３】
上記真空処理装置において、前記基板支持板の先端面および両側面と対向する前記凹所の壁面が、前記テーパー面と合致するテーパー面とされているとさらに好適である。
【００２４】
このような真空処理装置によれば、基板テーブルの各凹所と各基板支持板との間で嵌り込み不良による段差による基板裏面と基板受け面との間の隙間をさらに生じることなく、各基板支持板と各凹所との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質をさらに向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００２５】
上記真空処理装置において、前記基板支持板を前記基板テーブルの側に付勢する付勢部材が設けられているとさらに好適である。
【００２６】
このような真空処理装置によれば、基板を搬出のために、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部の側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも早くなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部と離間する側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも遅くなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板が基板テーブルと離れて基板が基板支持突起から脱落することを防止でき、さらに基板テーブルおよび基板支持板の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板の脱落を防止することができる。
また、基板テーブルを放電電極の側に移動させて製膜位置を少量補正するような場合に、駆動機構による基板テーブルの移動量が、基板受け渡し機構による基板支持板の移動量よりも大きくなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板支持板に過大な力が加わるのを防止することができ、基板テーブルおよび基板支持板の振動を防止することができて、基板の脱落を防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、基板表面への傷付きを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る製膜装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１の処理室の構成を説明する模式図である。
【図３】対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図である。
【図４】対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図５】図４の要部を拡大して示す断面図である。
【図６】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図７】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図８】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図９】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１０】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１１】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１２】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の図である。
【図１５】図１４の要部を斜め方向から見た斜視図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図である。
【図１７】本発明の第４実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図１８】本発明の第５実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
〔第１実施形態〕
以下、本発明の第１実施形態について図１から図１２を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る製膜装置の概略構成を示す斜視図である。
【００３０】
本実施形態においては、本発明を一辺が１ｍを超える大型基板に、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の大面積製膜処理を行うことが可能な製膜装置（真空処理装置）１に適用して説明する。
【００３１】
製膜装置１には、図１に示すように、基板８（図２参照）に対して製膜処理が行われる複数の処理室３と、内部で基板８が搬送される搬送室２と、製膜される基板８が搬入されるロード室４と、製膜された基板８が搬出されるアンロード室５と、が設けられている。
なお、基板８としては、１辺が１ｍを超えるサイズ（例えば、縦横が３．３ｍ×２．８ｍ）であって、板厚が３．５ｍｍから４．５ｍｍのガラス基板を一例として挙げることができる。
【００３２】
処理室３や、搬送室２や、ロード室４や、アンロード室５等は真空容器であり、ステンレス系材料により形成されたものを例示することができる。このように、ステンレス系材料により真空容器を形成することにより、耐食性と部材強度を満足することができる。
【００３３】
処理室３は、更に、内部での製膜に用いられるプラズマの発生を阻害しないために、非磁性または弱磁性材料であるステンレス系材料（例えば、ＳＵＳ３０４）やアルミニウム合金により形成されることが望ましい。
【００３４】
なお、複数の処理室３、搬送室２、ロード室４、および、アンロード室５は、内部の真空雰囲気中で行われる処理内容や、これら真空容器の設計内容等に応じて他材質（例えば表面をメッキ処理した鉄系材料等）により形成されていてもよく、特に限定するものではない。
【００３５】
図２は、図１の処理室の構成を説明する模式図である。
処理室３には、図２に示すように、真空容器である製膜室１６と、導電性の板である対向電極（基板テーブル）１２と、対向電極１２の温度分布を均一化する均熱板１５と、均熱板１５および対向電極１２を保持する均熱板保持機構２１と、対向電極１２との間にプラズマを発生させる放電電極１３と、膜が形成される範囲を制限する防着板１４と、防着板１４を支持する支持部１７と、高周波電力を放電電極１３に供給する同軸給電部２２ａ，２２ｂおよび整合器２３ａ，２３ｂと、製膜室１６内の気体を排気する高真空排気部３１および低真空排気部３５と、製膜室１６を保持する台３７と、が設けられている。対向電極１２は基板テーブルとして、基板８を設置する基板受け面の機能を保有している。
なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。
【００３６】
製膜室１６は真空容器であり、その内部で基板８にアモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜等を製膜するものである。
【００３７】
ここで、Ｘ方向は、処理室３が並ぶ方向（図２の左右方向）であり、Ｙ方向は搬送室２から処理室３に向かう方向（図２の紙面に対して垂直方向）である。また、製膜室１６は、鉛直方向から角度αだけ傾けて台３７上に保持される。傾きの角度αは鉛直方向に対して７°から１２°までの範囲内の所定角度である。この鉛直方向から角度αだけ傾き、かつ、Ｙ方向と垂直な方向をＺ方向とする。
【００３８】
製膜室１６を傾けて保持することで、対向電極１２における基板８と製膜処理面の法線が、Ｘ方向に対して角度αだけ上（鉛直方向の上方）に向く。このように基板８を垂直から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板８の自重を利用して少ない手間で基板８を保持することができ、更に基板８と対向電極１２の密着性を向上して基板８の温度分布と電位分布とを均一化することができて好ましい。
【００３９】
対向電極１２は、基板８を保持可能な保持手段（図示せず）を有する非磁性材料の導電性の板である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性を備えることが好ましく、ニッケル合金やアルミニウムやアルミニウム合金の板を使用することが望ましい。
【００４０】
対向電極１２は、放電電極１３に対向する電極（例えば、接地側電極）となる。対向電極１２は、一方の面が均熱板１５の表面と密接し、製膜時に他方の面が基板８の裏面と密接する。
さらに、対向電極１２における基板８と密着する面（表面：基板受け面）の下側には、当該面から突出して基板８を支持する基板支持突起３３が設けられている（図４、図６から図１２参照）。
【００４１】
基板支持突起３３は基板８を支持するために、基板８の下辺の少なくとも両端付近に各１箇所の合計２箇所に設けられている。後述の搬送アーム４２の下側爪部４４（図３、図６から図１２参照）と干渉しないように、基板支持突起３３と下側爪部４４とは、Ｙ方向に設置位置を変更する等の工夫がしてある。
【００４２】
均熱板１５は、内部に温度制御された熱媒体を循環したり、または温度制御されたヒーターを組み込んだりすることで、自身の温度を制御して、全体が概ね均一な温度を有し、接触している対向電極１２の温度を所定の温度に均一化する機能を有する。
【００４３】
前述の熱媒体は非導電性媒体であり、水素やヘリウム等の高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が熱媒体として使用できる。中でも１５０℃から２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば、商品名：ガルデン、Ｆ０５等）の使用が好適である。
【００４４】
均熱板保持機構２１は、均熱板１５及び対向電極１２を製膜室１６の側面（図２の右側の側面）に対して略平行、すなわちＺ軸方向に対して略平行となるように保持するとともに、均熱板１５、対向電極１２および基板８を、放電電極１３に接近離間可能に保持するものである。
【００４５】
基板搬送時であって後述の搬送アーム４２（図３参照）が進入する場合には、均熱板保持機構２１は放電電極１３から離れ、対向電極１２と放電電極１３の間を広く保持する。その一方で、製膜時であって搬送アーム（搬送部）４２が進入していない場合には、均熱板保持機構２１は放電電極１３に接近し、均熱板１５等を放電電極１３に接近させて、基板８を放電電極１３から、例えば、３ｍｍから２０ｍｍの範囲内に位置させることができる。
【００４６】
防着板１４は、接地されプラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限するものである。本実施形態の場合、図２に示すように、製膜室１６の内側における防着板１４の後ろ側（基板８と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。
【００４７】
支持部１７は、製膜室１６の側面（図２における左側の側面）から内側へ垂直に延びている部材である。支持部１７は防着板１４と結合され、放電電極１３における対向電極１２と反対側の空間を覆うように防着板１４を保持している。それと共に、支持部１７は放電電極１３と絶縁的に結合され、放電電極１３を製膜室１６の側面（図２における左側の側面）に対して略平行に保持している。
【００４８】
高真空排気部３１は、粗引き排気された製膜室１６内の気体をさらに排気して、製膜室１６内を高真空とする高真空排気用の真空ポンプである。弁３２は、高真空排気部３１と製膜室１６との経路を開閉する弁である。
低真空排気部３５は、初めに製膜室１６内の気体を排気して、製膜室１６内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。製膜時における製膜排出ガスも低真空排気部３５から排気される。弁３４は、低真空排気部３５と製膜室１６との経路を開閉する。
【００４９】
台３７は、上面に配置された保持部３６を介して製膜室１６を保持するものである。台３７の内部には低真空排気部３５が配置される領域が形成されている。低真空排気部３５は必ずしも台３７の内部にある必要は無く、製膜室１６側に設けてもよいし高真空排気部３１と同様に製膜室１６の上部から排気してもよい。
【００５０】
図３は、対向電極１２（図２参照）と搬送アーム４２との間における基板８の受け渡しを説明するための斜視図である。
搬送室２（図１参照）には、図３に示すように、搬送室２内を移動して基板８を搬送する架台４１が設けられている。
架台４１は、図１において全体が搬送室２の内部を、Ｘ方向である処理室３が並ぶ方向（図３において左右方向）に移動して、各処理室３へ基板８を搬送するものである。
【００５１】
また、架台４１には、対向電極１２に沿って略並行に延び、基板８を把持する搬送アーム（搬送部）４２が設けられている。搬送アーム４２は、Ｙ方向である搬送室２から処理室３に向かう方向（図６から図１２の紙面に対して垂直方向）に移動されるものである。
【００５２】
搬送アーム４２には、当該搬送アーム４２の鉛直方向の下方に向いた面における上側に配置された上側爪部４３と、搬送アーム４２の下方に向いた面における下側に配置された下側爪部４４と、が設けられている。
言い換えると、搬送アーム４２の対向電極１２と対向する面における上側に上側爪部４３が配置され、搬送アーム４２の対向電極１２と対向する面における下側に下側爪部４４が配置されている。
【００５３】
図３は、架台柱４１Ｃ、アーム支持部４１Ｂおよび搬送アーム４２がスライドベース４１Ｄの右方向(＋Ｙ方向)へと移動し始めた状態を示している。
架台４１は、図３に示すように、ボールネジ等図示しない駆動装置により、全体として移動レール４８に沿ってＸ方向に移動される。また、架台柱４１Ｃ、アーム支持部４１Ｂおよび搬送アーム４２は、スライドベース４１Ｄの上に設けられた移動レール４７に沿ってＹ方向に移動される。
【００５４】
架台柱４１ＣがＹ方向に移動すると、アーム支持部４１Ｂは架台柱４１ＣからさらにＹ方向に移動する。そして、搬送アーム４２はアーム支持部４１ＢからさらにＹ方向に移動する。これにより、搬送アーム４２はＹ方向に移動して処理室３の中の所定の位置に配置される。
【００５５】
その一方で、基板８は上側爪部４３により基板上両端付近を把持され、下側爪部４４により基板下両端部分付近を把持される。
【００５６】
図４は、対向電極１２、および対向電極１２の周囲に配置された基板受け渡し機構５１の構成を説明するための模式図、図５は、図４の要部を拡大して示す断面図である。
図４および図５に示すように、本実施形態に係る処理室３は、対向電極１２と基板受け渡し機構５１とを備えている。
【００５７】
対向電極１２は、駆動機構１８７（図１８参照）もしくは均熱板保持機構２１（図２参照）により搬送アーム４２に対して進退可能に構成されている（図６から図１２参照）。
対向電極１２における基板８と密着する面の下側には、前述の基板支持突起３３（図４参照）が設けられており、対向電極１２における基板８と密着する面の下側で、基板支持突起３３と基板支持突起３３との間には、後述する基板支持板５２を受け入れる平面視矩形状の凹所３８が、対向電極１２の縦方向（図４および図５において上下方向）に沿って設けられている。また、対向電極１２における基板８と密着する面の上側で、凹所３８の直上には、後述する基板支持板５３を受け入れる平面視矩形状の凹所３９が、対向電極１２の縦方向（図４および図５において上下方向）に沿って設けられている。
【００５８】
図５は対向電極１２の上部分を示している。対向電極１２の下側は省略してあるが、類似した構造である。図５に示すように、凹所３９は、対向電極１２の上辺から基板８の上側に位置する周縁部の裏側まで延びており、基板支持板５３の厚みと同じか、あるいは基板支持板５３の厚みよりも若干大きい深さと、基板支持板５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５３の幅よりも若干大きい幅とを有している。
一方、凹所３８は、対向電極１２の下辺から基板８の下側に位置する周縁部の裏側まで延びており、基板支持板５２の厚みと同じか、あるいは基板支持板５２の厚みよりも若干大きい深さと、基板支持板５２の幅と同じか、あるいは基板支持板５２の幅よりも若干大きい幅とを有している。
【００５９】
さらに具体的には、凹所３８および凹所３９は、基板支持板５２，５３の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、かつ、基板支持板５２，５３の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあることが好ましい。凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板によって凹所が埋められる（塞がれる）が、相互の位置関係のずれによる誤差を許容するように凹所の幅と深さは若干大きくする必要がある。要素試験の結果、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマを防止するためには、基板支持板５３の幅の＋１％よりも広い幅にならないことが必要である。また、要素試験の結果、対向電極１２の表面の凹所の周辺において、基板支持板の表面とで大きな段差が生じることによる不均一なプラズマを防止するためには、基板支持板５２，５３の深さの＋５％よりも深さにならないことが必要である。
【００６０】
また、図４では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の上部と下部に２組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。従って、基板サイズが大きくなると、凹所３８，３９と基板支持板５２，５３が、上部と下部に３組ずつ、４組ずつ、などと増加してもよい。
【００６１】
図４に示すように、基板受け渡し機構５１は、基板支持板５２，５３と、フレーム（基板支持板保持枠）５４と、二組のラック・アンド・ピニオン５５と、回転伝達機構５６と、モータ（駆動源）５７とを備えている。
基板支持板５２，５３はそれぞれ、平面視矩形状（長方形状）の板状部材であり、一端部（先端部）の表面は、基板８の周縁部裏面と接する接触面とされ、他端部（基端部）は、複数本（本実施形態では二本）の締結部材（例えば、皿ねじ）５８を介して、後述するＬ型アングル材５９の一端部（先端部）に固定されている。基板支持板５２，５３は、非磁性材料が好ましく、対向電極１２と同様な材質である、ＳＵＳ３０４、インコネルやアルミニウム合金などが使用できる。また更にプラズマ発生分布に影響を生じないよう、アルミナなどのセラミックスを用いることが好ましい。
基板支持板５２，５３は、基板８の主要面に接触して傷付けないとともに、基板８を安定して支持できるように、基板８の基板端からの距離が略１０ｍｍから略２５ｍｍの間の周縁部裏面と接することが好ましい。
【００６２】
フレーム５４は、Ｌ型アングル材５９と、平板６０とを備えている。
Ｌ型アングル材５９は、基板支持板５２，５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５２，５３の幅よりも若干小さい幅を有する断面視Ｌ字形状の板状の部材であり、一端側（先端側）は、基板支持板５２，５３の延在方向と同じ方向に延び、他端側（基端側）は、対向電極１２における基板８と密着する面よりも後側（対向電極１２の裏面（基板８と密着する面と反対側の面）側）に向かって延びている。また、Ｌ型アングル材５９は、その外側面が平板６０の内側面と密着するようにして平板６０に固定されている。
平板６０は、所定の幅、所定の厚み、所定の長さを有する板状部材であり、その内側面の長さ方向における両端部付近にはそれぞれ、基板支持板５２，５３およびフレーム５４をＸ方向（平板６０の幅方向）のみに案内する直動ガイド（スライダー）６１が設けられている。また、平板６０の長さ方向における中央部には、Ｘ方向に沿って延びるラック６２が固定されており、ラック６２の歯部には、所定の場所（一所）で回転するピニオン（平歯車）６３の歯部が噛合している。そして、ピニオン６３が一方向または他方向に回転すると、ラック６２が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動して、直動ガイド６１に案内された基板支持板５２，５３およびフレーム５４が、対向電極１２に対して進退するようになっている。
【００６３】
ピニオン６３は、Ｙ方向に沿って延びる（第１の）回転軸６４の一端部（図４において左側の端部）に設けられており、回転軸６４の他端部（図４において右側の端部）には、所定の場所（一所）で回転する（第１の）かさ歯車６５が設けられている。かさ歯車６５の歯部には、Ｚ軸方向に沿って延びる（第２の）回転軸６６の一端部（図４において上側の端部）または他端部（図４において下側の端部）に設けられて、所定の場所（一所）で回転する（第２の）かさ歯車６７の歯部が噛合している。
【００６４】
回転軸６６の中央部には、Ｙ方向に沿って延びる（第３の）回転軸６８の一端部（図４において左側の端部）におけるＹ方向周りの回転をＺ方向周りの回転に変換する回転方向変換機構６９が設けられており、回転軸６８の他端部（図４において右側の端部）には、モータ５７が接続されている。そして、モータ５７により回転軸６８が一方向または他方向に回転すると、回転軸６６，６４が一方向または他方向に回転して、ラック６２が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動し、ラック６２と固定した平板６０、Ｌ型アングル材５９、基板支持板５２，５３が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動するようになっている。
これにより、基板支持板５２，５３と対向電極１２との間の隙間をモータ５７の回転により制御ができる。
なお、図４中の符号７０は、軸シール（例えば、磁性流体シール）であり、これにより、モータ５７を処理室３の外側の大気雰囲気下に設置し、軸シール７０を介して、以降の部品を処理室３内の真空雰囲気下に設置できるよう、処理室３のケーシング１８８（図１８参照）を貫通する回転軸６８周りが軸封されることになる。
また、本実施形態の場合、回転伝達機構５６は、回転軸６４，６６，６８、かさ歯車６５，６７、回転方向変換機構６９により構成されている。
【００６５】
図６から図１２は、対向電極１２（基板テーブル）と架台４１との間での基板８の受け渡しを説明するための模式図である。
以下、対向電極１２（基板テーブル）と架台４１との間での基板８の受け渡しを、図６から図１２を用いて順に説明する。
図６および図７に示すように、処理室３内への搬送アーム４２の進入が完了すると、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近するとともに、ラック・アンド・ピニオン５５（図４参照）、回転伝達機構５６（図４参照）、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４（図４参照）が、対向電極１２とほぼ一緒に、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
【００６６】
つぎに、基板８の下側の端面（側面）が基板支持突起３３の上面に支持されたら、駆動機構１８７による対向電極１２（基板テーブル）の基板８への接近が停止され、図８に示すように、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみが基板８に接近する。ここで、基板支持突起３３と下側爪部４４はＹ方向（紙面の垂直方向）で位置が異なっており、相互に干渉することは無い。
つづいて、図９に示すように、基板支持板５２，５３の一端部表面が基板８の周縁部裏面と接することでの基板の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板８の支持が両方ある状態になると、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７による基板支持板５２，５３およびフレーム５４の基板８への接近が停止され、基板８の裏面と対向電極１２（基板テーブル）の表面との間に所定の隙間を形成される。その後、この所定の隙間により対向電極１２の表面と干渉することなく、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。このとき、基板８は、基板支持突起３３の上面および基板支持板５２，５３の一端部表面により支持されている。
【００６７】
つぎに、図１０に示すように、対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、モータ５７の回転により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４は、基板８とともに搬送アーム４２から離間し、対向電極１２に接近する。
つづいて、図１１に示すように、対向電極１２（基板テーブル）と基板８との隙間を暫時に小さくなるように制御しながら、基板８の裏面が対向電極１２における基板８と密着する面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７の回転により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４を、対向電極１２とほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させる。このとき、基板８は、対向電極１２における基板８と密着する面、基板支持突起３３の上面、および基板支持板５２，５３の一端部表面により支持されている。
そして、図１２に示すように、駆動機構１８７により対向電極１２が待機位置（搬送アーム４２を出し入れできるスペースを設ける元の位置）に戻されるとともに、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が待機位置（元の位置）に戻されて、対向電極１２と架台４１との間での基板８の受け渡し工程が終了する。
【００６８】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７により対向電極１２が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近するとともに、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３が、対向電極１２とほぼ一緒に、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
つぎに、基板８の下側の端面が基板支持突起３３の上面に支持されたら、駆動機構１８７による対向電極１２の基板８への接近が停止され、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）の基板受け面と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３のみが基板８に接近する。
つづいて、基板支持板５２，５３の先端部表面が基板８裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の基板８への接近が停止され、その後、対向電極１２の表面と干渉することなく、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３は基板８とともに搬送アーム４２から離間し、基板テーブル８に接近する。
つづいて、対向電極１２（基板テーブル）の基板受け面と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させ、搬送アーム４２と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アームと対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の下側の端面のみが基板支持突起３３の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板８の裏面）に対向電極１２の基板受け面との擦り傷が付くのを防止することができる。
【００６９】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５２，５３の幅と略同じ幅、および基板支持板５２，５３の厚みと略同じ深さを有している凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板５２，５３によって凹所３８，３９が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所３８，３９の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所３８，３９の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００７０】
〔第２実施形態〕
本発明の第２実施形態について図１３を参照して説明する。
図１３は、本実施形態に係る対向電極（基板テーブル）、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、第１実施形態と同様であるが、基板支持突起３３が対向電極１２の下側に設けた基板支持板５２の少なくとも２つの一端部表面に配置され、基板支持突起３３を対向電極１２（基板テーブル）の表面に具備していないという点で前述した第１実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した第１実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した第１実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。
【００７１】
図１３に示すように、本実施形態においては、基板支持突起３３が基板８の両端付近にある基板支持板５２の一端部表面に配置され、基板支持突起３３は、基板支持板５２，５３とともにＸ方向に移動するようになっている。
また、図１３では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の上部と下部に４組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。
なお、本実施形態において、搬送アーム４２との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）をＸ方向に所定の位置まで移動させればよい。対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３をほぼ一緒に、Ｘ方向に所定の位置まで移動させた後は、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみがＸ方向に移動させられるようになっている。またラック・アンド・ピニオン５５を長くすることで、対向電極１２（基板テーブル）の所定の位置を待機位置とし、すなわちＸ方向に移動させずに、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみのＸ方向への移動量を大きくして、基板８の受け渡しをすることも可能である。
【００７２】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送部アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間で基板８の受け渡しを行う際、基板受け渡し機構５１により基板支持突起３３を備えた基板支持板５２と基板支持板５３が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
つぎに、基板８の下側の端面が基板支持突起３３の上面に支持されたら、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３をさらに基板８に接近させる。
つづいて、基板支持板５２，５３の先端部表面が基板８裏面の周縁部と接することでの基板８の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板８の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の基板８への接近が停止され、基板８の裏面と対向電極１２（基板テーブル）の表面との間に所定の隙間が形成される。その後、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３は基板８とともに搬送アーム４２から離間し、基板テーブル８に接近する。
つづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が対向電極１２の基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１とともに基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させ、搬送アーム４２と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の下側の端面のみが基板支持突起３３の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板８裏面）に擦り傷が付くのを防止することができる。
また、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡し時点において、基板８の下側の端面が基板支持板５２に設けた基板支持突起３３の上面に支持されるので、駆動機構１８７により対向電極１２を基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板８の受け渡し時における対向電極１２の位置管理を容易にし、基板支持板５２，５３の位置調整のみで基板受渡し位置を適切な位置への調整を容易なものとすることができ、基板８の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
基板支持突起３３が基板支持板５２の一端部表面に配置されているので、基板８の受渡しがより容易であり、さらに大型サイズの基板に対応することが可能である。
【００７３】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５２，５３の幅と略同じ幅、および基板支持板５２，５３の厚みと略同じ深さを有している凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板５２，５３によって凹所３８，３９が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所３８，３９の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所３８，３９の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００７４】
〔第３実施形態〕
本発明の第３実施形態について図１４および図１５を参照して説明する。
図１４は、本実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の部位を示した図、図１５は、図１４の要部を斜め方向から見た斜視図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、基板支持板５２，５３の代わりに基板支持板１４１を備え、凹所３８，３９の代わりに凹所１４２を備えるとともに、基板支持板１４１が微調整ガイド機構（スライド・回動機構）１４３を介してＬ型アングル材５９に取り付けられているという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。
【００７５】
図１４および図１５に示すように、凹所１４２に嵌り込む基板支持板１４１の先端面（Ｌ型アングル材５９に対向する面と反対側の端面）および両側面は、基板支持板１４１の表面の面積が基板支持板１４１の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面１４４とされている。
一方、基板支持板１４１の先端面および両側面と対向して凹所１４２を形成する凹所１４２の壁面（周面）も、基板支持板１４１の先端面および両側面と同じ傾斜を有するテーパー面１４５とされている。
【００７６】
微調整ガイド機構１４３は、スライド板１４６と、一本の締結部材（例えば、皿ねじ）１４７とを備えている。
スライド板１４６の中央部および基板支持板１４１の他端部（基端部）には、Ｙ方向に沿って、締結部材１４７の軸部が貫通する長穴１４８が設けられており、スライド板１４６は基板支持板１４１の上面に固定され、締結部材１４７はＬ型アングル材５９に固定されている。そして、スライド板１４６および基板支持板１４１は、Ｙ軸方向に沿ってわずかにスライド（移動）できるとともに、締結部材１４７の中心線Ｃ回りにわずかに回動できるようになっている。基板支持板１４１の基端部が、対向電極１２の基板受け面に対して、平行を保ちながらわずかに位置変更をすることが可能となる。
【００７７】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板１４１の基端部が、微調整ガイド機構１４３を介して取り付けられているので、各部材の熱膨張等により、対向電極１２と基板受け渡し機構５１との間、より詳しくは、凹所１４２と基板支持板１４１との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板１４１が凹所１４２内に嵌り込む際に、基板支持板１４１が基板受け面のある対向電極１２に対して平行にスライドおよび／または基端部回りに回動することになる。
これにより、各部材の熱膨張等により、対向電極１２と基板受け渡し機構５１との間、より詳しくは、凹所１４２と基板支持板１４１との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板１４１を凹所１４２内に円滑に嵌り込ませる（収容させる）ことができ、対向電極１２の凹所１４２と基板支持板１４１との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と対向電極１２の基板受け面との間の隙間を生じることなく、対向電極１２および基板支持板１４１の振動を防止することができて、基板８の脱落や対向電極１２の基板受け面からの浮きあがりを防止することができる。
また、対向電極１２の凹所１４２と基板支持板１４１との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と基板受け面との間の隙間をさらに生じることなく、基板支持板１４１と凹所１４２との間の隙間、および基板８裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所１４２の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所１４２の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
その他の作用効果は、上述した実施形態のものと同じであるので、ここではその説明を省略する。
【００７８】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、凹所１４２に嵌り込む基板支持板１４１の先端面および両側面が、基板８裏面と対向する基板支持板１４１の表面の面積が裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面１４４とされ、基板支持板１４１の先端面および両側面と対向する凹所１４２の壁面が、テーパー面１４４と合致するテーパー面１４５とされ、基板支持板１４１と凹所１４２との間の隙間、および基板８裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所１４２の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所１４２の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００７９】
〔第４実施形態〕
本発明の第４実施形態について図１６および図１７を参照して説明する。
図１６は、本実施形態に係る対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図、図１７は、対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、搬送アーム、対向電極１２、および基板受け渡し機構５１がＸＹ平面に沿って配置され、基板８がＸＹ平面（水平面）上で受け渡されるという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。また、図１７は本実施形態に係る技術的思想を第１実施形態に適用した場合を示す図であり、図面の簡略化を図るため図１７には基板支持板５２，５３のみを示している。
【００８０】
図１６に示すように、本実施形態に係る架台１６１は、その上面に水平面に対して平行な状態で基板８が載置され、その内部に入れ子状に配置された（第１の）アーム支持部１６２の移動レール１６３に対してスライド可能に構成された搬送アーム（搬送部）１６４と、その内部に入れ子状に配置された（第２の）アーム支持部１６５の移動レール１６６に対してスライド可能に構成された（第１の）アーム支持部１６２と、スライドベース１６７の上面にＸ方向に沿って設けられた移動レール４７に対してスライド可能に構成された（第２の）アーム支持部１６５と、移動レール４７と垂直な方向に沿って設けられた移動レール４８（図３参照）に対してスライド可能に構成されたスライドベース１６７とを備えている。
なお、本実施形態において、搬送アーム１６４は上側爪部４３および下側爪部４４を具備しておらず、処理室３（図１から図３参照）、および処理室３の側面に設けられて搬送アーム１６４を受け入れる開口（図３において破線で示す開口に相当）は、本実施形態に適合するよう水平な向きに変更されている。
【００８１】
また、図１７に示すように、本実施形態においては、対向電極１２および基板受け渡し機構５１が、水平面であるＸＹ平面に沿って配置されることになる。
なお、本実施形態において、対向電極１２および基板支持板５２，５３は基板支持突起３３を具備していない。図１７では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の平行となる一端辺側と他端辺側に４組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。
また、本実施形態において、搬送アーム１６４との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）所定の位置まで移動させればよい。対向電極１２と基板支持板５２，５３をほぼ一緒に、Ｚ方向に所定の位置まで移動させた後は、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみがＺ方向に移動させられるようになっている。またラック・アンド・ピニオン５５を長くすることで、対向電極１２（基板テーブル）の所定の位置を待機位置とし、すなわちＺ方向に移動させずに、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみのＺ方向への移動量を大きくして、基板８の受け渡しをすることも可能である。
【００８２】
以下、対向電極１２と架台１６１との間での基板８の受け渡しについて順に説明する。
図１６または図１７に示すように、処理室３内への搬送アーム１６４の進入が完了すると、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が＋Ｚ方向に移動し、搬送アーム１６４の上に載置された基板８に接近する。
【００８３】
つぎに、基板８の平行となる二つの周縁部が基板支持板５２，５３の上面に支持され、基板８が搬送アーム１６４の基板保持部分の上面（図示せず）からわずかに離間したら、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７による基板支持板５２，５３およびフレーム５４のＺ方向への移動が停止され、基板８は基板支持板５２，５３で支持される。その後、搬送アーム１６４、アーム支持部１６２，１６５がＸ方向に沿って縮められ、処理室３内から搬送アーム１６４が退避する。
つづいて、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が−Ｚ方向に移動し、さらにつづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が対向電極１２の基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム１６４の受渡し位置から離間させ、待機位置（元の位置）に戻されて、対向電極１２と架台１６１との間での基板８の受け渡し工程が終了する。
【００８４】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送アーム１６４と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを行う際、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が、搬送アーム１６４の上に水平の状態で載置された基板８に向かって上昇する。
つぎに、基板８の平行となる二つの周縁部が基板支持板５２，５３の上面に支持され、基板８が搬送アーム１６４の上面からわずかに離間したら、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の移動が停止される。
つづいて、搬送アーム１６４が退避したら、基板受け渡し機構５１により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して基板支持板５２，５３を下降させ、さらにつづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板８の裏面が基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を受渡し位置から離間させ、搬送アーム１６４と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アーム１６４と対向電極１２との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の一つの端面を支持する基板支持突起３３が不要となり、基板８を支持する部材と基板８とが擦れ合うことはないので、基板８部分（特に、基板８の裏面）に擦り傷が付くのをより一層防止することができる。
基板支持突起３３がないので、基板８の受渡しがより容易であり、さらに大型サイズの基板に対応することが可能である。
また、搬送アーム１６４と対向電極１２との間における基板８の受け渡し時点において、駆動機構１８７により対向電極１２を基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板８の受け渡し時における対向電極１２の位置管理を容易にし、基板支持板５２，５３の位置調整のみで基板受渡し位置の適切な調整を容易なものとすることができ、基板８の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
さらにまた、対向電極１２（基板テーブル）の四隅などに、基板受渡し時の基板８を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板８の窪み付近の膜質が変化したり、基板８の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００８５】
〔第５実施形態〕
本発明の第５実施形態について図１８を参照して説明する。
図１８は、本実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の部位を示した図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、Ｌ型アングル材５９の代わりにＴ型アングル材１８１を備え、このＴ型アングル材１８１が直動ガイド（スライダー）１８２および引張コイルバネ（付勢部材）１８３を介して平板６０に取り付けられているという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。また、図１８は本実施形態に係る技術的思想を第１実施形態に適用した場合を示す図であり、図面の簡略化を図るため図１８には基板支持板５３のみを示している。
【００８６】
図１８に示すように、Ｔ型アングル材１８１は、基板支持板５２，５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５２，５３の幅よりも若干小さい幅を有する断面視Ｔ字形状の板状の部材であり、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４は、基板支持板５２，５３の延在方向と同じ方向に延び、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５は、対向電極１２における基板８と密着する面よりも後側（対向電極１２の裏面（基板８と密着する面と反対側の面）側）に向かって延びている。また、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５の外側面と、平板６０の内側面との間には、基板支持板５２，５３およびＴ型アングル材１８１をＸ方向（平板６０の幅方向）のみに案内する直動ガイド１８２が設けられ、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５の端面と、平板６０の幅方向における中央部内側面から突出してＹ方向に沿って延びる断面視矩形状の凸部１８６との間には、基板支持板５２，５３およびＴ型アングル材１８１を凸部１８６の側に付勢する引張コイルバネ１８３が設けられている。
【００８７】
なお、図１８中の符号１８７は、対向電極１２を搬送アーム４２または放電電極１３に対して進退させる駆動機構（直線導入機：直進導入装置）であり、処理室３のケーシング１８８を貫通する直線導入軸（直進導入軸）１８９周りは、真空シール１９０により軸封され、駆動機構１８７を処理室３の外の大気雰囲気下に設置することができる。
また、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４のうち、基板支持板５２，５３が取り付けられた側と反対側の端部と、平板６０の長さ方向に沿って延びる側面とは、互いに接して所定の移動量の限度を制御するストッパーとして機能するようになっている。
【００８８】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５３を対向電極１２の側に付勢する引張コイルバネ１８３が設けられ、対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３を各々駆動させる機構間の緩衝を抑制し、対向電極１２と基板支持板５２，５３が、ほぼ一緒に移動することに効果を発揮する。
基板８を搬出のために、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２の側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも早くなったとしても、その差は付勢手段の引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２と離間する側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも遅くなったとしても、その差は付勢手段の引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。
また、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４のうち、基板支持板５２，５３が取り付けられた側と反対側の端部と、平板６０の長さ方向に沿って延びる側面とは、互いに接して所定の移動量の限度を制御するストッパーとなる。対向電極１２と、基板支持板５２，５３とが、引張コイルバネ１８３により緩衝機能を保持しながら密着し、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して基板支持板５２，５３を移動させる際には、このストッパーにより確実に平板６０の移動を基板支持板５２，５３の移動とさせることが可能となる。
これにより、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、ともに搬送アーム４２との間で移動する際に、対向電極１２と基板支持板５２，５３の移動速度の差が若干発生しても、対向電極１２と基板支持板５２，５３に生じる隙間は、両者が密着すようとする付勢力により、所定の隙間値より大きく変化しない。このため基板支持板５２，５３が対向電極１２と離れて基板８が基板支持突起３３から脱落することを防止でき、さらに対向電極１２および基板支持板５２，５３の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板８の脱落を防止することができる。
さらにまた、対向電極１２を放電電極１３の側に移動させて製膜位置を少量補正するような場合に、駆動機構１８７による対向電極１２の移動量が、基板受け渡し機構５１による基板支持板５３の移動量よりも大きくなったとしても、その差は引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、処理室３における基板受渡し位置の再調整を実施しないままでも、基板支持板５３に過大な力が加わるのを防止することができ、対向電極１２および基板支持板５３の振動を防止することができて、基板８の脱落を防止することができるので、メンテナンス調整時間と手間を短縮可能となる。
【００８９】
ここで、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種変更・変形が可能である。
例えば、前述した実施形態において、モータ５７と軸シール７０との間に位置する回転軸６８に、所定の負荷以上の回転力が作用すると滑りを生じる図示しないクラッチ（滑り機構）が配置されているとさらに好適である。
すなわち、対向電極１２と、基板支持板５２，５３およびフレーム５４とが、搬送アーム４２または放電電極１３の方へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３およびフレーム５４の移動速度よりも早くなったとしてもクラッチの滑り機構のところで滑りが生じ、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。また基板８を受け取り後に、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２と離間する側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも遅くなったとしてもクラッチの滑り機構のところで滑りが生じ、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板５２，５３が対向電極１２と離れて基板８が基板支持突起３３から脱落することを防止でき、さらに対向電極１２および基板支持板５２，５３の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板８の脱落を防止することができる。
【符号の説明】
【００９０】
１ 製膜装置（真空処理装置）
８ 基板
１２ 対向電極（基板テーブル）
３３ 基板支持突起
３８ 凹所
３９ 凹所
４２ 搬送アーム（搬送部）
４３ 上側爪部
４４ 下側爪部
５１ 基板受け渡し機構
５２ 基板支持板
５３ 基板支持板
１４１ 基板支持板
１４２ 凹所
１４３ 微調整ガイド機構（スライド・回動機構）
１４４ テーパー面
１４５ テーパー面
１６４ 搬送アーム（搬送部）
１８３ 引張コイルばね（付勢部材）
１８７ 駆動機構
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関し、特に、プラズマＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、スパッタリング装置に例示される真空処理装置、すなわち、基板や製膜済の基板に真空または減圧雰囲気のもとで処理を実施する真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、透光性ガラス板等の基板上に製膜を行う真空処理装置においては、種々の製膜処理を行う複数の製膜室と、基板固定用のトレイを使用せずに、基板をこれらの製膜室の間で搬送し、基板のみを製膜室内へ搬入搬出する搬送部と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１および２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１３３６９２号公報
【特許文献２】特開２００６−２６４８２６号公報
【０００４】
前述の特許文献１には、基板を伸縮移動させるリンク機構の伸縮移動に連動し、ラック・アンド・ピニオンで基板支持爪部の保持や着脱する保持機構を備えた搬送部が記載されている。
このように拘束の少ない基板支持爪部によって基板を支持することで、搬送中の基板のずれ等を防止して不具合の発生を抑制するとともに、搬送速度を速めて搬送効率の向上を図っている。
【０００５】
一方、特許文献２には、基板を基板テーブルに設置する際に、基板を支持する基板支持爪の開閉を制御する開閉リンク機構について記載されている。
このように開閉リンク機構を用いることで、搬送中の基板を確実に保持するとともに、基板を基板テーブルへ確実に設置することを可能としている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２における基板テーブルへの基板の設置においては、鉛直方向から約１０°傾斜している基板テーブル上で基板支持爪を開放して基板を置き、基板が自重で移動して基板保持位置に保持されるため、基板を基板テーブルへ受け渡す際に、基板面が全面的に基板テーブル面と接触しながら、約１０ｍｍ摺動しながら移動していた。
【０００７】
ここで、基板テーブルにおける基板と接触する面（表面：基板受け面）には、製膜時に付着した膜が容易に剥離や脱落等しないようにブラスト処理が施されており、表面には数μｍの凹凸が形成されている。表面の凹凸には鋭角部分が含まれており、減圧雰囲気では摩擦係数が大きくなるため、この鋭角部分と基板との接触面圧が高くなり、基板に幅細ながらも深い傷を付けるおそれがあった。
【０００８】
基板の非製膜面となる裏面は太陽電池の製品自体の表の面となる場合があるため、基板表面の傷は好ましくなく、さらに基板強度の低下要因になる場合もあるため、基板裏面の傷は好ましくないという問題があった。
【０００９】
また、特許文献２における基板テーブルの四隅には、基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みが設けられている。そのため、製膜時に窪みの周辺でプラズマが不均一になり、基板のこの部分付近の膜質が変化したり、製膜時に供給されたガスが窪みの中に入り込み、基板の裏面（太陽電池の場合は製品自体の表の面）の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となってしまうことがあった。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、基板表面への傷付きを防止するとともに、前述の課題を発生させないようにすることができる真空処理装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
本発明に係る真空処理装置は、鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起と、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所とが設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１２】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、例えば、基板を鉛直方向に対して斜め上下方向から挟んで保持する上側爪部および下側爪部と、基板の受け渡し時に、下側爪部を斜め下方に向かって移動させる下側駆動部と、基板の受け渡し時に、上側爪部を斜め上方に向かって移動させる上側駆動部とが設けられており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持板が、一緒に、上側爪部および下側爪部を介して搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板の下側の端面が基板支持突起の上面に支持されたら、駆動機構による基板テーブルの基板への接近が停止され、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板のみがさらに基板に接近する。
つづいて、複数の基板支持板の先端部表面が基板裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部および下側爪部による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構による基板支持板の基板への接近が停止され、その後、上側爪部が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部が斜め下方に向かって移動し、上側爪部が基板の上辺から離間し、下側爪部が基板の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板は基板とともに搬送部から離間し、基板テーブルに接近する。
つづいて、基板テーブルと基板との隙間を暫時に小さくなるように制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構とともに基板支持板を搬送部から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の下側の端面のみが基板支持突起の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００１３】
本発明に係る真空処理装置は、鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板支持板の少なくとも２つには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起が設けられ、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１４】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、例えば、基板を鉛直方向に対して斜め上下方向から挟んで保持する上側爪部および下側爪部と、基板の受け渡し時に、下側爪部を斜め下方に向かって移動させる下側駆動部と、基板の受け渡し時に、上側爪部を斜め上方に向かって移動させる上側駆動部とが設けられており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持突起を備えた基板支持板が、一緒に所定の位置まで、上側爪部および下側爪部を介して搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、基板の下側の端面が基板支持突起の上面に支持させる。
つづいて、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、複数の基板支持板の先端部表面が基板裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部および下側爪部による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構による基板支持板の基板への接近が停止され、その後、上側爪部が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部が斜め下方に向かって移動し、上側爪部が基板の上辺から離間し、下側爪部が基板の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して、基板支持板は基板とともに搬送部から離間し、基板テーブルに接近する。
つづいて、基板テーブルと基板との隙間を制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構とともに基板支持板を搬送部から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の下側の端面のみが基板支持板に設けた基板支持突起の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのをさらに防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
さらにまた、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡し時点において、基板の下側の端面が基板支持板に設けた基板支持突起の上面に支持されるので、駆動機構により基板テーブルを基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板の受け渡し時における基板テーブルの位置管理を容易にし、基板支持板の位置調整のみで基板受渡し位置を適切な位置に調整することができ、基板の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
【００１５】
本発明に係る真空処理装置は、水平面に対して平行な状態で基板を搬送する搬送部と、水平面に対して平行に延び、鉛直方向に対して上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、前記基板の下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して、前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御する。
【００１６】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、搬送部には、水平面に対して平行な状態で基板が保持されており、駆動機構により基板テーブルが、基板受け渡し機構により基板支持板が、一緒に所定の位置まで、搬送部の上に水平の状態で載置された基板に向かって上昇して、搬送部に支持された基板に接近する。
つぎに、基板受け渡し機構により基板テーブルと基板支持板との隙間を制御しながら、基板支持板のみをさらに基板に接近させて、基板裏面の平行となる二つの周縁部が基板支持板の上面に支持され、基板が搬送部の基板保持部分の上面からわずかに離間したら、基板受け渡し機構による基板支持板の移動が停止され、基板は基板支持板で支持される。
つづいて、搬送部が退避したら、基板受け渡し機構により、基板テーブルと基板支持板との隙間を制御して基板支持板を下降させる。さらにつづいて、基板テーブルと基板との隙間を制御しながら、基板支持板が凹所内に収容され、基板の裏面が基板テーブルの基板受け面に接したら、駆動機構により基板テーブルを、基板受け渡し機構により基板支持板を、ほぼ一緒に搬送部の受渡し位置から離間させ、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡しにおいて、基板の一つの端面を支持する基板支持突起が不要となり、基板を支持する部材と基板面とが擦れ合うことはないので、基板部分（特に、基板裏面）に擦り傷が付くのを一層に防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
さらにまた、搬送部と基板テーブルとの間における基板の受け渡し時点において、駆動機構により基板テーブルを基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板の受け渡し時における基板テーブルの位置管理を容易にし、基板支持板の位置調整のみで基板受渡し位置を適切に調整することができ、基板の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
【００１７】
上記真空処理装置において、前記基板テーブルと前記基板支持板とが、ともに前記搬送部との間で移動する際に、前記基板テーブルと前記基板支持板の移動速度の差により、前記基板テーブルと前記基板支持板の隙間が変化しないように、前記基板受け渡し機構に前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備させるとさらに好適である。
すなわち、前記基板受け渡し機構に、前記基板テーブルと、前記基板支持板とが、ともに前記搬送部の側へ移動する際の、前記基板テーブルの移動速度が、前記基板支持板の移動速度よりも早くなった場合、または前記基板テーブルと、前記基板支持板とが、ともに前記搬送部から離間する側へ移動する際の、前記基板テーブルの移動速度が、前記基板支持板の移動速度よりも遅くなった場合、前記基板テーブルの移動を妨げることなく、前記基板テーブルとともに移動する前記基板支持板の、前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備させるとさらに好適である。
【００１８】
このような真空処理装置によれば、基板を搬出のために、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部の側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも早くなったとしても滑り機構のところで滑りが生じ、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部と離間する側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも遅くなったとしても滑り機構のところで滑りが生じ、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板が基板テーブルと離れて基板が基板支持突起から脱落することを防止でき、さらに基板テーブルおよび基板支持板の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板の脱落を防止することができる。
【００１９】
上記真空処理装置において、前記凹所が、受け入れる前記基板支持板の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、および前記基板支持板の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあるとさらに好適である。
【００２０】
このような真空処理装置によれば、各凹所内に受け入れる各基板支持板が嵌り込み、基板支持板によって凹所が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
【００２１】
上記真空処理装置において、前記基板支持板の基端部が、前記基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられ、前記凹所に嵌り込む前記基板支持板の先端面および両側面が、前記基板裏面と対向する基板支持板の表面の面積が基板支持板の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面とされているとさらに好適である。
【００２２】
このような真空処理装置によれば、基板支持板の基端部が、基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられているので、各部材の熱膨張等により、基板テーブルと基板受け渡し機構との間、より詳しくは、各凹所と各基板支持板との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、各基板支持板が各凹所内に嵌り込む際に、基板支持板が基板受け面のある基板テーブルに対して平行にスライドおよび／または基端部回りに回動することになる。
これにより、各部材の熱膨張等により、基板テーブルと基板受け渡し機構との間、より詳しくは、各凹所と各基板支持板との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板を凹所内に円滑に嵌り込ませる（収容させる）ことができ、基板テーブルの各凹所と各基板支持板との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と基板受け面との間の隙間を生じることなく、基板テーブルおよび基板支持板の振動を防止することができて、基板の脱落や基板テーブル面からの浮きあがりを防止することができる。
また、基板支持板と凹所との間の隙間、および基板裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００２３】
上記真空処理装置において、前記基板支持板の先端面および両側面と対向する前記凹所の壁面が、前記テーパー面と合致するテーパー面とされているとさらに好適である。
【００２４】
このような真空処理装置によれば、基板テーブルの各凹所と各基板支持板との間で嵌り込み不良による段差による基板裏面と基板受け面との間の隙間をさらに生じることなく、各基板支持板と各凹所との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質をさらに向上させることができるとともに、凹所の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００２５】
上記真空処理装置において、前記基板支持板を前記基板テーブルの側に付勢する付勢部材が設けられているとさらに好適である。
【００２６】
このような真空処理装置によれば、基板を搬出のために、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部の側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも早くなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、基板テーブルと基板支持板とが、搬送部と離間する側へ移動する際に、基板テーブルの移動速度が、基板支持板の移動速度よりも遅くなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板テーブルの移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板が基板テーブルと離れて基板が基板支持突起から脱落することを防止でき、さらに基板テーブルおよび基板支持板の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板の脱落を防止することができる。
また、基板テーブルを放電電極の側に移動させて製膜位置を少量補正するような場合に、駆動機構による基板テーブルの移動量が、基板受け渡し機構による基板支持板の移動量よりも大きくなったとしても、その差は付勢手段の弾性力により吸収されることになるので、基板支持板に過大な力が加わるのを防止することができ、基板テーブルおよび基板支持板の振動を防止することができて、基板の脱落を防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送部と基板テーブルとの間で基板の受け渡しを行う際、基板表面への傷付きを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る製膜装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１の処理室の構成を説明する模式図である。
【図３】対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図である。
【図４】対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図５】図４の要部を拡大して示す断面図である。
【図６】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図７】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図８】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図９】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１０】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１１】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１２】対向電極と架台との間での基板の受け渡しを説明するための模式図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の図である。
【図１５】図１４の要部を斜め方向から見た斜視図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図である。
【図１７】本発明の第４実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
【図１８】本発明の第５実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
〔第１実施形態〕
以下、本発明の第１実施形態について図１から図１２を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る製膜装置の概略構成を示す斜視図である。
【００３０】
本実施形態においては、本発明を一辺が１ｍを超える大型基板に、アモルファス太陽電池や微結晶太陽電池や液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等に用いられる非晶質シリコン、微結晶シリコン、窒化シリコン等からなる膜の大面積製膜処理を行うことが可能な製膜装置（真空処理装置）１に適用して説明する。
【００３１】
製膜装置１には、図１に示すように、基板８（図２参照）に対して製膜処理が行われる複数の処理室３と、内部で基板８が搬送される搬送室２と、製膜される基板８が搬入されるロード室４と、製膜された基板８が搬出されるアンロード室５と、が設けられている。
なお、基板８としては、１辺が１ｍを超えるサイズ（例えば、縦横が３．３ｍ×２．８ｍ）であって、板厚が３．５ｍｍから４．５ｍｍのガラス基板を一例として挙げることができる。
【００３２】
処理室３や、搬送室２や、ロード室４や、アンロード室５等は真空容器であり、ステンレス系材料により形成されたものを例示することができる。このように、ステンレス系材料により真空容器を形成することにより、耐食性と部材強度を満足することができる。
【００３３】
処理室３は、更に、内部での製膜に用いられるプラズマの発生を阻害しないために、非磁性または弱磁性材料であるステンレス系材料（例えば、ＳＵＳ３０４）やアルミニウム合金により形成されることが望ましい。
【００３４】
なお、複数の処理室３、搬送室２、ロード室４、および、アンロード室５は、内部の真空雰囲気中で行われる処理内容や、これら真空容器の設計内容等に応じて他材質（例えば表面をメッキ処理した鉄系材料等）により形成されていてもよく、特に限定するものではない。
【００３５】
図２は、図１の処理室の構成を説明する模式図である。
処理室３には、図２に示すように、真空容器である製膜室１６と、導電性の板である対向電極（基板テーブル）１２と、対向電極１２の温度分布を均一化する均熱板１５と、均熱板１５および対向電極１２を保持する均熱板保持機構２１と、対向電極１２との間にプラズマを発生させる放電電極１３と、膜が形成される範囲を制限する防着板１４と、防着板１４を支持する支持部１７と、高周波電力を放電電極１３に供給する同軸給電部２２ａ，２２ｂおよび整合器２３ａ，２３ｂと、製膜室１６内の気体を排気する高真空排気部３１および低真空排気部３５と、製膜室１６を保持する台３７と、が設けられている。対向電極１２は基板テーブルとして、基板８を設置する基板受け面の機能を保有している。
なお、本図において、ガス供給に関する構成は省略している。
【００３６】
製膜室１６は真空容器であり、その内部で基板８にアモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜等を製膜するものである。
【００３７】
ここで、Ｘ方向は、処理室３が並ぶ方向（図２の左右方向）であり、Ｙ方向は搬送室２から処理室３に向かう方向（図２の紙面に対して垂直方向）である。また、製膜室１６は、鉛直方向から角度αだけ傾けて台３７上に保持される。傾きの角度αは鉛直方向に対して７°から１２°までの範囲内の所定角度である。この鉛直方向から角度αだけ傾き、かつ、Ｙ方向と垂直な方向をＺ方向とする。
【００３８】
製膜室１６を傾けて保持することで、対向電極１２における基板８と製膜処理面の法線が、Ｘ方向に対して角度αだけ上（鉛直方向の上方）に向く。このように基板８を垂直から僅かに傾けることは、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板８の自重を利用して少ない手間で基板８を保持することができ、更に基板８と対向電極１２の密着性を向上して基板８の温度分布と電位分布とを均一化することができて好ましい。
【００３９】
対向電極１２は、基板８を保持可能な保持手段（図示せず）を有する非磁性材料の導電性の板である。セルフクリーニングを行う場合は耐フッ素ラジカル性を備えることが好ましく、ニッケル合金やアルミニウムやアルミニウム合金の板を使用することが望ましい。
【００４０】
対向電極１２は、放電電極１３に対向する電極（例えば、接地側電極）となる。対向電極１２は、一方の面が均熱板１５の表面と密接し、製膜時に他方の面が基板８の裏面と密接する。
さらに、対向電極１２における基板８と密着する面（表面：基板受け面）の下側には、当該面から突出して基板８を支持する基板支持突起３３が設けられている（図４、図６から図１２参照）。
【００４１】
基板支持突起３３は基板８を支持するために、基板８の下辺の少なくとも両端付近に各１箇所の合計２箇所に設けられている。後述の搬送アーム４２の下側爪部４４（図３、図６から図１２参照）と干渉しないように、基板支持突起３３と下側爪部４４とは、Ｙ方向に設置位置を変更する等の工夫がしてある。
【００４２】
均熱板１５は、内部に温度制御された熱媒体を循環したり、または温度制御されたヒーターを組み込んだりすることで、自身の温度を制御して、全体が概ね均一な温度を有し、接触している対向電極１２の温度を所定の温度に均一化する機能を有する。
【００４３】
前述の熱媒体は非導電性媒体であり、水素やヘリウム等の高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が熱媒体として使用できる。中でも１５０℃から２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば、商品名：ガルデン、Ｆ０５等）の使用が好適である。
【００４４】
均熱板保持機構２１は、均熱板１５及び対向電極１２を製膜室１６の側面（図２の右側の側面）に対して略平行、すなわちＺ軸方向に対して略平行となるように保持するとともに、均熱板１５、対向電極１２および基板８を、放電電極１３に接近離間可能に保持するものである。
【００４５】
基板搬送時であって後述の搬送アーム４２（図３参照）が進入する場合には、均熱板保持機構２１は放電電極１３から離れ、対向電極１２と放電電極１３の間を広く保持する。その一方で、製膜時であって搬送アーム（搬送部）４２が進入していない場合には、均熱板保持機構２１は放電電極１３に接近し、均熱板１５等を放電電極１３に接近させて、基板８を放電電極１３から、例えば、３ｍｍから２０ｍｍの範囲内に位置させることができる。
【００４６】
防着板１４は、接地されプラズマの広がる範囲を抑えることにより、膜が製膜される範囲を制限するものである。本実施形態の場合、図２に示すように、製膜室１６の内側における防着板１４の後ろ側（基板８と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。
【００４７】
支持部１７は、製膜室１６の側面（図２における左側の側面）から内側へ垂直に延びている部材である。支持部１７は防着板１４と結合され、放電電極１３における対向電極１２と反対側の空間を覆うように防着板１４を保持している。それと共に、支持部１７は放電電極１３と絶縁的に結合され、放電電極１３を製膜室１６の側面（図２における左側の側面）に対して略平行に保持している。
【００４８】
高真空排気部３１は、粗引き排気された製膜室１６内の気体をさらに排気して、製膜室１６内を高真空とする高真空排気用の真空ポンプである。弁３２は、高真空排気部３１と製膜室１６との経路を開閉する弁である。
低真空排気部３５は、初めに製膜室１６内の気体を排気して、製膜室１６内を低真空とする粗引き排気用の真空ポンプである。製膜時における製膜排出ガスも低真空排気部３５から排気される。弁３４は、低真空排気部３５と製膜室１６との経路を開閉する。
【００４９】
台３７は、上面に配置された保持部３６を介して製膜室１６を保持するものである。台３７の内部には低真空排気部３５が配置される領域が形成されている。低真空排気部３５は必ずしも台３７の内部にある必要は無く、製膜室１６側に設けてもよいし高真空排気部３１と同様に製膜室１６の上部から排気してもよい。
【００５０】
図３は、対向電極１２（図２参照）と搬送アーム４２との間における基板８の受け渡しを説明するための斜視図である。
搬送室２（図１参照）には、図３に示すように、搬送室２内を移動して基板８を搬送する架台４１が設けられている。
架台４１は、図１において全体が搬送室２の内部を、Ｘ方向である処理室３が並ぶ方向（図３において左右方向）に移動して、各処理室３へ基板８を搬送するものである。
【００５１】
また、架台４１には、対向電極１２に沿って略並行に延び、基板８を把持する搬送アーム（搬送部）４２が設けられている。搬送アーム４２は、Ｙ方向である搬送室２から処理室３に向かう方向（図６から図１２の紙面に対して垂直方向）に移動されるものである。
【００５２】
搬送アーム４２には、当該搬送アーム４２の鉛直方向の下方に向いた面における上側に配置された上側爪部４３と、搬送アーム４２の下方に向いた面における下側に配置された下側爪部４４と、が設けられている。
言い換えると、搬送アーム４２の対向電極１２と対向する面における上側に上側爪部４３が配置され、搬送アーム４２の対向電極１２と対向する面における下側に下側爪部４４が配置されている。
【００５３】
図３は、架台柱４１Ｃ、アーム支持部４１Ｂおよび搬送アーム４２がスライドベース４１Ｄの右方向(＋Ｙ方向)へと移動し始めた状態を示している。
架台４１は、図３に示すように、ボールネジ等図示しない駆動装置により、全体として移動レール４８に沿ってＸ方向に移動される。また、架台柱４１Ｃ、アーム支持部４１Ｂおよび搬送アーム４２は、スライドベース４１Ｄの上に設けられた移動レール４７に沿ってＹ方向に移動される。
【００５４】
架台柱４１ＣがＹ方向に移動すると、アーム支持部４１Ｂは架台柱４１ＣからさらにＹ方向に移動する。そして、搬送アーム４２はアーム支持部４１ＢからさらにＹ方向に移動する。これにより、搬送アーム４２はＹ方向に移動して処理室３の中の所定の位置に配置される。
【００５５】
その一方で、基板８は上側爪部４３により基板上両端付近を把持され、下側爪部４４により基板下両端部分付近を把持される。
【００５６】
図４は、対向電極１２、および対向電極１２の周囲に配置された基板受け渡し機構５１の構成を説明するための模式図、図５は、図４の要部を拡大して示す断面図である。
図４および図５に示すように、本実施形態に係る処理室３は、対向電極１２と基板受け渡し機構５１とを備えている。
【００５７】
対向電極１２は、駆動機構１８７（図１８参照）もしくは均熱板保持機構２１（図２参照）により搬送アーム４２に対して進退可能に構成されている（図６から図１２参照）。
対向電極１２における基板８と密着する面の下側には、前述の基板支持突起３３（図４参照）が設けられており、対向電極１２における基板８と密着する面の下側で、基板支持突起３３と基板支持突起３３との間には、後述する基板支持板５２を受け入れる平面視矩形状の凹所３８が、対向電極１２の縦方向（図４および図５において上下方向）に沿って設けられている。また、対向電極１２における基板８と密着する面の上側で、凹所３８の直上には、後述する基板支持板５３を受け入れる平面視矩形状の凹所３９が、対向電極１２の縦方向（図４および図５において上下方向）に沿って設けられている。
【００５８】
図５は対向電極１２の上部分を示している。対向電極１２の下側は省略してあるが、類似した構造である。図５に示すように、凹所３９は、対向電極１２の上辺から基板８の上側に位置する周縁部の裏側まで延びており、基板支持板５３の厚みと同じか、あるいは基板支持板５３の厚みよりも若干大きい深さと、基板支持板５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５３の幅よりも若干大きい幅とを有している。
一方、凹所３８は、対向電極１２の下辺から基板８の下側に位置する周縁部の裏側まで延びており、基板支持板５２の厚みと同じか、あるいは基板支持板５２の厚みよりも若干大きい深さと、基板支持板５２の幅と同じか、あるいは基板支持板５２の幅よりも若干大きい幅とを有している。
【００５９】
さらに具体的には、凹所３８および凹所３９は、基板支持板５２，５３の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、かつ、基板支持板５２，５３の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあることが好ましい。凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板によって凹所が埋められる（塞がれる）が、相互の位置関係のずれによる誤差を許容するように凹所の幅と深さは若干大きくする必要がある。要素試験の結果、製膜時に凹所の周辺で発生する不均一なプラズマを防止するためには、基板支持板５３の幅の＋１％よりも広い幅にならないことが必要である。また、要素試験の結果、対向電極１２の表面の凹所の周辺において、基板支持板の表面とで大きな段差が生じることによる不均一なプラズマを防止するためには、基板支持板５２，５３の深さの＋５％よりも深さにならないことが必要である。
【００６０】
また、図４では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の上部と下部に２組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。従って、基板サイズが大きくなると、凹所３８，３９と基板支持板５２，５３が、上部と下部に３組ずつ、４組ずつ、などと増加してもよい。
【００６１】
図４に示すように、基板受け渡し機構５１は、基板支持板５２，５３と、フレーム（基板支持板保持枠）５４と、二組のラック・アンド・ピニオン５５と、回転伝達機構５６と、モータ（駆動源）５７とを備えている。
基板支持板５２，５３はそれぞれ、平面視矩形状（長方形状）の板状部材であり、一端部（先端部）の表面は、基板８の周縁部裏面と接する接触面とされ、他端部（基端部）は、複数本（本実施形態では二本）の締結部材（例えば、皿ねじ）５８を介して、後述するＬ型アングル材５９の一端部（先端部）に固定されている。基板支持板５２，５３は、非磁性材料が好ましく、対向電極１２と同様な材質である、ＳＵＳ３０４、インコネルやアルミニウム合金などが使用できる。また更にプラズマ発生分布に影響を生じないよう、アルミナなどのセラミックスを用いることが好ましい。
基板支持板５２，５３は、基板８の主要面に接触して傷付けないとともに、基板８を安定して支持できるように、基板８の基板端からの距離が略１０ｍｍから略２５ｍｍの間の周縁部裏面と接することが好ましい。
【００６２】
フレーム５４は、Ｌ型アングル材５９と、平板６０とを備えている。
Ｌ型アングル材５９は、基板支持板５２，５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５２，５３の幅よりも若干小さい幅を有する断面視Ｌ字形状の板状の部材であり、一端側（先端側）は、基板支持板５２，５３の延在方向と同じ方向に延び、他端側（基端側）は、対向電極１２における基板８と密着する面よりも後側（対向電極１２の裏面（基板８と密着する面と反対側の面）側）に向かって延びている。また、Ｌ型アングル材５９は、その外側面が平板６０の内側面と密着するようにして平板６０に固定されている。
平板６０は、所定の幅、所定の厚み、所定の長さを有する板状部材であり、その内側面の長さ方向における両端部付近にはそれぞれ、基板支持板５２，５３およびフレーム５４をＸ方向（平板６０の幅方向）のみに案内する直動ガイド（スライダー）６１が設けられている。また、平板６０の長さ方向における中央部には、Ｘ方向に沿って延びるラック６２が固定されており、ラック６２の歯部には、所定の場所（一所）で回転するピニオン（平歯車）６３の歯部が噛合している。そして、ピニオン６３が一方向または他方向に回転すると、ラック６２が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動して、直動ガイド６１に案内された基板支持板５２，５３およびフレーム５４が、対向電極１２に対して進退するようになっている。
【００６３】
ピニオン６３は、Ｙ方向に沿って延びる（第１の）回転軸６４の一端部（図４において左側の端部）に設けられており、回転軸６４の他端部（図４において右側の端部）には、所定の場所（一所）で回転する（第１の）かさ歯車６５が設けられている。かさ歯車６５の歯部には、Ｚ軸方向に沿って延びる（第２の）回転軸６６の一端部（図４において上側の端部）または他端部（図４において下側の端部）に設けられて、所定の場所（一所）で回転する（第２の）かさ歯車６７の歯部が噛合している。
【００６４】
回転軸６６の中央部には、Ｙ方向に沿って延びる（第３の）回転軸６８の一端部（図４において左側の端部）におけるＹ方向周りの回転をＺ方向周りの回転に変換する回転方向変換機構６９が設けられており、回転軸６８の他端部（図４において右側の端部）には、モータ５７が接続されている。そして、モータ５７により回転軸６８が一方向または他方向に回転すると、回転軸６６，６４が一方向または他方向に回転して、ラック６２が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動し、ラック６２と固定した平板６０、Ｌ型アングル材５９、基板支持板５２，５３が＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動するようになっている。
これにより、基板支持板５２，５３と対向電極１２との間の隙間をモータ５７の回転により制御ができる。
なお、図４中の符号７０は、軸シール（例えば、磁性流体シール）であり、これにより、モータ５７を処理室３の外側の大気雰囲気下に設置し、軸シール７０を介して、以降の部品を処理室３内の真空雰囲気下に設置できるよう、処理室３のケーシング１８８（図１８参照）を貫通する回転軸６８周りが軸封されることになる。
また、本実施形態の場合、回転伝達機構５６は、回転軸６４，６６，６８、かさ歯車６５，６７、回転方向変換機構６９により構成されている。
【００６５】
図６から図１２は、対向電極１２（基板テーブル）と架台４１との間での基板８の受け渡しを説明するための模式図である。
以下、対向電極１２（基板テーブル）と架台４１との間での基板８の受け渡しを、図６から図１２を用いて順に説明する。
図６および図７に示すように、処理室３内への搬送アーム４２の進入が完了すると、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近するとともに、ラック・アンド・ピニオン５５（図４参照）、回転伝達機構５６（図４参照）、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４（図４参照）が、対向電極１２とほぼ一緒に、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
【００６６】
つぎに、基板８の下側の端面（側面）が基板支持突起３３の上面に支持されたら、駆動機構１８７による対向電極１２（基板テーブル）の基板８への接近が停止され、図８に示すように、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみが基板８に接近する。ここで、基板支持突起３３と下側爪部４４はＹ方向（紙面の垂直方向）で位置が異なっており、相互に干渉することは無い。
つづいて、図９に示すように、基板支持板５２，５３の一端部表面が基板８の周縁部裏面と接することでの基板の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板８の支持が両方ある状態になると、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７による基板支持板５２，５３およびフレーム５４の基板８への接近が停止され、基板８の裏面と対向電極１２（基板テーブル）の表面との間に所定の隙間を形成される。その後、この所定の隙間により対向電極１２の表面と干渉することなく、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。このとき、基板８は、基板支持突起３３の上面および基板支持板５２，５３の一端部表面により支持されている。
【００６７】
つぎに、図１０に示すように、対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、モータ５７の回転により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４は、基板８とともに搬送アーム４２から離間し、対向電極１２に接近する。
つづいて、図１１に示すように、対向電極１２（基板テーブル）と基板８との隙間を暫時に小さくなるように制御しながら、基板８の裏面が対向電極１２における基板８と密着する面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７の回転により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４を、対向電極１２とほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させる。このとき、基板８は、対向電極１２における基板８と密着する面、基板支持突起３３の上面、および基板支持板５２，５３の一端部表面により支持されている。
そして、図１２に示すように、駆動機構１８７により対向電極１２が待機位置（搬送アーム４２を出し入れできるスペースを設ける元の位置）に戻されるとともに、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が待機位置（元の位置）に戻されて、対向電極１２と架台４１との間での基板８の受け渡し工程が終了する。
【００６８】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７により対向電極１２が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近するとともに、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３が、対向電極１２とほぼ一緒に、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
つぎに、基板８の下側の端面が基板支持突起３３の上面に支持されたら、駆動機構１８７による対向電極１２の基板８への接近が停止され、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）の基板受け面と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３のみが基板８に接近する。
つづいて、基板支持板５２，５３の先端部表面が基板８裏面の周縁部と接することでの基板の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の基板８への接近が停止され、その後、対向電極１２の表面と干渉することなく、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３は基板８とともに搬送アーム４２から離間し、基板テーブル８に接近する。
つづいて、対向電極１２（基板テーブル）の基板受け面と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させ、搬送アーム４２と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アームと対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の下側の端面のみが基板支持突起３３の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板８の裏面）に対向電極１２の基板受け面との擦り傷が付くのを防止することができる。
【００６９】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５２，５３の幅と略同じ幅、および基板支持板５２，５３の厚みと略同じ深さを有している凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板５２，５３によって凹所３８，３９が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所３８，３９の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所３８，３９の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００７０】
〔第２実施形態〕
本発明の第２実施形態について図１３を参照して説明する。
図１３は、本実施形態に係る対向電極（基板テーブル）、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、第１実施形態と同様であるが、基板支持突起３３が対向電極１２の下側に設けた基板支持板５２の少なくとも２つの一端部表面に配置され、基板支持突起３３を対向電極１２（基板テーブル）の表面に具備していないという点で前述した第１実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した第１実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した第１実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。
【００７１】
図１３に示すように、本実施形態においては、基板支持突起３３が基板８の両端付近にある基板支持板５２の一端部表面に配置され、基板支持突起３３は、基板支持板５２，５３とともにＸ方向に移動するようになっている。
また、図１３では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の上部と下部に４組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。
なお、本実施形態において、搬送アーム４２との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）をＸ方向に所定の位置まで移動させればよい。対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３をほぼ一緒に、Ｘ方向に所定の位置まで移動させた後は、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみがＸ方向に移動させられるようになっている。またラック・アンド・ピニオン５５を長くすることで、対向電極１２（基板テーブル）の所定の位置を待機位置とし、すなわちＸ方向に移動させずに、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみのＸ方向への移動量を大きくして、基板８の受け渡しをすることも可能である。
【００７２】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送部アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間で基板８の受け渡しを行う際、基板受け渡し機構５１により基板支持突起３３を備えた基板支持板５２と基板支持板５３が、上側爪部４３および下側爪部４４を介して搬送アーム４２に支持された基板８に接近する。
つぎに、基板８の下側の端面が基板支持突起３３の上面に支持されたら、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３をさらに基板８に接近させる。
つづいて、基板支持板５２，５３の先端部表面が基板８裏面の周縁部と接することでの基板８の支持と、上側爪部４３および下側爪部４４による基板８の支持が両方ある状態になると、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の基板８への接近が停止され、基板８の裏面と対向電極１２（基板テーブル）の表面との間に所定の隙間が形成される。その後、上側爪部４３が斜め上方に向かって移動するとともに、下側爪部４４が斜め下方に向かって移動し、上側爪部４３が基板８の上辺から離間し、下側爪部４４が基板８の下辺から離間する。
つぎに、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３は基板８とともに搬送アーム４２から離間し、基板テーブル８に接近する。
つづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が対向電極１２の基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１とともに基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム４２から離間させ、搬送アーム４２と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の下側の端面のみが基板支持突起３３の上面と擦れ合うことになるので、それ以外の基板部分（特に、基板８裏面）に擦り傷が付くのを防止することができる。
また、搬送アーム４２と対向電極１２（基板テーブル）との間における基板８の受け渡し時点において、基板８の下側の端面が基板支持板５２に設けた基板支持突起３３の上面に支持されるので、駆動機構１８７により対向電極１２を基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板８の受け渡し時における対向電極１２の位置管理を容易にし、基板支持板５２，５３の位置調整のみで基板受渡し位置を適切な位置への調整を容易なものとすることができ、基板８の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
基板支持突起３３が基板支持板５２の一端部表面に配置されているので、基板８の受渡しがより容易であり、さらに大型サイズの基板に対応することが可能である。
【００７３】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５２，５３の幅と略同じ幅、および基板支持板５２，５３の厚みと略同じ深さを有している凹所３８，３９内に受け入れる基板支持板５２，５３が嵌り込み、基板支持板５２，５３によって凹所３８，３９が埋められる（塞がれる）ことになるので、製膜時に凹所３８，３９の周辺で発生する不均一なプラズマを防止することができ、全体の膜質の均一性を向上させることができるとともに、凹所３８，３９の中に入り込むガス量を少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことを防止することができる。
また、基板テーブルの四隅などに、基板受渡し時の基板を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板の窪み付近の膜質が変化したり、基板の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００７４】
〔第３実施形態〕
本発明の第３実施形態について図１４および図１５を参照して説明する。
図１４は、本実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の部位を示した図、図１５は、図１４の要部を斜め方向から見た斜視図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、基板支持板５２，５３の代わりに基板支持板１４１を備え、凹所３８，３９の代わりに凹所１４２を備えるとともに、基板支持板１４１が微調整ガイド機構（スライド・回動機構）１４３を介してＬ型アングル材５９に取り付けられているという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。
【００７５】
図１４および図１５に示すように、凹所１４２に嵌り込む基板支持板１４１の先端面（Ｌ型アングル材５９に対向する面と反対側の端面）および両側面は、基板支持板１４１の表面の面積が基板支持板１４１の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面１４４とされている。
一方、基板支持板１４１の先端面および両側面と対向して凹所１４２を形成する凹所１４２の壁面（周面）も、基板支持板１４１の先端面および両側面と同じ傾斜を有するテーパー面１４５とされている。
【００７６】
微調整ガイド機構１４３は、スライド板１４６と、一本の締結部材（例えば、皿ねじ）１４７とを備えている。
スライド板１４６の中央部および基板支持板１４１の他端部（基端部）には、Ｙ方向に沿って、締結部材１４７の軸部が貫通する長穴１４８が設けられており、スライド板１４６は基板支持板１４１の上面に固定され、締結部材１４７はＬ型アングル材５９に固定されている。そして、スライド板１４６および基板支持板１４１は、Ｙ軸方向に沿ってわずかにスライド（移動）できるとともに、締結部材１４７の中心線Ｃ回りにわずかに回動できるようになっている。基板支持板１４１の基端部が、対向電極１２の基板受け面に対して、平行を保ちながらわずかに位置変更をすることが可能となる。
【００７７】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板１４１の基端部が、微調整ガイド機構１４３を介して取り付けられているので、各部材の熱膨張等により、対向電極１２と基板受け渡し機構５１との間、より詳しくは、凹所１４２と基板支持板１４１との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板１４１が凹所１４２内に嵌り込む際に、基板支持板１４１が基板受け面のある対向電極１２に対して平行にスライドおよび／または基端部回りに回動することになる。
これにより、各部材の熱膨張等により、対向電極１２と基板受け渡し機構５１との間、より詳しくは、凹所１４２と基板支持板１４１との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、基板支持板１４１を凹所１４２内に円滑に嵌り込ませる（収容させる）ことができ、対向電極１２の凹所１４２と基板支持板１４１との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と対向電極１２の基板受け面との間の隙間を生じることなく、対向電極１２および基板支持板１４１の振動を防止することができて、基板８の脱落や対向電極１２の基板受け面からの浮きあがりを防止することができる。
また、対向電極１２の凹所１４２と基板支持板１４１との間で嵌り込み不良による段差発生により基板裏面と基板受け面との間の隙間をさらに生じることなく、基板支持板１４１と凹所１４２との間の隙間、および基板８裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所１４２の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所１４２の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
その他の作用効果は、上述した実施形態のものと同じであるので、ここではその説明を省略する。
【００７８】
また、本実施形態に係る真空処理装置によれば、凹所１４２に嵌り込む基板支持板１４１の先端面および両側面が、基板８裏面と対向する基板支持板１４１の表面の面積が裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面１４４とされ、基板支持板１４１の先端面および両側面と対向する凹所１４２の壁面が、テーパー面１４４と合致するテーパー面１４５とされ、基板支持板１４１と凹所１４２との間の隙間、および基板８裏面と基板受け面との間の隙間がより小さなものとなるので、製膜時に凹所１４２の周辺で発生する不均一なプラズマをより防止することができ、全体の膜質の均一性をさらに向上させることができるとともに、凹所１４２の中に入り込むガス量をより少なくすることができ、基板８の裏面に余分（不要）な膜が形成されてしまうことをさらに防止することができる。
【００７９】
〔第４実施形態〕
本発明の第４実施形態について図１６および図１７を参照して説明する。
図１６は、本実施形態に係る対向電極と搬送アームとの間における基板の受け渡しを説明するための斜視図、図１７は、対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための模式図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、搬送アーム、対向電極１２、および基板受け渡し機構５１がＸＹ平面に沿って配置され、基板８がＸＹ平面（水平面）上で受け渡されるという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。また、図１７は本実施形態に係る技術的思想を第１実施形態に適用した場合を示す図であり、図面の簡略化を図るため図１７には基板支持板５２，５３のみを示している。
【００８０】
図１６に示すように、本実施形態に係る架台１６１は、その上面に水平面に対して平行な状態で基板８が載置され、その内部に入れ子状に配置された（第１の）アーム支持部１６２の移動レール１６３に対してスライド可能に構成された搬送アーム（搬送部）１６４と、その内部に入れ子状に配置された（第２の）アーム支持部１６５の移動レール１６６に対してスライド可能に構成された（第１の）アーム支持部１６２と、スライドベース１６７の上面にＸ方向に沿って設けられた移動レール４７に対してスライド可能に構成された（第２の）アーム支持部１６５と、移動レール４７と垂直な方向に沿って設けられた移動レール４８（図３参照）に対してスライド可能に構成されたスライドベース１６７とを備えている。
なお、本実施形態において、搬送アーム１６４は上側爪部４３および下側爪部４４を具備しておらず、処理室３（図１から図３参照）、および処理室３の側面に設けられて搬送アーム１６４を受け入れる開口（図３において破線で示す開口に相当）は、本実施形態に適合するよう水平な向きに変更されている。
【００８１】
また、図１７に示すように、本実施形態においては、対向電極１２および基板受け渡し機構５１が、水平面であるＸＹ平面に沿って配置されることになる。
なお、本実施形態において、対向電極１２および基板支持板５２，５３は基板支持突起３３を具備していない。図１７では凹所３８と基板支持板５２、凹所３９と基板支持板５３が、対向電極１２の平行となる一端辺側と他端辺側に４組ずつ記載してあるが、この数量は限定されるものではなく、基板８のサイズに応じて適宜選定できる。
また、本実施形態において、搬送アーム１６４との間で基板８の受け渡しを行う際、駆動機構１８７（図１８参照）により対向電極１２（基板テーブル）所定の位置まで移動させればよい。対向電極１２と基板支持板５２，５３をほぼ一緒に、Ｚ方向に所定の位置まで移動させた後は、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７（図４参照）により、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみがＺ方向に移動させられるようになっている。またラック・アンド・ピニオン５５を長くすることで、対向電極１２（基板テーブル）の所定の位置を待機位置とし、すなわちＺ方向に移動させずに、基板支持板５２，５３およびフレーム５４のみのＺ方向への移動量を大きくして、基板８の受け渡しをすることも可能である。
【００８２】
以下、対向電極１２と架台１６１との間での基板８の受け渡しについて順に説明する。
図１６または図１７に示すように、処理室３内への搬送アーム１６４の進入が完了すると、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が＋Ｚ方向に移動し、搬送アーム１６４の上に載置された基板８に接近する。
【００８３】
つぎに、基板８の平行となる二つの周縁部が基板支持板５２，５３の上面に支持され、基板８が搬送アーム１６４の基板保持部分の上面（図示せず）からわずかに離間したら、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７による基板支持板５２，５３およびフレーム５４のＺ方向への移動が停止され、基板８は基板支持板５２，５３で支持される。その後、搬送アーム１６４、アーム支持部１６２，１６５がＸ方向に沿って縮められ、処理室３内から搬送アーム１６４が退避する。
つづいて、ラック・アンド・ピニオン５５、回転伝達機構５６、およびモータ５７により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して、基板支持板５２，５３およびフレーム５４が−Ｚ方向に移動し、さらにつづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が凹所３８，３９内に収容され、基板８の裏面が対向電極１２の基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を、ほぼ一緒に搬送アーム１６４の受渡し位置から離間させ、待機位置（元の位置）に戻されて、対向電極１２と架台１６１との間での基板８の受け渡し工程が終了する。
【００８４】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、搬送アーム１６４と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを行う際、基板受け渡し機構５１により対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３との隙間を制御しながら、基板支持板５２，５３が、搬送アーム１６４の上に水平の状態で載置された基板８に向かって上昇する。
つぎに、基板８の平行となる二つの周縁部が基板支持板５２，５３の上面に支持され、基板８が搬送アーム１６４の上面からわずかに離間したら、基板受け渡し機構５１による基板支持板５２，５３の移動が停止される。
つづいて、搬送アーム１６４が退避したら、基板受け渡し機構５１により、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して基板支持板５２，５３を下降させ、さらにつづいて、対向電極１２と基板８との隙間を制御しながら、基板８の裏面が基板受け面に接したら、駆動機構１８７により対向電極１２を、基板受け渡し機構５１により基板支持板５２，５３を受渡し位置から離間させ、搬送アーム１６４と対向電極１２との間で基板８の受け渡しを終了する。
このように、本発明に係る真空処理装置によれば、搬送アーム１６４と対向電極１２との間における基板８の受け渡しにおいて、基板８の一つの端面を支持する基板支持突起３３が不要となり、基板８を支持する部材と基板８とが擦れ合うことはないので、基板８部分（特に、基板８の裏面）に擦り傷が付くのをより一層防止することができる。
基板支持突起３３がないので、基板８の受渡しがより容易であり、さらに大型サイズの基板に対応することが可能である。
また、搬送アーム１６４と対向電極１２との間における基板８の受け渡し時点において、駆動機構１８７により対向電極１２を基板間近まで進退させる必要がなくなるので、基板８の受け渡し時における対向電極１２の位置管理を容易にし、基板支持板５２，５３の位置調整のみで基板受渡し位置の適切な調整を容易なものとすることができ、基板８の受け渡し時における動作をより確実なものとすることができる。
さらにまた、対向電極１２（基板テーブル）の四隅などに、基板受渡し時の基板８を支持する可動爪との干渉を避けるための窪みがないので、製膜時に基板８の窪み付近の膜質が変化したり、基板８の裏面の一部に余分（不要）な膜が形成され、外観上の不具合や時として入射光の減少要因となることを防止することができる。
【００８５】
〔第５実施形態〕
本発明の第５実施形態について図１８を参照して説明する。
図１８は、本実施形態に係る対向電極、および対向電極の周囲に配置された基板受け渡し機構の構成を説明するための図であって、図５と同様の部位を示した図である。
本実施形態の製膜装置の基本構成は、前述した実施形態と同様であるが、Ｌ型アングル材５９の代わりにＴ型アングル材１８１を備え、このＴ型アングル材１８１が直動ガイド（スライダー）１８２および引張コイルバネ（付勢部材）１８３を介して平板６０に取り付けられているという点で前述した実施形態のものと異なる。その他の構成要素については前述した実施形態のものと同じであるので、ここではそれら構成要素についての説明は省略する。
なお、前述した実施形態と同一の部材には同一の符号を付している。また、図１８は本実施形態に係る技術的思想を第１実施形態に適用した場合を示す図であり、図面の簡略化を図るため図１８には基板支持板５３のみを示している。
【００８６】
図１８に示すように、Ｔ型アングル材１８１は、基板支持板５２，５３の幅と同じか、あるいは基板支持板５２，５３の幅よりも若干小さい幅を有する断面視Ｔ字形状の板状の部材であり、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４は、基板支持板５２，５３の延在方向と同じ方向に延び、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５は、対向電極１２における基板８と密着する面よりも後側（対向電極１２の裏面（基板８と密着する面と反対側の面）側）に向かって延びている。また、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５の外側面と、平板６０の内側面との間には、基板支持板５２，５３およびＴ型アングル材１８１をＸ方向（平板６０の幅方向）のみに案内する直動ガイド１８２が設けられ、Ｔという字の軸部を形成する部分１８５の端面と、平板６０の幅方向における中央部内側面から突出してＹ方向に沿って延びる断面視矩形状の凸部１８６との間には、基板支持板５２，５３およびＴ型アングル材１８１を凸部１８６の側に付勢する引張コイルバネ１８３が設けられている。
【００８７】
なお、図１８中の符号１８７は、対向電極１２を搬送アーム４２または放電電極１３に対して進退させる駆動機構（直線導入機：直進導入装置）であり、処理室３のケーシング１８８を貫通する直線導入軸（直進導入軸）１８９周りは、真空シール１９０により軸封され、駆動機構１８７を処理室３の外の大気雰囲気下に設置することができる。
また、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４のうち、基板支持板５２，５３が取り付けられた側と反対側の端部と、平板６０の長さ方向に沿って延びる側面とは、互いに接して所定の移動量の限度を制御するストッパーとして機能するようになっている。
【００８８】
本実施形態に係る真空処理装置によれば、基板支持板５３を対向電極１２の側に付勢する引張コイルバネ１８３が設けられ、対向電極１２（基板テーブル）と基板支持板５２，５３を各々駆動させる機構間の緩衝を抑制し、対向電極１２と基板支持板５２，５３が、ほぼ一緒に移動することに効果を発揮する。
基板８を搬出のために、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２の側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも早くなったとしても、その差は付勢手段の引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。また基板を受け取り後に、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２と離間する側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも遅くなったとしても、その差は付勢手段の引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。
また、Ｔという字の頂部を形成する部分１８４のうち、基板支持板５２，５３が取り付けられた側と反対側の端部と、平板６０の長さ方向に沿って延びる側面とは、互いに接して所定の移動量の限度を制御するストッパーとなる。対向電極１２と、基板支持板５２，５３とが、引張コイルバネ１８３により緩衝機能を保持しながら密着し、対向電極１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御して基板支持板５２，５３を移動させる際には、このストッパーにより確実に平板６０の移動を基板支持板５２，５３の移動とさせることが可能となる。
これにより、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、ともに搬送アーム４２との間で移動する際に、対向電極１２と基板支持板５２，５３の移動速度の差が若干発生しても、対向電極１２と基板支持板５２，５３に生じる隙間は、両者が密着すようとする付勢力により、所定の隙間値より大きく変化しない。このため基板支持板５２，５３が対向電極１２と離れて基板８が基板支持突起３３から脱落することを防止でき、さらに対向電極１２および基板支持板５２，５３の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板８の脱落を防止することができる。
さらにまた、対向電極１２を放電電極１３の側に移動させて製膜位置を少量補正するような場合に、駆動機構１８７による対向電極１２の移動量が、基板受け渡し機構５１による基板支持板５３の移動量よりも大きくなったとしても、その差は引張コイルバネ１８３の弾性力により吸収されることになるので、処理室３における基板受渡し位置の再調整を実施しないままでも、基板支持板５３に過大な力が加わるのを防止することができ、対向電極１２および基板支持板５３の振動を防止することができて、基板８の脱落を防止することができるので、メンテナンス調整時間と手間を短縮可能となる。
【００８９】
ここで、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種変更・変形が可能である。
例えば、前述した実施形態において、モータ５７と軸シール７０との間に位置する回転軸６８に、所定の負荷以上の回転力が作用すると滑りを生じる図示しないクラッチ（滑り機構）が配置されているとさらに好適である。
すなわち、対向電極１２と、基板支持板５２，５３およびフレーム５４とが、搬送アーム４２または放電電極１３の方へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３およびフレーム５４の移動速度よりも早くなったとしてもクラッチの滑り機構のところで滑りが生じ、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。また基板８を受け取り後に、対向電極１２と基板支持板５２，５３とが、搬送アーム４２と離間する側へ移動する際に、対向電極１２の移動速度が、基板支持板５２，５３の移動速度よりも遅くなったとしてもクラッチの滑り機構のところで滑りが生じ、対向電極１２の移動が妨げられないようになっている。
これにより、基板支持板５２，５３が対向電極１２と離れて基板８が基板支持突起３３から脱落することを防止でき、さらに対向電極１２および基板支持板５２，５３の移動時の相互干渉による振動を防止することができ、基板８の脱落を防止することができる。
【符号の説明】
【００９０】
１ 製膜装置（真空処理装置）
８ 基板
１２ 対向電極（基板テーブル）
３３ 基板支持突起
３８ 凹所
３９ 凹所
４２ 搬送アーム（搬送部）
４３ 上側爪部
４４ 下側爪部
５１ 基板受け渡し機構
５２ 基板支持板
５３ 基板支持板
１４１ 基板支持板
１４２ 凹所
１４３ 微調整ガイド機構（スライド・回動機構）
１４４ テーパー面
１４５ テーパー面
１６４ 搬送アーム（搬送部）
１８３ 引張コイルばね（付勢部材）
１８７ 駆動機構
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起と、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所とが設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板支持板の少なくとも２つには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起が設けられ、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
水平面に対して平行な状態で基板を搬送する搬送部と、水平面に対して平行に延び、鉛直方向に対して上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して、前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
前記基板テーブルと前記基板支持板とが、ともに前記搬送部との間で移動する際に、前記基板テーブルと前記基板支持板の移動速度の差により、前記基板テーブルと前記基板支持板の隙間が変化しないように、前記基板受け渡し機構に前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記凹所が、受け入れる前記基板支持板の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、および前記基板支持板の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記基板支持板の基端部が、前記基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられ、前記凹所に嵌り込む前記基板支持板の先端面および両側面が、前記基板裏面と対向する基板支持板の表面の面積が基板支持板の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面とされていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記基板支持板の先端面および両側面と対向する前記凹所の壁面が、前記テーパー面と合致するテーパー面とされていることを特徴とする請求項６に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記基板支持板を前記基板テーブルの側に付勢する付勢部材が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項１】
鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起と、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所とが設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
鉛直方向に対して斜めの状態で基板を搬送する搬送部と、鉛直方向に対して斜めに延び、鉛直方向に対して斜め上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の斜め下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板支持板の少なくとも２つには、前記基板受け面に配置される前記基板の下側の端面を支持する基板支持突起が設けられ、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
水平面に対して平行な状態で基板を搬送する搬送部と、水平面に対して平行に延び、鉛直方向に対して上側を向いた基板受け面に前記基板が配置される基板テーブルとの間で、前記基板の受け渡しが行われる真空処理装置であって、
前記基板の下側を向いた基板裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板を備えた基板受け渡し機構により、前記基板テーブルと前記基板との隙間が制御され、前記基板テーブルには、前記基板支持板を受け入れる複数の凹所が設けられ、前記基板の受け渡し時に、前記搬送部に対して、前記基板テーブルが駆動機構により進退可能に構成されているとともに、前記搬送部に対して前記基板支持板が前記基板受け渡し機構により進退可能に構成され、前記基板受け渡し機構は、前記基板テーブルと前記基板支持板との隙間を制御することで前記基板テーブルと前記基板との隙間を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
前記基板テーブルと前記基板支持板とが、ともに前記搬送部との間で移動する際に、前記基板テーブルと前記基板支持板の移動速度の差により、前記基板テーブルと前記基板支持板の隙間が変化しないように、前記基板受け渡し機構に前記基板テーブルに追従する移動を許容する滑り機構を具備していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記凹所が、受け入れる前記基板支持板の幅と同じ幅から＋１％広い幅の間にあり、および前記基板支持板の厚みと同じ深さから＋５％深さの間にあることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記基板支持板の基端部が、前記基板受け面に対して平行に位置変更するスライド・回動機構を介して取り付けられ、前記凹所に嵌り込む前記基板支持板の先端面および両側面が、前記基板裏面と対向する基板支持板の表面の面積が基板支持板の裏面の面積よりも大きくなるように形成されたテーパー面とされていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記基板支持板の先端面および両側面と対向する前記凹所の壁面が、前記テーパー面と合致するテーパー面とされていることを特徴とする請求項６に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記基板支持板を前記基板テーブルの側に付勢する付勢部材が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１１−２３３８２３（Ｐ２０１１−２３３８２３Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０５２０２（Ｐ２０１０−１０５２０２）
【出願日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【出願人】（０００００６２０８）三菱重工業株式会社 (10,378)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【出願人】（０００００６２０８）三菱重工業株式会社 (10,378)
【Ｆターム（参考）】
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