【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光を導波するための光導波路２と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体３ａ及び接地導体３ｂ、３ｃからなる電極とからなる光変調器５０と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端２１と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体７と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、終端抵抗１３とコンデンサ１４とを含んでおり、前記終端抵抗と前記電極の前記中心導体との間からバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】単一的な手段による、かつ連続的に一連のマーカ操作の中で粗調整、微調整を切り替え可能にして、波形マーカの位置（移動）調整をスムースに行う。
【解決手段】規定情報記憶部２４は、表示部１１の測定波形を表示している波形表示領域に、マーカ操作による操作量に対応する波形マーカの移動変化量をその大小の順に複数段階に規定する規定情報を縦軸方向の相対距離と対応させて記憶しておき、操作者によるマーカ操作により指針１５０を縦軸方向へ移動させたときは、相対距離検知部２３が検知した相対距離に対応する変化量と、次に横軸方向へ指針が移動されたときに相対距離検知部２３が検知した移動量と、を基に波形マーカの移動量を決定して移動させる構成とした。 （もっと読む）

【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると，半導体ゲインチップ11の前方端面および後方端面から光が出射する。後方端面からの光はフォトダイオード14に入射して受光電流Ｉｍを出力する。受光電流Ｉｍは，サーミスタ13の近傍に設けられた薄膜抵抗17に通電され，これによって薄膜抵抗17が加熱される。薄膜抵抗17からの熱がサーミスタ13に伝達される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界吸収型光変調器の光ゲート動作の時間幅を短縮することにある。
【解決手段】本願発明のサンプリング波形測定装置１０１は、光パルスＰｓを発生する光パルス発生器１１と、被測定光信号Ｐｘ及び光パルスＰｓが入力されて光信号Ｐｙを出力する電界吸収型光変調器１２と、電界吸収型光変調器１２から出力された光信号Ｐｙを電気信号Ｄｙに変換する受光器１５と、を備え、光パルスＰｓが入力された際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定するサンプリング波形測定装置１０１において、光ゲート動作の立ち下がり速度を速めるゲート幅調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に入力するゲート幅調整手段１６を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長固定の分岐器を介して接続したＷＤＭ−ＰＯＮシステムの障害検知を、インサービスの状態で実現できるようにする。
【解決手段】線路カプラ２１を介してＷＤＭ−ＰＯＮシステムの共通光ファイバ線路１７を伝送する信号光Ｐｃを受け、信号光スペクトラム検出部３０によってそのスペクトラムを検出する。制御部５０は、そのスペクトラム検出結果に基づいて、共通光ファイバ線路１７を伝送していない信号光波長があれば、それを試験波長と決定して、その試験波長による測定を光反射測定部４０に指示する。光反射測定部４０は、試験波長の光パルスＰｏを共通光ファイバ線路１７へ入射し、その光パルスＰｏに対するＷＤＭ−ＰＯＮシステムからの戻り光Ｐｒを受光して、共通光ファイバ線路１７から試験波長に対応した個別光ファイバ線路１８に至る光路の伝送損失特性を求める。 （もっと読む）

【課題】上位プロトコルを含むパターンの発生を可能にする。
【解決手段】使用プロトコルとフレーム長、ペイロードへの付加情報、レート情報を入力し、これらの情報に基づくフレームパターンをフレームパターンメモリ４ａに設定記憶し、フレーム発生方法に関する情報をフレーム制御メモリ４ｂに設定記憶する。フレーム制御メモリ４ｂの最小フレーム長情報と実際の発生フレーム長情報とを用いて最小長からの増加フレーム長を演算し、この演算した増加フレーム長を用いてフレーム内のレングスフィールドおよびチェックサムフィールドを書き換え処理する。その後、ペイロード部分についてチェックサム計算を行い、その計算結果がＦＦＦＦ（ｈ）となるように試験用特殊パターンのエリアに補正値を付加してフレームパターンを出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、多量子井戸構造の電界吸収型光変調器を用いた光サンプリングにおいて高いＳ／Ｎ比と短いゲート幅を両立することにある。
【解決手段】本願発明のサンプリング波形測定装置１０１は、光パルス発生器１１と、電界吸収型光変調器１２と、受光器１５と、を備え、光パルスＰｓが入力された際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定するサンプリング波形測定装置１０１において、電界吸収型光変調器１２の逆バイアス電圧を高くするバイアス調整用電気パルスＶｐｍを、少なくとも光ゲートが開いている間、電界吸収型光変調器に入力するバイアス調整手段（１６）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データフレームの受信状態の試験に関する情報の記憶容量削減と試験時間短縮を図るとともに、フレーム間の送信間隔やフレーム長などの情報の分布頻度を知得する。
【解決手段】試験用のデータフレームを被試験デバイスに対して送信し、送信したデータフレームを被試験デバイスを介して受信したデータフレームのフレーム状態情報を抽出し、この抽出したフレーム状態情報のうち選択項目情報に基づくフレーム状態情報を分布情報として選択する。そして、選択した分布情報を分布振分情報に基づき振り分け処理をし、振分用分布テーブルの分解能範囲に該当するエリアのカウント値を加算処理するとともに、記憶された振分用分布テーブルの各分解能範囲におけるカウント値を分布頻度情報として読み出して分布テーブルや分布頻度グラフの表示を行う。 （もっと読む）

【課題】被測定光の光スペクトラムの良否判定を簡単かつ迅速に行う。
【解決手段】算出処理部１４は、入力部１２から入力される変調方式とビットレートと信号光中心波長の情報に基づいて基準となる信号光スペクトラムを算出する。判別部は、算出された基準となる信号光スペクトラムに対する光雑音レベルを第１の判定基準とするとともに、信号光スペクトラムに対するレベル方向及び波長方向の許容範囲を第２の判定基準とし、被測定光の光スペクトラムを第１の判定基準及び第２の判定基準と比較し、第１の判定基準及び第２の判定基準に対する被測定光の光スペクトラムの合否を判定する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを用いた基板間の接続による高周波電気信号の伝達ロスを低減する。
【解決手段】ケース本体２２の側面に固定された同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと、中継基板５０の伝送線路５１の中心ピン側である一方の端部５１ｂとの間が電気的に接続固定されている。中継基板５０の変調回路基板３０側の側部は、ケース本体２２の突出部２２ｂの上に固定された変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１の他方の端部５１ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１とが半田バンプ７５によって接続されている。中継基板５０は、同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと変調回路基板３０とによって支持されている。 （もっと読む）