【課題】被測定光の光スペクトラムの良否判定を簡単かつ迅速に行う。
【解決手段】算出処理部１４は、入力部１２から入力される変調方式とビットレートと信号光中心波長の情報に基づいて基準となる信号光スペクトラムを算出する。判別部は、算出された基準となる信号光スペクトラムに対する光雑音レベルを第１の判定基準とするとともに、信号光スペクトラムに対するレベル方向及び波長方向の許容範囲を第２の判定基準とし、被測定光の光スペクトラムを第１の判定基準及び第２の判定基準と比較し、第１の判定基準及び第２の判定基準に対する被測定光の光スペクトラムの合否を判定する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを用いた基板間の接続による高周波電気信号の伝達ロスを低減する。
【解決手段】ケース本体２２の側面に固定された同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと、中継基板５０の伝送線路５１の中心ピン側である一方の端部５１ｂとの間が電気的に接続固定されている。中継基板５０の変調回路基板３０側の側部は、ケース本体２２の突出部２２ｂの上に固定された変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１の他方の端部５１ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１とが半田バンプ７５によって接続されている。中継基板５０は、同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと変調回路基板３０とによって支持されている。 （もっと読む）

【課題】光パルス試験の最中に、試験対象の光ファイバ線路を伝送する通信光等の外乱光のレベル監視を定常的に行い、測定誤りを防ぎ、光通信器の故障させないようにする。
【解決手段】パルス光源２１から光パルスＰｏを光ファイバ線路１に出射してから第１期間の間に第１のカプラ２２に戻ってくる光を第２のカプラ２３に入射させ、その第２のカプラ２３から高い透過率で出射する第１の光成分Ｐｂを特性算出手段３１へ入射して光ファイバ線路１の特性検出に必要な処理を行う。また第１期間が経過してから次の光パルス出射までの第２期間に、第２のカプラ２３から低い透過率で出射される第２の光成分Ｐｃを強度検出手段３２に入射してその強度Ｗｘを検出し、比較手段３３で基準値Ｗｒと比較する。制御手段３５は、この比較結果に基づいて光パルス試験に必要な光パルスの出射と特性算出処理の中断、再開の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】測定効率を向上させ、波長変化がなく、低コストに構成できるようにする。
【解決手段】パルス光源２１から出射された光パルスＰｏは、カプラ２２を介して光ファイバ線路１に入射され、その戻り光Ｐａがカプラ２２からカプラ２３に入射されて戻り光成分Ｐｂ、Ｐｃに分岐され、受光器２５、２６にそれぞれ入射する。信号処理部３０は、光パルスＰｏ出射時から一定時間が経過するまでの期間に、受光器２５、２６が出力する信号Ｖｂ、Ｖｃを受けて光ファイバ線路１の特性を求める。ここで、戻り光Ｐａの強度範囲を、遠端のレイリー散乱光成分のレベルを含む低レベル領域と、全反射成分のレベルを含む高レベル領域とに分け、受光器２５の出力信号Ｖｂ中の低レベル領域の戻り光成分および受光器２６の出力信号Ｖｃ中の高レベル領域の戻り光成分が共にノイズレベルより高く且つ非飽和となるように、光パルスの強度、第２のカプラ２３の分岐比、受光器２５、２６の利得が設定されている。 （もっと読む）

【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると，半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ４中のＦＢＧ４ａによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。ＴＥＣ15上に，半導体ゲインチップ11および温度を測定するサーミスタ13が設けられている。半導体ゲインチップ11に電流が通電されると，同時にサーミスタ13の上面の薄膜抵抗39にも電流が通電される。サーミスタ11はサブマウント21を介して加熱されるとともに，薄膜抵抗39によっても加熱される。半導体ゲインチップ11とサーミスタ13の温度の乖離幅が小さくなる。サーミスタ13を所定温度に保つと，半導体ゲインチップ11（その活性層）の温度も所定温度に保たれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速での偏光解析と安定した平均ＤＯＰ測定に関し、高精度に偏波状態や偏光度を測定することができる偏波解析装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の偏波解析装置９１は、ＳＯＰモニタ部１４と、サンプリングホールド部１６と、ＡＤ変換器１８と、ＡＤ変換器１８でデジタル変換したデータからストークスパラメータ（Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３）を算出する演算処理部１９と、帯域可変ローパスフィルタ２１を備え、帯域可変ローパスフィルタ２１のカットオフ周波数を被測定光の偏波状態が変化する周波数よりも高周波数に設定して被測定光のストークスパラメータの測定を行い、帯域可変ローパスフィルタ２１のカットオフ周波数を被測定光の偏波状態が変化する周波数よりも低周波数に設定して検出した被測定光の平均信号強度から平均ストークスパラメータを測定して平均ＤＯＰを算出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１台で、各種変調方式の変調光を生成することができる光変調信号発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の光変調信号発生装置９１は、ＤＰＳＫ変調又はＤＱＰＳＫ変調を行うＤＱＰＳＫ変調部１２と、ＲＺ変調又はＣＳＲＺ変調を行うＲＺ／ＣＳＲＺ変調部１４と、を備え、Ｉ信号生成用のＡＢＣ３７、Ｑ信号生成用のＡＢＣ３８及びＲＺ／ＣＳＲＺ信号生成用のＡＢＣ５３のバイアス電圧の設定を可変し、かつ、Ｉ信号生成用のドライバ３５、Ｑ信号生成用のドライバ３６及びＲＺ／ＣＳＲＺ信号生成用のドライバ５１、５２の出力信号を可変することにより、ＯＯＫ変調方式、光デュオバイナリ変調方式、ＤＰＳＫ変調方式、ＤＱＰＳＫ変調方式、ＲＺ−ＤＰＳＫ変調方式、ＣＳＲＺ−ＤＰＳＫ変調方式、ＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調方式、及び、ＣＳＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調方式、のいずれかの変調方式の変調光を生成することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると，半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ４中のＦＢＧ４ａによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。ＴＥＣ15上に，半導体ゲインチップ11および温度を測定するサーミスタ13が設けられており，ＴＥＣ15はサーミスタ13の温度が所定温度に保たれるように制御される。半導体ゲインチップ11およびサーミスタ13は共通のサブマウント21上に配置されており，かつヒートパスワイヤ46によって接続されている。サブマウント21およびヒートパスワイヤ46を介して半導体ゲインチップ11の熱がサーミスタ13に伝達される。サーミスタ13を所定温度に保つと，半導体ゲインチップ11（その活性層）の温度も所定温度に保たれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精度に偏波状態や偏光度を測定することができる偏波解析装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、本願発明の偏波解析装置９１は、無偏光の光を出力する無偏光光源１１と、該無偏光光源１１の出力光と被測定光が入力されて選択して出力する光スイッチ１３と、該光スイッチ１３の出力光が入力され偏波状態を測定するＳＯＰモニタ部１４と、該ＳＯＰモニタ部１４から出力される信号をＡＤ変換するＡＤ変換器１６と、該ＡＤ変換データからストークスパラメータ（Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３）を算出するとともに、無偏光光源１１の光を入力した状態でＳＯＰモニタ部１４のゼロ点校正を行う演算処理部１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】楕円球型の結合器を用い、任意形状のアンテナの放射効率を精度よく求める。
【解決手段】楕円をその２つの焦点Ｆ１、Ｆ２を通る軸を中心に回転して得られる楕円球状の閉空間１２の焦点Ｆ１の近傍に被測定アンテナ１を配置し、焦点Ｆ２の近傍に受信アンテナ１５を配置し、被測定アンテナ１に励振信号を供給し、受信アンテナ１５の出力信号を閉空間１２から出力させる。被測定アンテナ１と受信アンテナ１５の少なくとも一方を２つの焦点を通る軸に沿って互いの間隔が変化するように移動させながら、被測定アンテナ側から見た反射率と透過率の少なくとも一方および被測定アンテナの純抵抗分を測定し、その測定結果から反射最小を示す位置における被測定アンテナ１の純抵抗分Ｒｍと、反射最大を示す位置における被測定アンテナ１の純抵抗分Ｒｉとを求め、次の演算、η_ｒ＝１−（Ｒｉ／Ｒｍ）によって、被測定アンテナ１の放射効率η_ｒを算出する。 （もっと読む）