説明

セントラル硝子株式会社により出願された特許

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【課題】良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる方法、その為の保護膜およびその材料を提供する。
【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物およびそれを含む保護膜を用いる。


(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3は炭素数1〜12のアルキレン基又はアルキリジン基、R4、R5は炭素数1〜12のアルキレン基。a,b1,b2は0<a<1、0≦b1<1、0≦b2<1、0<b1+b2<1、0<a+b1+b2≦1の範囲である。nは1又は2。) (もっと読む)


【課題】Zr系フッ化物ガラスにErとCeを共添加するガラス組成物において、高品質なファイバーを安定に製造することが望まれている。
【解決手段】ガラスを構成する陽イオンが、モル%表示で、Zr,Hfから選ばれる少なくとも1種類以上の元素:45〜70%、及びAl,Ga,Inから選ばれる少なくとも1種類以上の元素:0〜15%、及びBa,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも1種類以上の元素:10〜40%、La:0〜15%、R:0.01〜15%(Rは、Sc,Y,Gd,Luから選ばれる少なくとも1種類以上の元素を示す)、Er:0.001〜15%、Ce:0.01〜15%、かつ(La+R+Er+Ce)≦15%、Li,Na,K,Cs,Rb,Pb,Gd,Znから選ばれる少なくとも1種類以上の元素:0〜30%の範囲からなり、ガラスを構成する陰イオンが、モル%表示でF:100-x%、Cl,Br,Iから選ばれる少なくとも1種類以上の元素:0〜10%(ただしxはCl,Br,Iのモル%)の範囲からなることを特徴とするハロゲン化物ガラス組成物。 (もっと読む)


【課題】 欠陥の検出と同時に欠陥の表裏判別を行う簡便なガラス基板欠陥の表裏識別方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板の表裏いずれかに欠陥が存在するかを識別するガラス基板欠陥の表裏識別方法であって、搬送されるガラス基板より間隔を空けて設けた検査光源より照射された検査光をガラス基板に対する入射角度を一定にして照射し、表面欠陥は、ガラス基板より間隔を空けて設けた検出カメラが欠陥による前記検査光の散乱を検知する際に、表面欠陥による検査光の散乱を検出カメラが検知し、更に前記散乱による散乱光がガラス基板内部を伝播し裏面反射したものを検出カメラが検知することで2回検出され、裏面欠陥は、ガラス基板内部に入射した検査光の裏面欠陥による散乱を検出カメラが検知し1回のみ検出されることによりガラス基板欠陥の表裏識別を行うことを特徴とするガラス基板欠陥の表裏識別方法。 (もっと読む)


【課題】 半導体製造における成膜原料、あるいはNMR測定時の標準物質として有用なテトラオルガノシランの製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式RSiで表されるテトラオルガノシランを製造する方法において、銅または銅含有化合物を触媒として用い、一般式RXで表されるオルガノハライド化合物と、ケイ素またはケイ素含有化合物、およびアルミニウムとを、200〜350℃の温度範囲で反応させる。
ただし、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数6〜7のアリール基、Xは、ハロゲン元素をそれぞれ表す。 (もっと読む)


【課題】トップコートをフォトレジスト表面にコーティングする方法において、露光部、非露光部ともに同様な速度で、かつ短時間で現像液に溶解するコーティング膜をレジスト膜上にコーティングすることによるレジスト膜と環境又は水と遮断する方策を提供する。
【解決手段】保護しても良いフルオロカルビノール基、スルホン酸基、フルオロアルキルスルホン酸基、カルボキシル基を一種以上分子内に有し、かつアルカリ現像液に溶解する高分子を、アルカン類炭化水素溶媒が40重量%以上含有される有機溶媒に溶解し、フォトレジスト膜上に塗布するリソグラフィー用トップコート膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】印刷により透明板状体の表面の一部に塗膜が形成される印刷部と、塗膜が形成されていない非印刷部とを、検査の対象にして、印刷部のピンホールやかすれなどの印刷欠陥と、非印刷部分の印刷汚れを検出する方法および装置を提供する
【解決手段】透明板状体の表面の一部に印刷により着色膜あるいは導電線を形成した印刷物を散乱光を用いて印刷物を照明してCCDカメラで撮像し、画像を暗部と明部とに2値化処理する。2値化処理した明部と暗部の面積を、予め与えられている基準面積と比較し、該基準面積よりもよりも小となるときの明部あるいは暗部を、印刷欠陥あるいは印刷汚れとして検出する。 (もっと読む)


【課題】 窒素酸化物、窒素酸化ハロゲン化物、窒素フッ化物、及びそれらのハロゲン化水素との複合体ガスを高効率に分解する方法を提供する。
【解決手段】 NOx、NOxAy、HNOx、NOx・nHA、NOxAy・nHA、HNOx・nHA、またはこれらの混合物ガスを分解するに際し、該ガスを含むガスにF2ガスとHFガスを添加し混合雰囲気中50℃以上の温度で分解する。
ただし、Aは、ハロゲン、x≧0.5、y>0、nは、1〜12の整数をそれぞれ表す。 (もっと読む)


【課題】 医・農薬中間体、溶剤として有用な3−ホルミル−5−トリフルオロメチルベンゾニトリル誘導体を工業的規模で製造する方法を提供する。
【解決手段】3−ジハロゲノメチルベンゾトリフルオリドを臭素化して1−ブロモ−3−ジハロゲノメチルベンゾトリフルオリドを得る。次いでこれを加水分解して、1−ブロモ−3−ホルミル−5−トリフルオロメチルベンゼンを得る。次いでこれをオキシム化し脱水して3−ブロモ−5−トリフルオロメチルベンゾニトリルを得る。次いでこれを3−トリフルオロメチル−5−シアノフェニルマグネシウムハライドに変換した後、ホルミル化して3−ホルミル−5−トリフルオロメチルベンゾニトリルを得る。次いでこれを還元して3−ヒドロキシメチル−5−トリフルオロメチルベンゾニトリルを得る。最後にこれを臭素化して3−ブロモメチル−5−トリフルオロメチルベンゾニトリルを得る。 (もっと読む)


【課題】 高い溶解性、イオン伝導度に優れた非水系の電気化学キャパシタ用電解液及びそれを用いた電気化学キャパシタを提供する。
【解決手段】 一般式(1)で示される化学構造式よりなる化合物を、0.6〜3.0mol/lの濃度で非水溶媒に溶解した電気化学キャパシタ用電解液。
【化1】


ただし、Mは、遷移金属、周期律表の13族、14族、または15族元素、Aa+は、オニウムイオン、Rは、C〜C10のアルキレン、C〜C10のハロゲン化アルキレン、C〜C20のアリーレン、またはC〜C20のハロゲン化アリーレン、Rは、ハロゲン、C〜C10のアルキル、C〜C10のハロゲン化アルキル、C〜C20のアリール、C〜C20のハロゲン化アリール、またはXを表す。 (もっと読む)


【課題】それぞれ移動自在な複数枚のガラス板で構成した間仕切り壁の所望のいずれか一部または全部を開閉自在とすることができ、ガラス板の縦側辺をフレームレスとしてガラス板の開口面積を大きくしてガラス板の持つ透明感を最大限に引き出し、さらに、ガラスパネル間の隙間からの音の侵入を防ぎ、ガラスパネルの移動時にガラスパネル同士の衝突による破損を防止する。
【解決手段】室内の天井部に固着したレール3に沿って走行自在な吊下金具6より垂下する吊下ボルト7に支持金具10を固定し、該支持金具10でガラスパネル2の上端を締付固定して金属フレームレスのガラスパネル2を吊下げ支持する移動式間仕切り壁において、隣接するガラスパネル2の縦辺端面の召合せ部の上下全長にわたって遮音用のゴム部材4を貼着し、ガラスパネルを閉状態にした時に前記ゴム部材同士を圧縮または密着状態にした。 (もっと読む)


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