【課題】 データに応じた電荷が、ランダムアクセス等に起因する干渉によってリークしないようする。
【解決手段】 書込ワード線ＷＷｒｄの指示によって書込ビット線ＷＢｉｔのレベルに対応して電荷を蓄積する一方、読出ワード線ＲＷｒｄの指示によって蓄積した電荷に応じて読出ビット線ＲＢｉｔのレベルを遷移させる半導体メモリーセルにおいて、書込ワード線ＷＷｒｄを、接地線ＧＮＤと読出ワード線ＲＷｒｄとの間に配列させる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いた半導体プロセスにおける電子シェーディングダメージの測定に関し、サンプルの作成コストが低く、かつ十分な精度を与えることのできる電子シェーディングダメージ測定方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ（Ｏ）Ｎ層とＷＳｉ₂ 層の積層の上に高密度パターンと低密度パターンを有するレジストパターンを形成する。低密度パターンで積層のエッチングを終了した後、ＨＢｒ単独、ハロゲン系ガス＋酸素ガス、フッ素系ガスのいずれかによるプラズマを所望の時間長行い、電子シェーディングダメージを与える。このプラズマ処理ではＴｉ（Ｏ）Ｎ層はほとんどエッチングされない。電子シェーディングダメージは、ＭＮＯＳキャパシタのフラットバンド電圧の変化によって測定する。 （もっと読む）

【課題】 リチウム二次電池として用いたときにデンドライトの生成の抑制が可能で、高い機械的強度を有し、かつ高いイオン伝導性を有する高分子固体電解質を得る。
【解決手段】 発泡フィルムに、リチウム塩からなる電解質溶液を含浸してなる高分子固体電解質、またはリチウム塩が溶解されている発泡フィルムに、上記電解質溶液を含浸してなる高分子固体電解質を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高速処理が可能でケースに応じた適切な精度のフォグ処理が実現できるフォグ効果付与装置を提供する。
【解決手段】 フォグ効果付与回路２は、三次元画像空間上に位置するフラグメントに対し、その位置に応じた割合でフォグ処理を施す。フォグ効果付与回路２は、三次元画像空間における視点と表示すべきフラグメントとの距離Ｚ、フォグの色情報Ｃｆ、フラグメントの色情報Ｃｉ及びその他のフォグ効果に影響を与えるパラメータdensity，start，endを入力パラメータとし、フラグメントをフォグ処理して得られた色情報Ｃを出力データとするＲＯＭテーブルからなる。 （もっと読む）

【課題】 サービス対価の設定に関してフレキシビリティに富んだサービス提供システム、貨幣集計機及びサービス提供装置を提供する。
【解決手段】 通知モードにおいて、コインボックスは、サービス提供装置から供給されるパルスに応答して残クレジット数に対応する数の通知パルスを出力し（ステップＳ２３〜Ｓ２６）、サービス提供装置は、この通知パルスをカウントすることにより残クレジット数を検知する。また、課金モードにおいて、コインボックスは、サービス提供装置から出力されるパルスを検出すると、このパルスを１つ検出する毎に残クレジット数を１つずつダウンカウントする（ステップＳ２７〜Ｓ２９）。こうして、コインボックスにおける残クレジット数をサービス対価に相当するパルス数だけ減数することにより課金を行う。 （もっと読む）

【課題】 サンプル作成コストが低く、十分な精度が得られる電子シェーディングダメージ測定方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型Ｓｉ基板１上に酸化膜３／窒化膜４／電極５を積層した第１積層キャパシタ構造に定電流源６から電流を流し、サンプルのＣ−Ｖ特性を測定する。電流ストレス印加前後のＣ−Ｖ特性はそれぞれ曲線ＣＯＣＩで示され、また印加前後のフラットバンド電圧はＶｆｂ０、Ｖｆｂ１で示される。ストレス印加による該電圧変化量ΔＶｆｂは流した電荷量Ｑの関数として得られる。従って同一構成のサンプルを用い測定対象のプロセスを行ない、フラットバンド電圧変化量を測定すれば、プロセス中に酸化膜に流れた電荷量を推定できる。 （もっと読む）

【課題】 サンプルの作成コストが低く、かつ十分な精度を与えることのできる電子シェーディングダメージ測定方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に導電層／窒化膜／酸化膜を積層した第１キャパシタ構造に強制的に電流を流したときの注入電荷量に対するフラットバンド電圧の変化を測定した特性曲線を準備しておく。半導体基板上に導電層５／窒化膜４／酸化膜３を積層した第２キャパシタ構造を準備し、その上に導電層５に接続される導電性のアンテナ層１２を形成し、ドライエッチングを行ない、アンテナ層１２を完全に除去する。このとき、ドライ処理工程前後の第２キャパシタ構造のフラットバンド電圧を測定し、その変化を算出する得られたフラットバンド電圧の変化から、前記特性曲線を用いて、ドライ処理工程で第２キャパシタ構造に注入された電荷量を推定する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に付着させるハンダの量が微小であっても、その量のばらつきを防止することができると共に、ハンダによる半導体素子と基板の回路との間の接続不良を防止することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ハンダシート６をダイ５上に載置した後、パンチピン３をハンダシート６に向けて下降させることにより、微小ハンダ粒を打ち抜き、この微小ハンダ粒をダイ５のパンチ穴５ａ内に配置されている押しピン４上に落下させる。その後、ハンダシート６をダイ５上から取り除き、パンチピン３とダイ５との間に基板７を配置する。そして、パンチ穴５ａに配置されている押しピン４を基板７に向けて上昇させることにより、前記微小ハンダ粒を押しピン４で下方から押し上げ、この微小ハンダ粒を基板７の下面に圧接させて付着させる。 （もっと読む）