【課題】 遠隔地において、レーザ装置の状態を示す情報を、予め設定されるイベント毎にデータ収集することにより、消耗部品の寿命の予測やレーザ装置のトラブルの事前予測を行うことのできるレーザ装置管理システムを提供すること。
【解決手段】 レーザ装置２を制御しているレーザ制御装置１０は、例えば一定の放電パルス数発生など予め設定された特定のイベントが発生する毎に、当該レーザ装置２の状態を示す状態情報をレーザ装置２から取得して、監視端末２０へ送信する。監視端末２０は、受信した状態情報を通信回線５０を介してサーバ装置３０へ転送する。サーバ装置３０では、転送された状態情報を基に、自己内のデータベースを変更すると共に出力情報を生成する。この出力情報は、通信回線５０を介して表示端末４０に入力され、ここで表示される。 （もっと読む）

【課題】短パルス化とマルチライン発振を同時に達成するＥＵＶ光源装置用ドライバーレーザを実現する。
【解決手段】このドライバーレーザは、（ｉ）連続発振を行うレーザ共振器の内部においてレーザ光を短パルス化して、短パルス化されたレーザ光をレーザ共振器の外部に出力する短パルス化手段と、レーザ共振器におけるレーザ光の発振スペクトルのエネルギーピーク値を示す発振スペクトル成分の強度を抑制する波長依存透過率を有する光学素子と、短パルス化手段を５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの繰り返し周波数で活性化及び非活性化させる繰り返し手段とを有する短パルス・マルチライン発振ＣＯ_２レーザ発振器と、（ii）該短パルス・マルチライン発振ＣＯ_２レーザ発振器から出力される短パルス化されたレーザ光を入力し、該レーザ光を増幅して出力する少なくとも１つの増幅器とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ドロップレットの位置を検出する。
【解決手段】ドロップレット生成及び検出装置は、帯電ドロップレットを出力するドロップレット生成器と、帯電ドロップレットの軌道の近傍に配置された磁気回路であって、導電体のコイルを含む磁気回路と、コイルに流れる電流を検出して検出信号を出力する電流検出器と、を含む少なくとも一つのドロップレットセンサと、検出信号に基づいて帯電ドロップレットを検出する信号処理回路と、を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザ光のパルスエネルギーを制御する。
【解決手段】レーザシステムは、それぞれ異なる波長のパルスレーザ光を出力するように構成された複数のマスタオシレータと、前記パルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも1つの増幅器と、前記複数のマスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路上の少なくともいずれかに設置され、供給される電圧によって入力されるパルスレーザ光の透過率を調節するように構成された光シャッタと、前記光シャッタに電圧を供給するように構成された電源と、前記光シャッタと前記増幅器との間のパルスレーザ光路上に設置され、前記複数のマスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路を一致させるように構成された光路調整器と、前記電源が前記光シャッタに供給する電圧を、前記パルスレーザ光の少なくとも１パルス毎に調整するように構成されたコントローラと、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハを露光するため等に用いられるＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光生成装置、又は、レーザ加工機等のレーザ装置システムにおいて、ＥＵＶ光又はレーザ光のスペクトル純度を高めるのに適したスペクトル純度フィルタを提供する。
【解決手段】このスペクトル純度フィルタは、所定のサイズ以下の開口サイズを有する開口の配列が形成されると共に電気伝導性を有するメッシュを各々が含む複数のセグメントと、該複数のセグメントの少なくとも周縁部を支持するフレームとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の他の光を取り除き、ＥＵＶ光のみをマスクに供給することができる露光装置を提供する。
【解決手段】ミラー５１０の表面には、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が設けられており、この多層膜にブレーズド溝５１３が形成される。ＥＵＶ光源装置１から入射する光２０３，３０１は、ミラー５１０に入射し、反射または回折する。ＥＵＶ反射光２０４（ＥＵＶ回折光を含む）と、他の波長の光３０１Ａ，３０１Ｂとは、反射角度または回折角度が異なるため、進行方向が異なる。アパーチャやダンパによって他の光３０１Ａ，３０１Ｂを除去することにより、純度の高いＥＵＶ光をマスク６００に照射することができる。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ光を得る。
【解決手段】レーザシステムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたシードレーザシステムと、前記パルスレーザ光のパルスエネルギーを変化させるように構成されたパルスエネルギー調整部と、前記パルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも１つの増幅器と、前記少なくとも１つの増幅器の励起強度を変化させるように構成された少なくとも１つの電源と、前記パルスレーザ光の１パルスごとに前記パルスエネルギー調整部を制御し、前記パルスレーザ光の複数パルスごとに前記少なくとも１つの電源を制御するように構成されたコントローラと、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット物質の帯電ターゲットを供給するターゲット供給装置の絶縁破壊を抑制する。
【解決手段】このターゲット供給装置は、ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、ターゲット貯蔵部に貯蔵されたターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたターゲット出力部と、ターゲット出力部に対向して配置され、ターゲット物質が通過する貫通孔が形成された電極であって、ターゲット出力部に対向する面の一部に電気絶縁材料がコートされた電極と、ターゲット物質と電極との間に電圧を印加する電圧生成器とを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置のＣＥを向上させる。
【解決手段】チャンバ内にターゲット物質のドロップレットを供給するステップ（ａ）と、ドロップレットにプリパルスレーザ光を照射することによりドロップレットを拡散させて所望の拡散ターゲットを形成させるステップ（ｂ）と、拡散ターゲットの照射位置において、メインパルスレーザ光のレーザ光軸に垂直な断面の形状を、レーザ光軸の方向から見た拡散ターゲットの形状と実質的に一致させて、メインパルスレーザ光を、所望の拡散ターゲットに照射することによりプラズマを生成して極端紫外光を生成するステップ（ｃ）と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光以外の他の光を取り除き、ＥＵＶ光のみを露光機に供給することができる。
【解決手段】ＥＵＶ集光ミラー１３０の表面１３１には、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が設けられており、この多層膜にブレーズド溝１３３が形成される。プラズマ２０１から放射された光２０２は、ＥＵＶ集光ミラー１３０に入射し、反射または回折する。ＥＵＶ反射光２０３（ＥＵＶ回折光を含む）は、中間集光点ＩＦに向けて進む。他の波長の光は、反射角度または回折角度が異なるため、ＩＦから外れた位置に進む。ＩＦには、開口部１５１を有するＳＰＦ用アパーチャ１５０が設けられている。従って、ＥＵＶ光のみが開口部１５１を通過して露光機に供給され、他の光はアパーチャ１５０により遮光される。 （もっと読む）