【課題】測定すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱磁場の影響を抑制して磁場を測定する。
【解決手段】磁場測定装置９は、照射部１、ガスセル２、計測部（偏光分離器３、受光部４、信号処理回路５）、追従機構７を具備する。ガスセル２は、内部に気体原子を封入する。追従機構７の調節部７２は、検知部７１が検知した外乱磁場方向と、変換部１２を通ってガスセル２に照射される照射光に含まれる直線偏光の電場の振動方向とが合うように、変換部１２を動かして調節する。計測部は、照射部１により照射され、気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する。 （もっと読む）

【課題】計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測する。
【解決手段】磁場計測装置９は、照射部１、ガスセル２、計測手段（偏光分離器３、受光部４、信号処理回路５）、磁気シールド７を具備する。磁気シールド７は、両端に開口部を有する筒状に形成されている。ガスセル２は、内部に気体原子が封入され、磁気シールド７の中空の領域に配置される。照射手段１は、電場の振動方向が、磁気シールド７の軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、磁気シールド７の軸に垂直な方向に沿ってガスセル２に封入された気体原子に照射する。計測手段は、照射手段１により照射され、気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する。 （もっと読む）

【課題】複数のセルを配列して検体からの磁場を計測する際の装置構成を小型化しつつ、磁場の測定精度を向上させる。
【解決手段】磁気センサー装置は、アルカリ金属原子を収容した複数のセル（１６１）と、直線偏光成分を有する入射光を出射する出射部（１０，１２）と、入射光の偏光面の角度を保持した状態で複数のセルが配置された範囲の大きさに相当する光束径の入射光を出射させる第１光学系を有する第１光学機構（１４）と、複数のセルに各々対応して設けられ、第１光学機構から入射した入射光の偏光面の角度を保持した状態で入射時の光束径より小さい光束径の入射光をセルに出射させる第２光学系を有する第２光学機構（１５）と、各セルを透過した入射光を当該セルに向けて反射させる反射部（１６２）と、反射されて各セルを透過して第２光学機構と第１光学機構とを通過した反射光を第１偏光成分と第２偏光成分とに分離し、各成分の受光量を示す受光情報を出力する受光部（１８，１９，２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランスＴのコア３０内の磁束φが一方向に偏る直流偏磁が生じうること。
【解決手段】コア３０は、フェライト等によって構成される。コア３０の軸方向において、局所的に、軸方向の直交断面積が小さくなる部分が設けられている。この部分は、コア３０の突起部として検出用磁心３２が形成されており、これは、検出用コイルＷｄを貫く。検出用コイルＷｄに誘起される電圧は、電圧検出回路２２を介して制御装置２０に出力される。制御装置２０では、検出用コイルＷｄにパルス状の電圧が誘起されるタイミングを、コア３０の磁束φのゼロクロスタイミングとして検出する。そして、このタイミング間の間隔に基づき、直流偏磁の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】磁場計測装置が備えるガスセルの内壁のうち照射光が通過する部分にアルカリ金属固体あるいは液体が過剰に付着し、照射光がガスセルを通過する妨げとなることを抑制する。
【解決手段】本発明に係る磁場計測装置は、アルカリ金属ガスを発生させる物質を配置した第１空洞と、照射光が通過する第２空洞とを連通させる連通路を備え、連通路の開口サイズは、各空洞を隔てる隔壁の高さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】ファラデー回転素子の構成を工夫することにより、小型で高感度の磁気センサを実現すること。
【解決手段】ファラデー回転素子が有するファラデー効果を用いた磁気センサにおいて、
前記ファラデー回転素子は、薄い光透過部材の両面に、ベルデ定数が大きくて磁歪が小さな磁性体層が、自発磁化以下の厚さで光が透過できる厚さに形成されていることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】感度の高低やダイナミックレンジの広狭などのセンサの特性を測定中であっても変更設定することが可能な、磁気センサ、電流センサ、応力センサ、歪センサなどのセンサ、およびこれらの設定方法を提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、外部磁界が印加される磁性体２と、磁性体２の磁気光学カー効果に基づいて外部磁界を検出するための検出手段３とを備え、磁性体２に直流磁界を印加する永久磁石６，６と、永久磁石６，６を再着磁するためのコイル７，７とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で複数の軸成分の磁場を測定すること。
【解決手段】磁場測定装置は、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、前記媒体と相互作用する光を出射する光源と、前記光源から出射された光を、第１ビームおよび前記第１ビームと非平行な第２ビームとして前記セルに入射させる光学系と、前記セルを透過した前記第１ビームの偏光面の方位を検出する第１検出器と、前記セルを透過した前記第２ビームの偏光面の方位を検出する第２検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】セルの温度制御を行わなくても光の照射される領域に原子が析出することを抑制する。
【解決手段】磁場測定装置は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過する前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部とを備える。このセルは、前記内部に面した壁面のうち前記直線偏光が透過する第１領域を含む第１部材と、前記内部に面した壁面のうち外部までの熱抵抗が前記第１領域よりも低い第２領域を含む第２部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】円筒状の被検査物の表面欠陥を、磁気光学膜を用いて容易に且つ効率よく短時間で検出できるようにする。
【解決手段】被検査物１０に磁界を印加し、その表面の欠陥部に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接配置した磁気光学膜２０に磁気転写し、磁気光学効果を利用して検出する探傷方法である。ここで前記被検査物は円筒状をなし、磁気光学膜の上面に反射膜２２を設けた磁気光学素子１２の上部で前記円筒状の被検査物を横方向に転動させ、磁気光学素子の下方から偏光子を通した光を入射し、反射した光を検光子を通して観察することにより、被検査物の側面を全周にわたって展開し前記漏洩磁界により磁気光学膜の磁化方向を局所的に変化させ、それを磁気光学的に２次元の光強度分布として検出する。 （もっと読む）

【課題】ファラデー効果を用いて高周波磁界を検出する測定装置であるが、共鳴線のピークが細かく分裂することがなく、広い周波数帯で安定した測定ができる高周波磁界計測装置を実現する。
【解決手段】強磁性共鳴効果のための静磁界発生器と、静磁界と高周波磁界とに対してファラデー効果を示す磁気光学結晶と、それを偏光で走査する偏光走査手段と、磁気光学結晶を透過した偏光の偏光面の回転角度を検出する偏光検出手段と、その出力から指定された周波数成分を検出する信号検出手段と、信号検出手段の出力を、走査信号と同期して表示する表示手段と、を備える。ここで、磁気光学結晶は、その強磁性共鳴半値全幅が３００Ａ／ｍから２０００Ａ／ｍの範囲にあるものを用いる。また、（ＢｉＹＧｄ）₃Ｆｅ₅Ｏ₁₂でＧｄの比率（＝［Ｇｄ］／（［Ｇｄ］＋［Ｙ］））を２０％〜９０％にする。 （もっと読む）

【課題】全体を片手で把持できる程度のサイズで、製造時や使用時の調整が容易であり一度に複数点の測定が可能な電磁界プローブ装置を提案する。
【解決手段】電界（磁界）で偏波面の変化する電気（磁気）光学結晶と、第１の偏波を出力する光源と、第1の偏波を電気（磁気）光学結晶に集光する第１光学系と、電気（磁気）光学結晶またはその少なくとも１部を少なくとも１回以上透過して偏波状態の変化として電界（磁界）の情報を含んだ偏波（第２の偏波）を光電変換器に導くための第２光学系と、第２の偏波の偏波状態の変化を光強度の変化に変換する検波光学系と、その光出力を電気信号として出力する光電変換器と、その出力を外部に出力する出力回路と、第１または第２の偏波の偏向方向を調整する偏向調整手段と、光電変換器の出力から第１光学系、第２光学系あるいは検波光学系を制御する制御回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、高分解能で広い範囲の被検査物の探傷を行えること
【解決手段】 被検査物１に磁界を印加し、その表面のキズ２部に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接させた磁気光学効果素子１０に透過させた直線偏光の偏光面回転により検出する磁気光学式欠陥検出方法である。磁気光学効果素子は、磁化容易軸が面内を向いている面内磁化膜の磁気光学膜１２を備え、その磁気光学膜を被検査物の表面に対向させる。そして、磁界は、被検査物１の裏面側に配置した永久磁石１８により、面内に直交する方向に印加することとした。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成をとることなく磁界の向きが判別可能となる。
【解決手段】光源１０４と、光源１０４の光を導光する入射側光ファイバ１１４と、入射側光ファイバ１１４から出射された光を直線偏光させる偏光子１３４と、直線偏光された光を外部磁界の強さにより偏光回転させる第１ファラデー回転子１３６と、偏光回転された光に基づいて光電変換して電気信号として出力する受光器１２０と、電気信号を処理して外部磁界の強さを出力電圧値Ｖｏｕｔとして出力する処理部１５０と、を有する光ファイバ型磁界センサ１００であって、偏光子１３４の偏光軸に対する第１ファラデー回転子１３６から出射される光の偏光回転角に、９０ｎ（ｎ；整数）度ではない一定の偏光回転角を更に与える第２ファラデー回転子１３８及び永久磁石１４０と、ミラー１４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング法を用いた磁場勾配の測定の精度を向上させる技術を提供すること。
【解決手段】直線偏光のプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、プローブ光が通過する２の領域に存在し、円偏光のポンプ光が照射される方向に応じて磁化する磁性媒体であって、外部から印加される磁場のうちプローブ光が通過する方向に対して直交する第１方向の成分の強度に応じて、プローブ光の偏光面を回転させる磁性媒体と、２の領域の各々における磁性媒体に対して、プローブ光を複数回通過させるように光路を制御する光路制御手段と、２の領域の各々における磁性媒体が第１の方向以外のそれぞれ反対の方向に磁化するように円偏光のポンプ光を照射するポンプ光照射手段と、２の領域の一方における磁性媒体を複数回通過することによる偏光面の回転量と、他方における偏光面の回転量との差を検出する検出手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】磁性半導体膜における現象を究明し、またその現象を有効に利用できるルミネッセンス型光磁気センサを提供する。
【解決手段】光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子１と、この光磁気素子１のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサ。また、光源と光磁気素子１との間に偏光子２を配置し、光磁気素子１と受光器の間に検光子３を、その光軸の向きが偏光子２の光軸の向きとおよそ９０度異なるように配置した光磁気センサ。このようにファラデー効果よりもフォトルミネッセンス効果を現出する磁性半導体膜を利用することにより、高周波磁界測定のできるＳ／Ｎ（信号雑音比）に優れた光磁気センサが構成できる。 （もっと読む）

【課題】微小な磁場を高感度で検出することが可能な磁気センサーを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサー１０は、光ポンピング法を用いて磁場Ｂを測定する磁気センサーであって、最外郭電子が1つである原子又はイオンを囲み、磁場Ｂの中に配置されたセル２と、セル２に対してパルス状の第１の直線偏光Ｅ_Ｉを入射させる光源１と、セル２を透過した第１の直線偏光Ｅ_Ｉである第２の直線偏光Ｅ_Ｔの一部を楕円偏光又は円偏光に変換してセル２に入射させる円偏光入射手段（１／８波長板３、第1反射板４）と、第１の直線偏光Ｅ_Ｉの偏光面である第１の偏光面と第２の直線偏光Ｅ_Ｔの偏光面である第２の偏光面との回転角を検出する偏光計５と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は高精度な磁場センサシステムとこのシステムに用いられる材料に関する。このセンサシステムは、高分子材料などの無機および／または有機の磁気光学活性材料を用いて磁場を測定し、ファラデー回転を用いた干渉計を備える。高分子材料は膜状であることが好ましい。高分子材料は、ファラデー回転効果など、磁場に対して感度がよいという光学的特性を備える。また、本発明は上記高分子材料を備えるセンサヘッド構造を提供する。センサヘッドは、光ファイバやミラーを備えていてもよい。特に本発明は、光の偏光面の回転を測定するためのファイバサニャック干渉計を提供する。本発明は、磁場を検出するためにパッシブな位相バイアスを印加可能な、ファイバまたはミラーを用いたサニャック干渉計を提供する。本発明は次の３つの主な実施の態様を有する。１．検出材料：ポリチオフェンなどの共役高分子、および／または巨大ファラデー回転を示す超常磁性ナノ粒子を含む高分子。２．上記高分子や高分子とナノ粒子の複合材料（例えば膜状）を含む磁場プローブ。３．センサ：光ファイバを用いたサニャック干渉計と上記磁場プローブが組み合わされたセンサ。
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【課題】入射光の偏光状態が楕円光の状態でも検知する光強度が入射光の偏光状態の変化に依存しない偏光無依存性であり、且つ入射光の挿入損失が低減された光磁界センサの提供。
【解決手段】光導波路と、偏光分離素子と、レンズと、非相反性の偏光面回転素子と、反射体を含んで反射型光磁界センサを構成し、光導波路を単芯とし、偏光面回転素子の回転角を９０度以上且つ３６０度以下に設定し、光導波路からの入射光を偏光分離素子で２つの偏光成分に分離後、レンズで収束し、偏光面回転素子でそれぞれの偏光面を回転させて、反射体の反射面の一点で点対称に反射し、再び偏光面回転素子で偏光面を回転後、偏光分離素子で合成して、光導波路に入射させることで、２つの偏光成分をそれぞれ偏光分離素子において異常光線としてシフトさせることを特徴とする。 （もっと読む）